硅片精密切割多线锯研究进展	2018-08-21
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	硅片基础知识培训	2018-08-21
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	硅片技术规格(125×125mm)	2018-08-21
	硅片技术规格（ 125 125mm）特性 规格 说明 抽测比率生长方式 CZ 不得使用物理提纯法的硅 料每根棒子抽测 20片，其中若有一片不合格，加抽 20 片晶向 ± 1°型号 /掺杂剂 P/B 氧含量 ≤ 1.0 1018/cm3碳含量 ≤ 5.0 1016/cm3电阻率 1.0 3.0Ω ㎝ 单片电阻率不均匀性 ＜ 10％少子寿命
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	硅片力学性能及热膨胀系数的热稳定性研究(20180720145500)	2018-08-21
	硅片力学性能及热膨胀系数的热稳定性研究作者 王晓燕 ， 翟秀静 ， 张廷安 ， 符岩 ， 郑双作者单位 王晓燕 ,翟秀静 ,张廷安 ,符岩 东北大学 ,辽宁 ,沈阳 ,110004 ， 郑双 沈阳航空工业学院 ,辽宁 ,沈阳 ,110032刊名 真空与低温英文刊名 VACUUM AND CRYOGENICS年，卷 期 2009,153被引用次数 2次参考文献 8条
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	硅片检验作业指导书	2018-08-21
	文件编号 SY-XX-X-01-X/V1.0 1/7 浙江尚源光伏科技有限公司Zhejiang Sunyouo Solar Co., Ltd. 文件类别 文件编号版本号 /发布日期 页数文件名称版本号 /日期 编写人 批准人 备注本文件由浙江尚源光伏科技有限公司版权所有，未经尚源公司书面许可，不得将本文件之全部或部分内容透露予无权阅读本文件之机构或个人。这是电子文件，影印版本未受控制。任何争议
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	硅片键合技术摘要	2018-08-21
	摘要硅片键合技术是指通过化学和物理作用将硅片与硅片、硅片与玻璃或其它材料紧密地结合起来的方法。硅片键合往往与表面硅加工和体硅加工相结合，用在 MEMS 的加工工艺中。常见的硅片键合技术包括金硅共熔键合、 硅 / 玻璃静电键合、 硅 / 硅直接键合以及玻璃焊料烧结等。 文中将讨论这些键合技术的原理、工艺及优缺点。关键词 MEMS、金硅共熔、阳极键合、硅硅直接键合、烧结文章编号 1006-88
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	硅片加工损伤机理的压痕、划痕研究	2018-08-21
	硅片加工损伤机理的压痕、划痕研究作者 郜伟 ， 张银霞 ， Gao Wei， Zheng Yin-xia作者单位 郑州大学机械工程学院 ,河南郑州 ,450001刊名 电子质量英文刊名 ELECTRONICS QUALITY年，卷 期 20088参考文献 17条1. Vodenitcharova T;Zhang L C A mechanics prediction of
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	硅片行业术语大全(中英文对照+A-H)	2018-08-21
	硅片行业术语大全 中英文对照 A-HAcceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valence electron than t
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	硅片面积计算表	2018-08-21
	规格 156 mm对角线 200 mm硅片面积 238.95 cm2
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	硅片金属杂质分析	2018-08-21
	AuthorJunichi TakahashiKouichi YounoAgilent Technologies9-1 Takakura-Cho, Hachioji-ShiTokyo, 192-0033JapanAbstractA newly designed, high-sensitivity reaction cell induc-tively coupled plasma mass spe
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