硅片切割中碳化硅的作用	2018-08-21
	碳化硅微粉是最主要的用于多线切割机上的磨料之一， 适合于切割比较硬而且脆的材料。 线切割是由导轮带动细钢线高速运转， 由钢线带动砂浆形成研磨的切割方式。 在线切割机的切割过程中， 悬浮液夹裹着碳化硅磨料喷落在细钢线组成的线网上， 依赖于细钢线的高速运动，把研磨液运送到切割区， 对紧压在线网上的工件进行研磨式切割， 随着碳化硅磨料对工件的一次次刻划， 逐渐把多余的材料带走， 是一种类似于研磨的滚动
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	硅片切割技术的工艺研究	2018-08-21
	硅片切割技术的工艺研究摘要 随着全球各国绿色能源的推广和近年来半导体产业的超常规发展， 硅片切割加工能力的落后和产能的严重不足已构成了产业链的瓶颈。 本文主要论述了硅片切割常用方法， 影响硅片切割的因素， 最常见的硅片切斜问题， 切割技术的发展趋势 多线切割技术等硅片切割的工艺问题。关键词 多线切割，因素，斜切0 引言硅片切割是电子工业主要原材料一硅片 晶圆 生产的上游关键技术，切
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	硅片平整度讨论	2018-08-21
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	硅片刻蚀方法	2018-08-21
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	硅片缺陷自动检测分类方法探究	2018-08-21
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	硅片清洗原理与3方法介绍	2018-08-21
	铅 327 锡 232 铅锡合金 铅锑合金 以铅与锡为主要成份， 辅之锑 （增加硬度） 和其它微量金属合成的有色金属，呈白灰色，有光泽，质软，富延展性。铅锡合金的熔点约为 200～ 320℃；浇铸温度为 380～ 480℃之间ＤＺ１∶ＤＺ２∶水＝５～１５∶１～１０∶１００；其中ＤＺ１由如下摩尔比的组分组成烷基苯磺酸钠∶五水偏硅酸钠∶焦磷酸四钾∶聚乙烯醇∶聚乙二醇∶水＝５∶７∶
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	硅片清洗工艺的详细分析	2018-08-21
	太阳能硅片的清洗工艺1. 药槽清洗液最佳配比确定由以上实验数据分析 , 在清洗剂浓度较低时 , 不能达到良好的清洗效果 , 切割过程中吸附到 Si 片表面的砂浆等沾污依然停留在 S i 片表面。提高清洗剂用量 , 砂浆残留的片数减少 , 但是持续加大清洗剂用量 , 又会造成新的污染 , 即清洗剂残留， 和砂浆残留一样 , 会影响 Si 片的质量。 因此选择其中效果最好的配比为 2.0L 。2
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	硅片切割液回收方法	2018-08-21
	硅片切割液回收方法多线切割是切割大直径硅单、多晶棒非常有效的方法之一。近几年异军突起的多线切割机 简称线锯 以其极高的生产效率和出片率，在大直径硅片加工领域有逐渐取代内圆切割机的趋势。多线切割机将金属线缠绕在导线轮上，驱动导线轮和单晶棒作相对运动，砂浆磨削、冷却达到磨切晶片的目的。经过近 30 年的完善和提高，多线切割机日渐成熟，目前的产品己经是第六或第七代。我国通过技术引进，多线切割技术
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	硅片切割工艺调研	2018-08-21
	硅片加工发展调研科技发展对硅片的新的要求1） 从成本造价上考虑， 目前在太阳电池成本中硅片几乎占了的成本 ,为提高光电转换效率 ,降低生产成本提高原材料利用率 ,太阳能级硅片必然向 超薄方向 ,大直径方 向发展 ,而且急需准方形硅片。2） 从加工精准度考虑， 90以上的半导体器件和电路 ,尤其是大规模集成电路、 超大规模集成电路和甚大规模集成电路都是制作在高纯优质的硅单晶抛光片和外延片上的。而
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	硅片清洗	2018-08-21
	RCA 标准清洗法是 1965 年由 Kern 和 Puotinen 等人在 N.J.Princeton 的 RCA 实验室首创的，并由此而得名。 RCA 是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液。（ 1） SPM H2SO4 /H2O2 120 ～ 150 ℃ SPM 具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成 CO 2 和
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