硅片平整度知识介绍	2018-08-21
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	硅片清洗技术的发展趋势(20180720151416)	2018-08-21
	上海应用技术学院研究生课程（论文类）试卷2 014 /2 015 学年第 一 学期课程名称 半导体材料与集成电路基础课程代码 NX0102004 论文题目 硅片清洗技术的发展趋势学生姓名 李南专业﹑学号 材料化学工程 /14608110 学院 材料科学与工程课程（论文）成绩课程（论文）评分依据（必填） 任课教师签字日期 年 月 日课程（论文）题目硅片清洗技术的发展趋势内容
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	硅片清洗的方法	2018-08-21
	硅片清洗的方法一、 硅片清洗的重要性硅片清洗是半导体器件制造中最重要最频繁的步骤， 而且其效率将直接影响到器件的成品率、性能和可靠性。现在人们已研制出了很多种可用于硅片清洗的工艺方法和技术， 常见的有 湿法化学清洗、超声清洗法、兆声清洗法、鼓泡清洗法、擦洗法、高压喷射法、离心喷射法、流体力学法、流体动力学法、干法清洗、微集射束流法、激光束清洗、冷凝喷雾技术、气相清洗、非浸润液体喷射法、硅片在线
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	硅片切割废砂浆中固体的回收循环再生利用工艺	2018-08-21
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	硅片面积计算及相应功率	2018-08-21
	宋翠明设计多晶硅片 wafer type 156.75对角线 diameter 220.17798已知C known number 1.5 mm则小三角形腰为 small triangle waist 1.06 mm小三角形面积为 triangle area 0.5618 mm2多晶硅片面积为 wafer area 24568.315 mm2 245.683153 cm2硅片厚度 thic
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	硅片切割技术的现状和发展趋势(20180720151841)	2018-08-21
	硅片切割技术的现状和发展趋势中国新能源网 | 2008-7-30 93100 | 新能源论坛 | 我要供稿特别推荐 生物质能源技术国际会议论文集征订摘要 随着全球各国绿色能源的推广和近年来半导体产业的超常规发展， 硅片市场的供需已极度不平衡，切割加工能力的落后和产能的严重不足已构成了产业链的瓶颈。作为硅片 晶圆 上游生产的关键技术， 近年来崛起的新型硅片多丝切割技术具有切割表面
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	硅片切边	2018-08-21
	硅片为何要切边其实早期的硅片并不切边 ,但随着微电子业发展开始切边 ,原因如下 1, 微电子器件在晶圆上可以做 n 多个 ,需切割下来 ,而单晶硅生长是有晶向要求的 ,切割沿某一方向好切不乱裂 ,就是专业上称的解理面 .切边就告诉您解理方向 . 2, 硅片分 N 型和 P 型 ,有规范的切边还告知您它是 n 型电特性还是 p 型电特性 ,1 U x“ q3 e I0 O3, 现
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	硅片面积及重量计算书	2018-08-21
	1000 44.09354多晶硅片 156已知C 1.5 mm则小三角形腰为 1.06 mm小三角形面积为 0.5618 mm2多晶硅片面积为 24333.75 mm2 243.3375 cm2 399073.5硅片厚度 0.02 cm硅料密度 2.33 g/cm3每片硅片重量 11.33953 g成品率 出片数量 硅料价格 每片硅料成本 硅片价格 每片加工费0.92 40.56606
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	硅片生产厂家名录20140902	2018-08-21
	序号 国内主流企业1 保利协鑫2 江西赛维 LDK太阳能高科技有限公司3 浙江昱辉阳光能源有限公司4 英利绿色能源控股有限公司5 常州天合光能有限公司6 河北晶龙集团7 新疆新能源股份有限公司8 大全新能源9 天威新能源10 晶科能源11 通威集团12 阿特斯13 江苏环太集团14 江苏中盛光电有限公司15 安徽新光太阳能科技有限公司16 江苏顺大集团17 精功绍兴太阳能技术有限公司18 江阴海
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	硅片清洗原理与方法综述(20180720165407)	2018-08-21
	2.3 硅片表面沾污杂质的来源和分类分类依据 沾污类别沾污杂质的形态 微粒型污质，膜层污染质吸附力的性质 物理吸附型杂质。化学吸附型杂质被吸附物质的存在形态 分子型，原子型，离子型吸附杂质物化性质 有机沾污，无机盐，金属离子（原子）和机械微粒等2.4 硅片清洗的一般程序杂质可以分为分子型，离子型和原子型三种情况。分子型大多为油脂类的杂质，有疏水性。 离子和原子型为化学吸附杂质， 其吸附力较强。
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