硅片的湿法刻蚀的各向异性加工出V形槽条纹	2018-08-21
	利用湿法刻蚀在硅片加工出 V 形槽条纹1 刻蚀原理硅的湿法刻蚀是指利用含有腐蚀剂的溶液对硅进行腐蚀 , 可分为各向同性腐蚀技术和各向异性腐蚀技术。各向同性腐蚀是指各个晶向上的腐蚀速率相同 , 衬底和表面取向的不同对腐蚀速率的影响不大。 各向异性腐蚀是指硅的不同晶面在某些特定的腐蚀液中被刻蚀的速率不同 , 导致各个晶向的腐蚀速率不同。现出结构边缘平滑的现象。各向同性腐蚀液常用 HF、 HN O 3
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	硅片加工	2018-08-21
	硅片加工技术1. 硅的主要性质 原子序数 14、 现对原子质量 08.28 、 晶体结构 金刚石结构、 熔点℃1420 、颜色银白色。2. 硅片按生产工艺分为切割片、研磨片、化腐片和抛光片。3. 硅片加工第一道工序定向、滚磨开方。4. 滚磨开方的设备单晶切方滚磨机、带锯、线锯。5. 硅单晶主参考面方位的确定方法光图定向法和晶棱连线法。6. 硅单晶定向切割可分为多线切割和内圆
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	硅片过程检验培训	2018-08-21
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	硅片腐蚀和抛光工艺	2018-08-21
	硅片腐蚀和抛光工艺链接 www.china-nengyuan.com/baike/2275.html硅片腐蚀和抛光工艺硅片腐蚀工艺的化学原理硅表面的化学腐蚀一般采用湿法腐蚀，硅表面腐蚀形成随机分布的微小原电池，腐蚀电流较大，一般超过 100A/cm2，但是出于对腐蚀液高纯度和减少可能金属离子污染的要求，目前主要使用氢氟酸（ HF），硝酸（ HNO3）混合的酸性腐蚀液，以及氢氧化钾（ KOH）或
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	硅片行业术语大全(20180720145851)	2018-08-21
	Acceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor. 受主 -
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	硅片工艺流程	2018-08-21
	4” ,5 ” ,6 ”硅抛光片工艺流程切片切片清洗边缘倒角倒角清洗激光刻字磨片磨片清洗酸腐蚀背损伤背损伤清洗厚度分选单晶粘接酸腐蚀清洗用专用胶将进口的单晶棒粘在石墨条上用切片机进行切片用清洗机清洗清洗硅片用倒角机对硅片边缘进行倒角（或称园边处理用清洗机清洗倒角后的硅片用激光刻字机按客户要求刻上硅片标记用磨片机对硅片两面进行机械研磨， 去除切片损伤层用清洗机对研磨后的硅片进行研磨用背损伤机对硅片
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	硅片-电池位错	2018-08-21
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	硅片的制造工艺	2018-08-21
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	硅片基础知识培训v1	2018-08-21
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	硅片的清洗与制绒-一次清洗培训材料-修改稿	2018-08-21
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