硅片检验作业指导书

文件编号： SY-XX-X-01-X/V1.0 1/7 浙江尚源光伏科技有限公司Zhejiang Sunyouo Solar Co., Ltd. 文件类别 文件编号版本号 /发布日期 页数文件名称版本号 /日期 编写人 批准人 备注本文件由浙江尚源光伏科技有限公司版权所有，未经尚源公司书面许可，不得将本文件之全部或部分内容透露予无权阅读本文件之机构或个人。这是电子文件，影印版本未受控制。任何争议，以尚源公司文控中心的硬拷贝为准 。文件编号： SY-XX-X-01-X/V1.0 2/7 浙江尚源光伏科技有限公司Zhejiang Sunyouo Solar Co., Ltd. 晶体硅多晶硅片检验作业指导书1. 目的规范多晶硅片检验项目和判定准则，指导多晶硅片进料检验作业流程，控制多晶硅片的品质，提供符合生产需求的原材料。2. 范围适用于正常购入多晶硅片的检验判定3. 定义无4. 规范性引用文件4.1 GB/T 2828.1-2003 计数抽样检验标准4.2 CD-硅片 -02.4 多晶硅片技术条件5.职责5.1 电池技术部负责编制多晶硅片技术要求。5.2 电池质量部负责下发受控多晶硅片技术要求文件至相关部门5.3 电池质量部负责根据技术要求编制多晶硅片检验标准5.4 电池质量部硅料检验员负责根据多晶硅片检验标准的要求操作。6.内容6.1 多晶硅片基本检验要求6.1.1 检验环境室温、有良好光照（光照度≧ 700lux 左右）文件编号： SY-XX-X-01-X/V1.0 3/7 浙江尚源光伏科技有限公司Zhejiang Sunyouo Solar Co., Ltd. 6.1.2 运输 /储存要求6.1.2.1 产品应储存在清洁、干燥的环境中，避免酸碱腐蚀性气氛；避免油污、灰尘颗粒气氛。6.1.2.2 产品运输过程中轻拿轻放、严禁抛掷，且采取防震、防潮措施6.1.3 核对相关信息6.1.3.1 收料凭证与供应商来料规格信息核对，外包装无破损。6.1.3.2 报料信息需与实物料号一致，数量、规格准确无误。6.2 多晶硅片抽样方案及判定准则项目 检验项目 判定准则1 外观检验方案检验批定义：以箱为单位组成独立检验批国内供应商：按照国际 GB2828一般检验水平 II, 接受质量限AQL0.15% 以箱为单位作为一个独立的检验批，按外观抽检方案抽样检验，若检出不良大于等于 Re,则整箱判退。备注：鉴于硅材料易碎的特性，在开盒、检验过程中产生的人为的崩边、碎片、裂纹、缺角直接挑出，不做零收一退国外供应商：质量比较稳定，且连续十批外观合格率达到99%，按照国内供应商外观抽样方案执行；若不满足以上条件则外观全检2 尺寸、性能抽样方案国内供应商：边长、对角线、厚度、电阻率、导电类型检验抽样方案：每箱数量≦ 1800pcs， 抽取 5 片 (在不同的盒子，不同的包装袋中抽取 )；每箱数量＞ 1800pcs，抽取 8 片 (在不同的盒子，不同的包装袋中抽取 )。若抽取的样本全部合格，则整箱判定为合格；若抽取的样本中有 1 片不合格（未满足边长、对角线、厚度、电阻率、导电类型判定标准任何一项），则整箱判定为不合格，即零收一退文件编号： SY-XX-X-01-X/V1.0 4/7 浙江尚源光伏科技有限公司Zhejiang Sunyouo Solar Co., Ltd. 项目 检验项目 判定准则2 尺寸、性能抽样方案国外供应商：尺寸、厚度、电阻率、导电类型检验抽样方案：a)每箱数量≦ 1000pcs,抽取 2 片（在不同的盒子，不同的包装袋中抽取）；b)1000pcs＜每箱数量≦ 1800pcs,抽取 5 片（在不同的盒子，不同的包装袋中抽取）；c)每箱数量＞ 1800pcs,抽取 8 片 （在不同的盒子，不同的包装袋中抽取）。边长、对角线若抽测 1 片不合格，直接做零收一退； TV 、 TTV 、 电阻率若抽测 1 片不合格， 加抽 5 片 （在不同的盒子，不同的包装袋中抽取） , 若 5 片全部合格，则接受；若有 1片不合格，则整箱拒收3 少子寿命抽样方案检验批抽样方法a)每箱数量≦ 1000pcs,抽取 2 片（在不同的盒子，不同的包装袋中抽取）；b)1000pcs＜每箱数量≦ 1800pcs,抽取 5 片（在不同的盒子，不同的包装袋中抽取）；c)每箱数量＞ 1800pcs,抽取 8 片（在不同的盒子，不同的包装袋中抽取）。若有 1 片少子寿命测试值＜ 10us,以此片二次制绒为最终确认值， 若此片测试值合格，则整箱合格；若此片测试不合格， 则整箱判定为不合格，即零收一退。6.3 晶体硅多晶硅片检验项目、术语定义、测量仪器、测试方法、判定基准检验项目 术语定义 测量仪器 测试方法 判定基准外观碎片 硅片受力后变为破碎或不完整现象目测 目测硅片四周及表面合格：无碎片不合格： 表现为硅片整体破裂，破碎面积接近整体的1/2 缺口 上下贯穿硅片边缘的缺损，形状为“ V” 型或半圆形等目测 目测硅片四周及表面合格：无缺口不合格： 表现为硅片边缘某处呈三角形的缺口， 尖端朝向硅片裂 纹 /裂痕延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕目测 目测硅片四周及裂纹、裂痕的长度合格：无裂纹 /裂痕不合格：表现为硅片边缘，或对角有线形延伸裂开针孔 由于单晶拉制过程中的气泡或回溶等原因， 形成的贯穿硅片表面的孔洞目测 目 测 硅 片 表面 及 发 现 孔上 下 两 片 洞硅 片 紧 挨 着的合格：无针孔不合格：表现为硅片表面大小不等的小孔， 贯穿两面的孔文件编号： SY-XX-X-01-X/V1.0 5/7 浙江尚源光伏科技有限公司Zhejiang Sunyouo Solar Co., Ltd. 检验项目 术语定义 测量仪器测试方法判定基准外观沾污 硅片表面肉眼可见的某种颜色的花样，如指纹、水渍、有机物、灰尘以及腐蚀氧化目测 强光 下目测硅 片表面质量合格：无沾污色差 由于硅片切割过程中的异常情况，导致硅片表面出现两种不同的颜色目测 强光 下目测硅 片表面质量合格：无色差硅晶脱落 硅片表面未贯穿硅片的局部区域缺损，成凹凸状目测 目测 硅片表面质量合格：无硅晶脱落划痕 硅片边缘因硬物划伤等原因出现的微小崩边， 在多片硅片放在一起会发现，单片难以发现目测 目测 多片硅片 放在一起 ，在边缘 形成的划痕合格：无划痕边缘毛糙 硅片边缘或侧面由于未抛光、 抛光不充分或线切割等原因导致的硅片边缘连续锯齿状缺陷目测 强光 下目测硅 片边缘质量判定：合格：硅片边沿是光亮的（切片前的锭要经化学腐 蚀去除损伤层）不合格：硅片边沿不光亮密集型线痕 垂直于线痕的 1cm 长度上线痕的条数超过 5 条目测、便携式面粗度计、显微镜见便 携式面粗 度计作业 指导书合格：无密集型线痕文件编号： SY-XX-X-01-X/V1.0 6/7 浙江尚源光伏科技有限公司Zhejiang Sunyouo Solar Co., Ltd. 检验项目 术语定义 测量仪器 测试方法 判定基准外形尺寸四 角 同心度 （外形片、 倒角偏差）单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值同 心 度 模板以相邻两边和夹角为基准测量其他三个倒角偏离值判定：合格≤ 0.50mm 不合格＞ 0.50mm 梯形片梯形片式一边满足要求， 另一边偏大或偏小。 严重的梯形片是两边平行长度不等，另外两边不平行， 长度可相等也可能不相等游标卡尺、同 心 度 模板使用同心度模板以一边一角为基准测量其他边判定：合格≤ 0.50mm 不合格＞ 0.50mm 菱形片四条边长度相等， 但是对角线长度不等， 一般通过对角线突出和缩进的数值游标卡尺、同 心 度 模板使用同心度模板以一边一角为基准测量其他边判定：合格≤ 0.50mm 不合格＞ 0.50mm 尺寸偏差由于硅片在切割过程中的异常情况，导致硅片的边或角超出要求范围游 标 卡 尺/MANZ 使用游标卡尺测量两边及两对角的中心点判定：合格：标称尺寸± 0.5mm 不合格：超范围检验项目 术语定义 测量仪器 测试方法 判定基准外观线痕由线切割造成的硅片表面的局部区域的高低起伏， 其尺寸由双面同一位置叠加和不同位置最深的线痕深度或高度给出目测、便携式面粗度计、显微镜见 便 携 式 面粗 度 计 作 业指导书判定：合格：线痕深度≤ 20um 不合格：线痕深度≥ 20um 台阶硅片局部区域整体性的高低起伏， 其尺寸由台阶深度或高度给出目测、便携式面粗度计、显微镜见 便 携 式 面粗 度 计 作 业指导书判定：合格：台阶深度≤ 20um 不合格：台阶深度≥ 20um 崩边硅片边缘未贯穿硅片的局部区域缺损， 其尺寸由缺损区域的长和宽给出目测、显微镜 目 测 硅 片 边缘质量判定：合格： 崩边长度≤ 0.5mm， 深度≤ 0.3mm,每片崩边数量≤ 2 个不合格：崩边长度、深度、数量，只要有一项超出合格范围即判不合格文件编号： SY-XX-X-01-X/V1.0 7/7 浙江尚源光伏科技有限公司Zhejiang Sunyouo Solar Co., Ltd. 翘曲度晶片中心面与基准平面之间的最大和最小距离的差值， 翘曲度是晶片的体性质而不是表面特性塞尺、水平测试平台将 硅 片 放 置水 平 硬 质 平台上， 采用塞尺进行测试表现为晶片边缘微微上翘卷曲判定：合格：翘曲度≤ 75um 不合格：翘曲度＞ 75um 弯曲度晶片中心面凹凸形变的一种变量， 它与晶片可能存在的任何厚度变化无关， 弯曲度是晶片的一种体性质而不是表面性质塞尺、水平测试平台将 硅 片 放 置水 平 硬 质 平台上， 采用塞尺进行测试硅片呈现弯曲的现象， 表现为硅片侧面有空隙。判定：合格：弯曲度≤ 75um 不合格：弯曲度＞ 75um 检验项目 术语定义 测量仪器 测试方法 判定基准外形尺寸TV 硅片中心点厚度误差，是指一批硅片的中心点厚度分布情况WA-1200 测试仪使用非接触式测试设备测试硅片中心点厚度， 看其数据是否满足厚度公差范围厚度（ um）检验标准判定合格范围标称厚度 TV 范围 TTV 范围200 200± 20 TTV ≤ 30um 180 180± 15 TTV≤ 25um TTV 总厚度变化，是指一片硅片的最厚和最薄的绝对差值WA-1200 测试仪使用非接触式测试设备测试硅片最厚点和最薄点的厚度差值 （一般测量采取五点法）性能少子寿命非平衡少数载流子的平均生存时间WA-1200测试仪将硅片的损伤层去除后， 使用0.08mol/L 的碘酒钝化， 使用少子寿命测试仪测量判定合格：少子寿命≥ 10us 不合格：少子寿命＜ 10us 电阻率用来表示各种杂质电阻特性的物理量，在常温下 （ 20℃）长 1 米、横截面积是 1 平方毫米的材料的电阻WA-1200测试仪针对氧施主片需要进行退火处理， 在 650℃惰性气体（氮气） 保护下退火30 分钟，正常片直接测试合格：0.5-3.0