硅片英语词汇	2018-08-21
	Acceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor. 受主 -
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 8  / 时长: 1秒  / 阅读: 372  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	硅片线痕、TTV的分析	2018-08-21
	硅片线痕、 T T V 的 分 析分类线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕等 。各种线痕产生的原因如下1 、 杂质线痕 由多晶硅锭内杂质引起， 在切片过程中无法完全去除， 导致硅片上产生相关线痕。表现形式 （ 1）线痕上有可见黑点，即杂质点。（ 2）无可见杂质黑点，但相邻两硅片线痕成对，即一片中凹入，一片凸起，并处同一位置。（ 3）以上两种特征都有。（ 4
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 3  / 时长: 1秒  / 阅读: 867  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	硅片生产工艺	2018-08-21
	硅片生产制造工艺流程1. 切方磨圆将矽单晶圆棒按尺寸要求，切割成矽单晶准方棒，并将切割后的准方棒四角，用滚磨机磨圆。2. 酸洗将检测合格的矽单晶准方棒放入配好的酸液中，除去表面杂质，使其清洁便于下道工序。3. 粘胶将清洁干净的矽单晶准方棒与工件板进行粘接。4.切片将粘好的矽单晶准方棒安装在切片机的切割工位上， 通过设定好的工艺参数， 将其切割成片。5. 清洗脱胶将切割后的矽片进行预清洗，除去表面
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 1  / 时长: 1秒  / 阅读: 213  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	硅片清洗原理与方法综述	2018-08-21
	硅片清洗原理与方法综述【摘要】 文中首先就硅片清洗原理的硅片的表面状态与洁净度问题和吸附理论进行了探讨， 在硅片清洗的常用方法与技术中分析了湿法化学清洗、 干法清洗技术、束流清洗技术。【关键词】硅片清洗原理；湿法化学清洗；干法清洗技术；束流清洗技术1、引言硅片的质量， 尤其是硅抛光片的表面质量， 随着大规模集成电路的发展， 不断减小的线宽， 不断提高的集成度， 其要求也就越来越严格。 这是由于器
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 1  / 时长: 1秒  / 阅读: 328  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	硅片热处理夹具和硅片热处理方法	2018-08-21
	点击查看更多硅片热处理夹具和硅片热处理方法精彩内容。
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 14  / 时长: 1秒  / 阅读: 323  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	硅片清洗原理与方法介绍	2018-08-21
	硅片清洗原理与方法介绍1 引言硅片经过切片、倒角、研磨、表面处理、抛光、外延等不同工序加工后，表面已经受到严重的沾污， 清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、 金属离子以及有机物等污染。2 硅片清洗的常用方法与技术在半导体器件生产中，大约有 20％的工序和硅片清洗有关，而不同工序的清洗要求和目的也是各不相同的，这就必须采用各种不同的清洗方法和技术手段，以达到清洗的目的。由于晶盟现有的清洗设备均为
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 7  / 时长: 1秒  / 阅读: 534  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	硅片清洗过程	2018-08-21
	太阳能电池硅片清洗过程制绒 -扩散 -刻蚀 -清先 去 PSG-沉积减反射膜 -丝网印刷 -烧结 -分选 -组装以下为制绒工艺1、去损伤层目的用高温 NaOH 或 KOH 去除硅表面的切割损伤层，划痕、手印、杂质等要求浓度 20，温度 80C，时间 5min 达到硅片表面减薄 10-20μ m 注意事项 1、浓度保证为 20，要求有补液槽，补充每次清洗的消耗。2、 80C 温度要
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 5  / 时长: 1秒  / 阅读: 466  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	硅片切割中切斜问题分析	2018-08-21
	硅片切割中切斜问题分析任军海 龙 峰（英利能源控股有限公司 河北 保定 071000 ）摘 要 在硅片切割过程中，经常出现切斜的现象，大大影响硅片合格率。硅片切斜的原因多种多样，通过从钢线、导轮、砂浆等不同的方面进行切斜分析。在以后的生产中，从而可以更好地减少切斜问题的出现。关键词 硅片切斜；导轮；砂浆；钢线中图分类号 TG661 文献标识码 A 文章编号 1671－ 75
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 1  / 时长: 1秒  / 阅读: 411  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	硅片少子寿命变化	2018-08-21
	一般而言 ,硅片的厚度会影响到少子寿命的测量 .由于样品表面存在复合中心 ,这些复合中心会使有效寿命降低 . 硅片如果太薄 ,少子就会扩散到表面进行复合 ,从而导致寿命降低 对于高质量的硅片尤其重要 .,为了避免这种现象发生 ,通常采用碘酒钝化表面 ,.但碘酒钝化的表面复合速率大概也在 20-200cm/s, 也并不是不存在影响 . 据我了解最佳为 2mm 薄片，每减少 0.1mm，相应的少
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 1  / 时长: 1秒  / 阅读: 454  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	硅片清洗原理与方法综述(20180720141149)	2018-08-21
	收稿日期 1999- 07- 12硅片清洗原理与方法综述刘传军 赵 权 刘春香 杨洪星电子四十六所 , 天津 300220摘要 对硅片清洗的基本理论 、 常用工艺方法和技术进行了详细的论述 , 同时对一些常用的清洗方案进行了浅析 , 并对硅片清洗的重要性和发展前景作了简单论述 。关键词 硅片 清洗 湿法化学清洗中图分类号 TN 30512 文献标识码 A 文章编号 1
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 7  / 时长: 1秒  / 阅读: 1602  / 下载价格: 3 金币 / 评价: