硅片技术规格(125×125mm)

硅片技术规格（ 125× 125mm）特性 规格 说明 抽测比率生长方式 CZ 不得使用物理提纯法的硅 料每根棒子抽测 20片，其中若有一片不合格，加抽 20 片晶向 ± 1°型号 /掺杂剂 P/B 氧含量 ≤ 1.0× 1018/cm3碳含量 ≤ 5.0× 1016/cm3电阻率 1.0— 3.0Ω ?㎝ 单片电阻率不均匀性 ＜ 10％少子寿命 ≥ 1.3μ s 裸片数据几何尺寸外形 准方中心厚度 200± 20μ m TTV ≤ 30μ m 边长 （开方尺寸） 125± 0.3mm 直径 150± 0.3 mm 弦长 83± 0.8mm、 30± 0.8mm Lmax－ Lmin ＜ 1mm 线痕 深度＜ 15μ m 外观质量表面干净， 不得有孪晶、裂纹、缺角、气孔、未滚圆边缘崩边 不允许崩边深度≤ 0.3mm，长度≤0.8mm，单片崩边数量≤ 2个，不允许有“ V”形缺口的，可以放入 B 类品中翘曲度 ≤ 75μ m 单晶硅棒参数1、圆棒（每根硅棒在头尾各取 2mm 左右的样片） ：项目 要求 说明直径 ≥ 153mm 电阻率 1.0— 3.0Ω ?㎝少子寿命 ≥ 1.3μ s 裸测数据导电类型 P 2、方棒：项目 要求 说明外形 准方直径 150± 0.3 mm 开方尺寸 125× 125± 0.3mm 弦长 83± 0.8mm、 30± 0.8mm Lmax－ Lmin＜ 1mm 表面 光滑，无刀痕、划痕、暗 裂、崩边 若有磨不去的刀痕、划痕、暗裂、崩边等 情况，其长度在合格长度中减去