简介：文件编号 1/5 江苏宇兆能源科技有限公司Jiangsu ST Solar Co.,Ltd. 晶体硅多晶硅片检验作业指导书本文件由江苏宇兆能源科技有限公司版权所有，未经宇兆公司书面许可，不得将本文件之全部或部分内容透露予无权阅读本文件之机构或个人。1. 目的规范多晶硅片检验项目和判定准则，指导多晶硅片进料检验作业流程，控制多晶硅片的品质，提供符合生产需求的原材料。2. 范围适用于正常购入及代加工的多晶硅片的检验判定3. 职责3.1 电池技术部负责编制多晶硅片技术要求。3.2 电池质量部负责下发受控多晶硅片技术要求文件至相关部门3.3 电池质量部负责根据技术要求编制多晶硅片检验标准3.4 电

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简介：单晶硅片技术标准1 范围1.1 本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2 本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。2 规范性引用文件2.1 ASTM F42-02 半导体材料导电率类型的测试方法2.2 ASTM F26 半导体材料晶向测试方法2.3 ASTM F84 直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法2.4 ASTM F1391-93 太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法2.5 ASTM F121-83 太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法2.6 ASTM F 1535 用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法3 术

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简介：硅片技术规格（ 125 125mm）特性 规格 说明 抽测比率生长方式 CZ 不得使用物理提纯法的硅 料每根棒子抽测 20片，其中若有一片不合格，加抽 20 片晶向 ± 1°型号 /掺杂剂 P/B 氧含量 ≤ 1.0 1018/cm3碳含量 ≤ 5.0 1016/cm3电阻率 1.0 3.0Ω ㎝ 单片电阻率不均匀性 ＜ 10％少子寿命 ≥ 1.3μ s 裸片数据几何尺寸外形 准方中心厚度 200± 20μ m TTV ≤ 30μ m 边长 （开方尺寸） 125± 0.3mm 直径 150± 0.3 m

简介：硅片力学性能及热膨胀系数的热稳定性研究作者 王晓燕 ， 翟秀静 ， 张廷安 ， 符岩 ， 郑双作者单位 王晓燕 ,翟秀静 ,张廷安 ,符岩 东北大学 ,辽宁 ,沈阳 ,110004 ， 郑双 沈阳航空工业学院 ,辽宁 ,沈阳 ,110032刊名 真空与低温英文刊名 VACUUM AND CRYOGENICS年，卷 期 2009,153被引用次数 2次参考文献 8条1. 王鸿芳 中国海洋一号电源系统设计与在轨性能评估 2003032. WANG X Y;GENG H B;HE S YEffect of Thermal Expansion Coeffici

简介：文件编号 SY-XX-X-01-X/V1.0 1/7 浙江尚源光伏科技有限公司Zhejiang Sunyouo Solar Co., Ltd. 文件类别 文件编号版本号 /发布日期 页数文件名称版本号 /日期 编写人 批准人 备注本文件由浙江尚源光伏科技有限公司版权所有，未经尚源公司书面许可，不得将本文件之全部或部分内容透露予无权阅读本文件之机构或个人。这是电子文件，影印版本未受控制。任何争议，以尚源公司文控中心的硬拷贝为准 。文件编号 SY-XX-X-01-X/V1.0 2/7 浙江尚源光伏科技有限公司Zhejiang Sunyouo Solar Co., Ltd. 晶体硅多晶硅片检验

简介：摘要硅片键合技术是指通过化学和物理作用将硅片与硅片、硅片与玻璃或其它材料紧密地结合起来的方法。硅片键合往往与表面硅加工和体硅加工相结合，用在 MEMS 的加工工艺中。常见的硅片键合技术包括金硅共熔键合、 硅 / 玻璃静电键合、 硅 / 硅直接键合以及玻璃焊料烧结等。 文中将讨论这些键合技术的原理、工艺及优缺点。关键词 MEMS、金硅共熔、阳极键合、硅硅直接键合、烧结文章编号 1006-883X（ 2002） 09-0002-05 文献标识码 A 中图分类号 TP205一、引言微机电系统 MEMS（ Micro-Electro-Mechanical Systems ）是微电子技术在精

简介：硅片加工损伤机理的压痕、划痕研究作者 郜伟 ， 张银霞 ， Gao Wei， Zheng Yin-xia作者单位 郑州大学机械工程学院 ,河南郑州 ,450001刊名 电子质量英文刊名 ELECTRONICS QUALITY年，卷 期 20088参考文献 17条1. Vodenitcharova T;Zhang L C A mechanics prediction of the behaviour of monocrystalline sillconunder nano-indentation [外文期刊 ] 2003122. Puttick K E;Whitmo

简介：硅片行业术语大全 中英文对照 A-HAcceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor. 受主 - 一种用来在半导体中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。受主原子必须比半导体元素少一价电子Alignment Precision - Displacement

简介：规格 156 mm对角线 200 mm硅片面积 238.95 cm2

简介：AuthorJunichi TakahashiKouichi YounoAgilent Technologies9-1 Takakura-Cho, Hachioji-ShiTokyo, 192-0033JapanAbstractA newly designed, high-sensitivity reaction cell induc-tively coupled plasma mass spectrometer ICP-MS wasused to determine trace metals in the presence of a highconcentration of silic

简介：XY-SC-BD-015*本规定盖有发行章才有效环境要求※室内无尘，温度在 23℃± 5℃，湿度在 50± 10取片※食指轻贴硅片随后中指也跟着轻贴将硅片向上抬起20mm左右※大拇轻贴硅片配和食指及中指一起夹住硅片将其向上抽出片架※右手拿取硅片及翻转检查硅片，左手收片（见图片1、 2）●检片时发现不良片时将其按类放置，收片累计 25张为止※整理（见图片 3）※旋转打开硅片检查（见图片 4）●旋转打开过程中发现不良，现将其上面好的片拿去叠放到底下，再去重复做上面的取片、检片步骤，补齐张数※旋转打开状态下翻过面来检查硅片（见图片 5）●发现不良，现将其上面好的片拿去叠放到

简介：硅片级可靠性测试 转）赵 毅，徐向明（上海华虹 NEC 电子有限公司，上海 201206 ）摘要介绍了硅片级可靠性之所以成为现在半导体工艺研发重要组成部分的原因。对硅片级可靠性所涉及的各个项目作了详细的介绍。同时，对各个项目的测试和评价方法也做了详细的分析。最后，对硅片级可靠性测试的发展方向做了分析。关键词硅片级；可靠性；测试中图分类号 TN304 文献标识码 A 文章编号 1003-353X200411-0005-03 Wafer Level Reliability Test ZHAO Yi ， XU Xiang-ming Shanghai HuaHong NEC Ele