硅片技术标准

单晶硅片技术标准1 范围1.1 本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2 本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。2 规范性引用文件2.1 ASTM F42-02 半导体材料导电率类型的测试方法2.2 ASTM F26 半导体材料晶向测试方法2.3 ASTM F84 直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法2.4 ASTM F1391-93 太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法2.5 ASTM F121-83 太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法2.6 ASTM F 1535 用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法3 术语和定义3.1 TV ：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；3.2 TTV ：总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片 5 点厚度：边缘上下左右6mm 处 4 点和中心点）；3.3 位错：晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷；3.4 位错密度： 单位体积内位错线的总长度 (cm/cm 3)， 通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示；3.5 崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；3.6 裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；3.7 四角同心度：单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。3.8 密集型线痕：每 1cm 上可视线痕的条数超过 5 条4 分类单晶硅片的等级有 A 级品和 B 级品，规格为： 125′ 125 Ⅰ (mm) 、 125′ 125 Ⅱ (mm) 、 156 ′ 156(mm) 。5 技术要求5.1 外观见附录表格中检验要求。5.2 外形尺寸5.2.1 方片 TV 为 200± 20 um, 测试点为中心点；5.2.2 方片 TTV 小于 30um ，测试点为边缘 6mm 处 4 点、中心 1 点；5.2.3 硅片 TTV 以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的 15% ；5.2.4 相邻 C 段的垂直度： 90 o± 0.3 o；5.2.5 其他尺寸要求见表 1。表 1 单晶硅片尺寸要求规格（ mm ）尺寸（ mm）A（边长） B（直径） C（直线段长） D（弧长投影）Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. 125 ′ 125Ⅰ 125.5 124.5 150.5 149.5 83.9 81.9 21.9 20.2 125 ′ 125Ⅱ 125.5 124.5 165.5 164.5 108.8 106.6 9.4 7.9 156 ′ 156 156.5 155.5 200.5 199.5 126.2 124.1 15.9 14.9 注 1： A、 B、 C、 D 分别参见图 1。图 1 硅单晶片尺寸示意图5.3 材料性质5.3.1 导电类型：序号 硅片类型 掺杂剂1 N 型 磷 (Phosphorous) 2 P 型 硼 (Boron) 5.3.2 硅片电阻率：见下表；5.3.3 硅片少子寿命：见下表（此寿命为 2mm 样片钝化后的少子寿命）；5.3.4 晶向：表面晶向 +/-3.0 ° ；5.3.5 位错密度 ≤ 3000pcs/cm 2；5.3.6 氧碳含量：氧含量 ≤ 20ppma，碳含量 ≤ 1.0ppma。6 检测环境、检测设备和检测方法6.1 检测环境：室温，有良好照明（光照度 ≥ 1000Lux）。6.2 检测设备：游标卡尺（ 0.01mm ）、厚度测试仪 /千分表（ 0.001mm ）、水平测试台面、四探针测试仪、少子寿命仪、氧碳含量测试仪、光学显微镜、角度尺等。6.3 检测项目：导电类型、氧碳含量、单晶晶向、单晶位错密度、电阻率、少子寿命、外形尺寸。 6.4 检测方案：外观和尺寸进行全检，材料的性能和性质以单晶铸锭头尾部参数为参考，并提供每个批次硅片的检测报告。6.5 检验结果的判定检验项目的合格质量水平详见附录表 A《检验项目、检验方法及检验规则对照表》。7 包装、储存和运输要求7.1 每包 400 枚，每箱 6 包共 2400 枚。需提供明细装箱单，包装上要有晶体编号，清单和实物一一对应，每个小包装要有晶体编号，不同晶体编号放在同一包装要能明确区分开。7.2 产品应储存在清洁、干燥的环境中：温度： 10℃～ 40℃；湿度： ≤ 60%；避免酸碱腐蚀性气氛；避免油污、灰尘颗粒气氛。7.3 产品运输过程中轻拿轻放、严禁抛掷，且采取防震、防潮措施。检验项目检验要求检测工具抽样计划验收标准硅片等级A 级品 B 级品多晶硅片技术标准外观崩边 / 硅落崩边硅落长宽≦ 0.3mm*0.2mm不穿透。崩边长宽≦ 1mm*1mm不穿透。 硅落长宽厚≦1.5mm*1.5mm*100um。目 测粗糙度测试仪日光灯( ≥1000Lux)全检数量≤ 2 数量≤ 4切割线痕 线痕深度≦ 15um，但无密集线痕。 线痕深度≦ 30um。缺角 / 缺口缺口长宽≦ 0.2mm*0.1mm。无 V 型缺口、缺角长宽≦ 1mm*0.5mm，无可见有棱角的缺角，数量≤ 2。毛边 / 亮点长度≦ 10mm,深度不能延伸到硅片表面0.1mm。长不限 , 深度不能延伸到硅片表面 0.3mm。表面清洁度无油污，无残胶，无明显水迹。轻微可清洗的污迹可放行。如硅片之间的摩擦产生的印迹以及≦ 2 个针尖状的无凹凸的印迹。无成片的油污，残胶，水迹。划伤 无肉眼可见有深度感的划伤。日光灯下无明显深度感的划伤。其他无孪晶、 slip 、应力、裂纹、凹坑、气孔及明显划伤。无孪晶、 slip 、应力、裂纹、气孔及明显凹坑、划伤。尺寸规格 （㎜）寸尺电子卡尺万能角规切片前全检晶锭尺寸边长（㎜） 直径（㎜）其它尺寸（㎜）垂直度（ O）Max Min Max Min具体见上表 1 和图190± 0.3125′ 125Ⅰ125.5 124.5 150.5 149.5125′ 125Ⅱ125.5 124.5 165.5 164.5156′ 156 156.5 155.5 200.5 199.5TV 200± 20μ m（中心点） 200± 30μ m测厚仪/ 千 分表抽检TTV≤ 30μ m （中心 1 点和边缘 6mm位置 4 点）≤ 50 μ m翘曲度 ≤ 70μ m ≤ 100 μ m性能位错密度 ≤ 3000/cm2 ≤ 3000/cm2 显微镜截取晶锭头尾部 2mm样片进行测试 . 。退火后测电阻率。 钝化后测试少子寿命。导电型号 N 型 /P 型 N 型 /P 型 型号仪电阻率 0.5 Ω .cm— 3.5 Ω .cm / 1.0 Ω .cm— 3.0 Ω .cm电阻率测试仪氧含量 ≤ 20ppma FTIR 氧碳含量测试仪碳含量 ≤ 1.0ppma少子寿命 ≥ 100 μ s / ≥ 15 μ s 寿命测试仪1 范围1.1 本要求规定了多晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2 本要求适用于多晶硅片的采购及其检验。2 规范性引用文件2.1 ASTM F42-02 半导体材料导电率类型的测试方法2.2 ASTM F84 直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法2.3 ASTM F1391-93 太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法2.4 ASTM F121-83 太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法2.5 ASTM F 1535 用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法3 术语和定义3.1 TV ：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；3.2 TTV ：总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片 5 点厚度：边缘上下左右 4点和中心点）；3.3 崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；3.4 裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；3.5 四角同心度：多晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。3.6 密集型线痕：每 1cm 上可视线痕的条数超过 5 条4 分类多晶硅片的等级有 A 级品和 B 级品，规格为： 156mm ′ 156mm 。5 技术要求5.1 外观见附录表格中检验要求。5.2 外形尺寸5.2.1 方片 TV 为 200± 20 um, 测试点为中心点；5.2.2 方片 TTV 小于 30um ，测试点为边缘 6mm 处 4 点、中心 1 点；5.2.3 硅片 TTV 以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的 15% ；5.2.4 相邻 C 段的垂直度： 90 o± 0.3o。5.2.5 其他尺寸要求见表 1。表 1 多晶硅片尺寸要求规格（ mm ）尺寸（ mm）A（边长） B（对角线） C（直线段长） D（弧长投影）Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. 156 ′ 156 156.5 155.5 219.7 218.7 155.6 152.9 1.4 0.35 注 1： A、 B、 C、 D 分别参见图 1。图 1 硅多晶片尺寸示意图5.3 材料性质5.3.1 导电类型： P 型，掺杂剂： B，硼 (Boron) ；5.3.2 硅片电阻率：掺硼多晶片：电阻率为 1Ω· cm～ 3Ω· cm；5.3.3 多晶硅少子寿命 ≥ 2us；5.3.4 氧碳含量：氧含量 ≤ 12ppma，碳含量 ≤ 12ppma。6 检测环境、检测设备和检测方法6.1 检测环境：室温，有良好照明（光照度 ≥ 1000Lux）。6.2 检测设备：游标卡尺（ 0.01mm ）、厚度测试仪 /千分表（ 0.001mm ）、水平测试台面、四探针测试仪、少子寿命仪、氧碳含量测试仪、光学显微镜、角度尺等。6.3 检测项目：导电类型、氧碳含量、电阻率、少子寿命、外形尺寸。6.4 检测方案：外观和尺寸进行全检， 材料的性能和性质以多晶铸锭头尾部参数为参考， 并提供每个批次硅片的检测报告。6.5 检验结果的判定7 包装、储存和运输要求7.1 每包 400 枚，每箱 6 包共 2400 枚。需提供明细装箱单，包装上要有晶体编号，清单和实物一一对应，每个小包装要有晶体编号，不同晶体编号放在同一包装要能明确区分开。7.2 产品应储存在清洁、干燥的环境中：温度： 10℃～ 40℃；湿度： ≤ 60%；避免酸碱腐蚀性气氛；避免油污、灰尘颗粒气氛。7.3 产品运输过程中轻拿轻放、严禁抛掷，且采取防震、防潮措施。8．附录 A 《多晶硅片检验项目、检验方法及检验规则对照表》。注：本《多晶硅片技术标准》中未明示事项或对产品检验标准存在异议，均以附件《太阳能级多晶硅片国家标准》为准。 外观可以见 FTS 限度样本。检验项目检验要求检测工具抽样计划验收标准硅 片 等 级A级品 B 级品外观崩边 / 硅落崩边硅落长宽≦ 0.3mm*0.2mm不穿透。崩边长宽≦ 1mm*1mm不穿透。 硅落长宽厚≦ 1.5mm*1.5mm*100um目 测粗糙度测试仪日光灯( ≥全数量≤ 2 数量≤ 4切割线痕线痕深度≦ 15um，但无密集线痕。线痕深度≦ 30um。缺角 / 缺口缺口长宽≦ 0.2mm*0.1mm。 无 V型缺口、缺角长宽≦ 1mm*0.5mm，无可见有棱角的缺角，数量≤ 21000Lux) 检毛边 / 亮点长度≦ 10mm,深度不能延伸到硅片表面 0.1mm。长不限 , 深度不能延伸到硅片表面 0.3mm。表面清洁度无油污， 无残胶， 无明显水迹。轻微可清洗的污迹可放行。如硅片之间的摩擦产生的印迹以及≦ 2 个针尖状的无凹凸的印迹无成片的油污，残胶，水迹。划伤 无肉眼可见有深度感的划伤。 日光灯下无明显深度感的划伤。其他无应力、裂纹、凹坑、气孔及明显划伤，微晶数目≦10pcs/cm无应力、 裂纹、 气孔及明显凹坑、划伤，微晶数目≦ 10pcs/cm尺寸规格（㎜）尺寸电子卡尺万能角规全检晶锭尺寸边长 (mm) 直径 (mm) 倒角差㎜ 垂直度( O)Max Min Max Min0.5-2 90± 0.3156′ 156 156.5 155.5 219.7 218.7TV 200± 20μ m（中心点） 200± 30μ m测厚仪 / 千分表抽检TTV≤ 30μ m（ 中心 1 点和边缘 6mm4点）≤ 50 μ m翘曲度 ≤ 70μ m ≤ 100μ m性能导电型号 P 型 P 型 型号测试仪 测试晶锭头尾样片氧含量 ≤ 12ppmaFTIR 氧碳含量测试仪碳含量 ≤ 12ppma电阻率 1Ω .cm— 3Ω .cm 1Ω .cm — 3Ω .cm无接触电阻率测试仪全检晶锭性能少子寿命 ≥ 2 μ s扫描寿命测试仪