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简介:硅片行业术语大全 中英文对照 I-Z 硅片行业术语大全 中英文对照 I-ZIngot - A cylindrical solid made of polycrystalline or single crystal silicon from which wafers are cut. 晶锭 - 由多晶或单晶形成的圆柱体,晶圆片由此切割而成。Laser Light-Scattering Event - A signal pulse that locates surface imperfections on a wafer . 激光散射 - 由晶圆片表面缺陷引起的脉冲信号。Lay -
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简介:项目等级 缺陷类型 缺陷类型220μ m≤厚度≤ 225 μ m 崩边 深≤ 0.3 ㎜、长≤ 0.5 ㎜、数量≤ 2个(中心点测量值) 15μ m≤单面线痕≤ 20 μ m同一位置175μ m≤厚度≤ 180 μ m 双面线痕深度相加≤ 30 μ m 中心点测量值) 15μ m≤单面线痕≤ 20 μ m同一位置翘曲度 ≤ 30μ m 双面线痕深度相加≤ 30 μ m弯曲度 ≤ 100μ m 划伤 长≤ 0.2 ㎜、宽≤ 0.2 ㎜、数量≤ 2个电阻率 1Ω .cm-3 Ω *cm TTV ≤ 30μ m厚度公差 ± 20μ m 应力片 无总厚度变化 ≤ 30μ m 表面清洁度
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简介:硅片厚度对多晶硅太阳电池性能的影响摘要 为了进一步降低多晶硅太阳电池的成本, 研究了硅片厚度对多晶硅太阳电池的短路电流密度、 开路电压和效率的影响。 可以看出, 在保证多晶硅太阳电池性能不变或者提高的前提下,硅片厚度可以减小到 200μ m,如果继续减小厚度,电池的性能将会下降。1.引言 提高太阳电池的光电转换效率和降低成本是太阳电池研究的主要方向,薄膜太阳电池能够大幅度降低材料的用量, 是降低太阳电池成本最有效的手段。 多晶硅 mc-Si太阳电池在 2005 年的世界太阳能电池市场中占的份额是 58%。所以,在保证太阳电池性能不变甚至提高的前提下,减少 mc-Si 太阳电池硅片厚度对
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简介:1(六)设备部( 1 )公用工程分部( A难、 B易)一、填空题 共 20 题 B1. 大量悬浮物固体及漂浮物排入水体,形成水体外观恶化,污染物在水体表面聚积影响水体 复氧。A2. 废水处理方法从作用原理上分,可分为物理法、化学法、 物理化学法、生物法几种。A3. 在 BOD5/COD等于 0.5 条件下,采用微生物法优越。A4. 废水处理技术从实质上说主要有 分离与无害化技术 。B5. 活性污泥是人工培养的 生物絮凝体 。A6. 污泥处置的前处理主要有以下基本过程浓缩、脱水、 干化 。A7. 反渗透复合膜对余氯要求小于 0.
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简介:* 基金项目 国家自然科学基金项目 50390061; 上海市科委科研计划项目 0452nm013 1收稿日期 2005- 03- 14作者简介 王亮亮 1980 , 男 , 硕士研究生 , 主要从事单晶硅材 料 化 学 机 械 抛 光 相 关 实 验 研 究 1E-m ail wangll02ma ils1 tsinghua1edu1 cn1硅片化学机械抛光中表面形貌问题的研究 *王亮亮 1 路新春 1 潘国顺 1 黄 义 2 雒建斌 1 雷 红 3 11清华大学摩擦学国家重点实验室 北京 100084;21深圳清华大学研究院微纳工程实验室 广东深圳
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简介:硅片行业术语表(中英文对照)[hide][/hide] Acceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor . The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor . 受主 - 一种用来在半导体中形成空穴的元素,比如硼、铟和镓。受主原子必须比半导体元素少一价电子Alignment Precision - Displ
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简介:3.4.2 硅单晶棒的截断对硅单晶棒采用外圆切割( OD Saw) 、内圆切割( ID Saw)或带锯切割( Band Saw)技术截断目的主要是切除硅单晶棒的头(硅单晶的籽晶和放肩部分) 、尾及直径小于规格要求的部分;将硅单晶棒切割成切片机可以处理的长度晶棒段; 对硅单晶棒切取样品,以检测其电阻率、氧 / 碳含量、晶体缺陷等质量参数。随着 IC 工艺、 技术的不断发展, 大直径硅片的需求量增大,采用外圆切割或内圆切割已受到其刀片直径尺寸、 机械强度等限制, 为了提高晶棒截断加工精度和减少切口材料的损耗。 在直径大于 200mm以上的抛光片生产中, 将广泛采用带锯切割技术进行截断加工。3.4
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简介:硅片等级和硅片出现问题解决方案硅片等级分类及标准一、优等品1硅片表面光滑洁净。2 TV 220± 20μ m。3几何尺寸边长 125± 0.5mm;对角 150± 0.5mm、 148± 0.5mm、 165± 0.5mm;边长 103± 0.5mm、对角 135± 0.5mm;边长 150± 0.5mm 、 156± 0.5mm、对角 203± 0.5mm、 200± 0.5mm。同心度任意两个弧的弦长之差≤ 1mm。垂直度任意两边的夹角 90°17
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简介:硅片行业术语大全(中英对照)2010-11-15 161900 来源互联网Acceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a freehole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valenceelectron than the semiconductor. 光伏网受主 - 一种用来在半导体中形成空穴的元素,比如硼、铟和镓。受主原子必须比半导体元素少一价电子 pv001.net Ali
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