简介：硅片为何要切边其实早期的硅片并不切边 ,但随着微电子业发展开始切边 ,原因如下 1, 微电子器件在晶圆上可以做 n 多个 ,需切割下来 ,而单晶硅生长是有晶向要求的 ,切割沿某一方向好切不乱裂 ,就是专业上称的解理面 .切边就告诉您解理方向 . 2, 硅片分 N 型和 P 型 ,有规范的切边还告知您它是 n 型电特性还是 p 型电特性 ,1 U x“ q3 e I0 O3, 现在微电子生产己经自动化 ,例如光刻的曝光若没有切边定位 ,那么掩膜版与晶片图型会相差 180 度或某种不定位置 ,生产效率会很低 ., 4, 硅片的用途很多 ,除了 n/p 还要有晶向 ,例如做 me

简介：1000 44.09354多晶硅片 156已知C 1.5 mm则小三角形腰为 1.06 mm小三角形面积为 0.5618 mm2多晶硅片面积为 24333.75 mm2 243.3375 cm2 399073.5硅片厚度 0.02 cm硅料密度 2.33 g/cm3每片硅片重量 11.33953 g成品率 出片数量 硅料价格 每片硅料成本 硅片价格 每片加工费0.92 40.56606 180 4.437206924 9 4.562793126 8.8 34.848 8.848

简介：序号 国内主流企业1 保利协鑫2 江西赛维 LDK太阳能高科技有限公司3 浙江昱辉阳光能源有限公司4 英利绿色能源控股有限公司5 常州天合光能有限公司6 河北晶龙集团7 新疆新能源股份有限公司8 大全新能源9 天威新能源10 晶科能源11 通威集团12 阿特斯13 江苏环太集团14 江苏中盛光电有限公司15 安徽新光太阳能科技有限公司16 江苏顺大集团17 精功绍兴太阳能技术有限公司18 江阴海润科技有限公司19 洛阳中硅高科技有限公司20 凤凰光伏21 西安龙基22 常州亿晶光电科技有限公司23 高佳太阳能24 天津市环欧半导体材料技术有限公司25 上海卡姆丹克太阳能科技有限公司26 上海

简介：2.3 硅片表面沾污杂质的来源和分类分类依据 沾污类别沾污杂质的形态 微粒型污质，膜层污染质吸附力的性质 物理吸附型杂质。化学吸附型杂质被吸附物质的存在形态 分子型，原子型，离子型吸附杂质物化性质 有机沾污，无机盐，金属离子（原子）和机械微粒等2.4 硅片清洗的一般程序杂质可以分为分子型，离子型和原子型三种情况。分子型大多为油脂类的杂质，有疏水性。 离子和原子型为化学吸附杂质， 其吸附力较强。 所以步骤为去分子→去离子→去原子→去离子水清洗。另外为了取出硅片表面的氧化层，常要增加一个稀氢氟酸浸泡步骤。3.1 湿法化学清洗利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反

简介：碳化硅微粉是最主要的用于多线切割机上的磨料之一， 适合于切割比较硬而且脆的材料。 线切割是由导轮带动细钢线高速运转， 由钢线带动砂浆形成研磨的切割方式。 在线切割机的切割过程中， 悬浮液夹裹着碳化硅磨料喷落在细钢线组成的线网上， 依赖于细钢线的高速运动，把研磨液运送到切割区， 对紧压在线网上的工件进行研磨式切割， 随着碳化硅磨料对工件的一次次刻划， 逐渐把多余的材料带走， 是一种类似于研磨的滚动刻划的方法， 这种机制也被称为自由研磨切割加工。切削的主要因素由悬浮液以及碳化硅组成的砂浆中碳化硅的切割能力、细钢线的张力、细钢线运行速度和工件进给速度 （工件紧压在细钢线上的下降速度） 是影响刻划

简介：硅片切割技术的工艺研究摘要 随着全球各国绿色能源的推广和近年来半导体产业的超常规发展， 硅片切割加工能力的落后和产能的严重不足已构成了产业链的瓶颈。 本文主要论述了硅片切割常用方法， 影响硅片切割的因素， 最常见的硅片切斜问题， 切割技术的发展趋势 多线切割技术等硅片切割的工艺问题。关键词 多线切割，因素，斜切0 引言硅片切割是电子工业主要原材料一硅片 晶圆 生产的上游关键技术，切割的质量与规模直接影响到整个产业链的后续生产。 在电子工业中， 对硅片的需求主要表现在太阳能光伏发电和集成电路等半导体产业上。随着人们环保意识的不断增强， 充分利用太阳的绿色能源被高度重视， 发展势头

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简介：铅 327 锡 232 铅锡合金 铅锑合金 以铅与锡为主要成份， 辅之锑 （增加硬度） 和其它微量金属合成的有色金属，呈白灰色，有光泽，质软，富延展性。铅锡合金的熔点约为 200～ 320℃；浇铸温度为 380～ 480℃之间ＤＺ１∶ＤＺ２∶水＝５～１５∶１～１０∶１００；其中ＤＺ１由如下摩尔比的组分组成烷基苯磺酸钠∶五水偏硅酸钠∶焦磷酸四钾∶聚乙烯醇∶聚乙二醇∶水＝５∶７∶３∶７∶６∶７２；ＤＺ２由如下摩尔比的组分组成 氢氧化铵∶双氧水∶水＝５∶１５∶８０。 本发明使用方法如下将切割后的单晶硅片放在清洗剂中进行超声波清洗，其清洗时间为５分钟－２０分钟，清洗温度为４０

简介：太阳能硅片的清洗工艺1. 药槽清洗液最佳配比确定由以上实验数据分析 , 在清洗剂浓度较低时 , 不能达到良好的清洗效果 , 切割过程中吸附到 Si 片表面的砂浆等沾污依然停留在 S i 片表面。提高清洗剂用量 , 砂浆残留的片数减少 , 但是持续加大清洗剂用量 , 又会造成新的污染 , 即清洗剂残留， 和砂浆残留一样 , 会影响 Si 片的质量。 因此选择其中效果最好的配比为 2.0L 。2．药槽清洗温度的确定药槽清洗温度设置与表面活性剂的性质密切相关， 这是因为在低温时非离子表面活性剂与水完全混溶 , 亲水基聚氧乙烯与水形成的氢键能量低 , 随着温度升高分子热运动加剧氢键被破坏 , 导

简介：硅片切割液回收方法多线切割是切割大直径硅单、多晶棒非常有效的方法之一。近几年异军突起的多线切割机 简称线锯 以其极高的生产效率和出片率，在大直径硅片加工领域有逐渐取代内圆切割机的趋势。多线切割机将金属线缠绕在导线轮上，驱动导线轮和单晶棒作相对运动，砂浆磨削、冷却达到磨切晶片的目的。经过近 30 年的完善和提高，多线切割机日渐成熟，目前的产品己经是第六或第七代。我国通过技术引进，多线切割技术的应用也越来越广泛。多线切割中使用的是一种具有流动性的混合研磨剂 砂浆，其作用在切割过程中非常重要。砂浆是被往复运动的线带到切割区，被带入的砂浆量的多少以及切割速度的高低决定硅片的切割质量。该切

简介：硅片加工发展调研科技发展对硅片的新的要求1） 从成本造价上考虑， 目前在太阳电池成本中硅片几乎占了的成本 ,为提高光电转换效率 ,降低生产成本提高原材料利用率 ,太阳能级硅片必然向 超薄方向 ,大直径方 向发展 ,而且急需准方形硅片。2） 从加工精准度考虑， 90以上的半导体器件和电路 ,尤其是大规模集成电路、 超大规模集成电路和甚大规模集成电路都是制作在高纯优质的硅单晶抛光片和外延片上的。而硅片的加工是作为此技术中最基本的工序 ,它对以后的工序 外延、 氧化、 扩散、 腐蚀、 钝化、 光刻等 有至关重要的作用。在硅片加工的过程中 ,必须达到以后工序所要求的 平坦度、平行度、弯曲度、翘

简介：RCA 标准清洗法是 1965 年由 Kern 和 Puotinen 等人在 N.J.Princeton 的 RCA 实验室首创的，并由此而得名。 RCA 是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液。（ 1） SPM H2SO4 /H2O2 120 ～ 150 ℃ SPM 具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成 CO 2 和 H2O。用 SPM 清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。（ 2） HFDHF HFDHF 20～ 25℃ DHF 可以去除硅片

简介：第 35 卷 第 5 期 硅 酸 盐 通 报 Vol ． 35 No． 52016 年 5 月 BULLETIN OF THE CHINESE CEＲ AMIC SOCIETY May， 2016硅片切割废砂浆的资源化利用现状侯思懿 ， 铁生年（ 青海大学新能源光伏产业研究中心 ， 西宁 810016）摘要 文中概述了近几年硅片切割废砂浆的资源化利用现状 ， 涉及的回收技术包括聚乙二醇回收 、 硅的直接回收 、硅的间接回收 、 碳化硅回收及切割废砂浆的直接回收 。 通过分析资源化利用存在的问题 ， 指出以切割废砂浆为原料的直接回收技术不失为一种较好的大规模回收方法 。关键词 硅片 ；