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简介：未检验 合格片 不合格旭阳雷迪 多晶 A级 2013-12-2 190000 190000 0 0 190000环太 多晶 A级 2013-12-2 429600 429600 0 0 429600环太 多晶 A级 2013-12-3 50600 50600 0 0 50600环太 多晶 A级 2013-12-3 11000 11000 0 0 11000环太 多晶 A级 2013-12-3 8800 8800 0 0 8800旭阳雷迪 多晶 A级 2013-12-3 126082 126082 0 0 126082旭阳雷迪 多晶 A级 2013-12-3 76924 76924 0 0 7

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简介：一、硅片生产主要制造流程如下切片→倒角→磨片→磨检→ CP→ CVD→ ML→最终洗净→终检→仓入二、硅片生产制造流程作业1. 硅棒粘接用粘接剂对硅棒和碳板进行粘接，以利于牢固的固定在切割机上和方位角的确定。2. 切片 Slice 主要利用内圆切割机或线切割机进行切割， 以获得达到其加工要求的厚度， X、 Y方向角， 曲翘度的薄硅片。3. 面方位测定利用 X 射线光机对所加工出的硅片或线切割前要加工的硅棒测定其 X、 Y方位角， 以保证所加工的硅片的 X、Y方位角符合产品加工要求。4. 倒角前清洗主要利用热碱溶液和超声波对已切成的硅片进行表面清洗，以去除硅片表面的粘接剂、有机

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简介：太阳能硅片切割液废砂浆是切割液（ PEG ）和砂浆的混合物，目前主要依靠离心和沉降两种回收技术， 对废砂浆进行处理， 回收其中的切割液和碳化硅微粉，返回到太阳能线切割机重新使用。由于太阳能行业的特殊性，硅片加工对于切割力和硅片表面都有很高的技术要求， 因此对切割液和碳化硅微粉的要求相应也很高， 质量要稳定可靠。目前，国内使用的切割液和碳化硅微粉在线切割过程中，砂浆中不可避免的会混入硅粉、铁、高聚物等杂质，部分碳化硅微粉也会因切割作用而出现破损，产生的废砂浆很难继续使用。利用沉降离心、化学清洗、絮凝过滤、精馏、萃取、旋风分级等分离原理和方法， 将废砂浆中杂质和水分去除， 可以得到优质合格的切割

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简介：硅片领用流程 文件编号 QEH-2011-PD1-I203A 编制部门生产制造部 第 1 页 发布日期 2011 年 7 月 22 日硅片领用流程文件编号 QEH-2011-PD1-I203A 文件版本 V1.0 编制部门生产制造部发布日期 2011 年 7 月 22 日受 控 文 件发放部门 发放序号发放日期 2011 年 7 月 22 日硅片领用流程 文件编号 QEH-2011-PD1-I203A 编制部门生产制造部 第 2 页 发布日期 2011 年 7 月 22 日硅片领用流程 文件编号 QEH-2011-PD1-I203A 编制部门生产制造部 第 3

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简介：废砂浆回收一种硅片切割废砂浆分离提纯方法，其特征在于该方法包括以下步骤步骤一、 废砂浆固液分离 采用加热设备在搅拌状态下对被处理废砂浆进行加热，直至将被处理废砂浆加热至 50 ℃～ 80℃；之后，采用泵送设备将加热后的废砂浆泵送至固液分离装置进行固液分离， 并获得液体分离物和滤饼层； 随后，采用泵送设备向固液分离装置内泵送入温度为 50 ℃～ 80℃的热水对所述滤饼层进行冲洗， 且对冲洗水进行收集， 所泵送热水的体积为液体分离物体积的 1 倍～8 倍；冲洗结束后，获得固体分离物和由所述液体分离物和所收集冲洗水组成的混合液一；步骤二、 PEG 分离及回收，其分离及回收过程如下 201、三

简介：- 9 -第 10 卷第 03 期封 装 、 组 装 与 测 试硅片减薄技术研究木瑞强，刘 军，曹玉生（北京微电子技术研究所，北京 100000）摘 要集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展，为满足 IC 封装要求，越来越多的薄芯片将会出现在封装中。此外薄芯片可以提高器件在散热、机械等方面的性能，降低功率器件的电阻。因此，硅片减薄的地位越来越重要。文章简要介绍了减薄的几种方法，并对两种不同研磨减薄技术的优缺点进行了对比。此外，从影响减薄质量的因素如主轴转速、研磨速度及所使用的保护膜等几方面进行了实验的验证，分析了不同参数对质量的影响效果。并根

简介：硅片加工技术链接 www.china-nengyuan.com/baike/1690.html硅片加工技术内容简介硅片加工技术在介绍半导体硅的物理、化学和半导体性质的基础上，全面、系统地介绍了满足集成电路芯片工艺特征尺寸线宽 0.13 ～ 0.10um工艺用优质大直径硅单晶、抛光片以及用于制备硅太阳能电池的硅晶片的制备技术、工艺、设备和相关国内外标准。硅片加工技术可供致力于从事半导体材料硅晶片加工技术工作领域的科技人员、工程技术人员、工人阅读参考，也可供企业管理人员或在校学生和热爱半导体材料硅的各界人士参考。编辑推荐硅片加工技术是由化学工业出版社出版的。目 录第一篇 基础知

简介：硅片经过不同工序加工后， 其表面已受到严重沾污， 一般讲硅片表面沾污大致可分在三类A. 有机杂质沾污 可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。B. 颗粒沾污 运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μ m颗粒，利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μ m颗粒。C. 金属离子沾污必须采用化学的方法才能清洗其沾污。硅片表面金属杂质沾污有两大类a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污。a. 使用