简介：No. 中文 英文1 英文21 规格 硅片尺寸 Wafer size2 导电类型 Conductivity type3 电阻率 Resistivity4 氧含量 Carbon content5 碳含量 Oxygen content6 少子寿命 Lifetime7 硅片厚度 Center Thickness8 直角偏差 Angle between square sides9 总厚度偏差 TTV10 刀痕 Saw mark11 弯曲度 BOW12 翘曲度 Warp13 边缘缺角 Edge Defects14 翘曲度 Warp15 边缘缺角 Edge Defects

简介：硅片产品规格说明书一、目的和用途加强对硅片的供方管理和质量管理二、适用范围适用于 125 125 单晶， 156 156 多晶硅片三、各项指标项目 方法 标准 工具外包装SF/03-JY-026 外包装完整，防摔、污、潮的措施完备 目测外形尺寸125 125 或 156 156 见方尺寸允许误差± 0.5mm 硅片对角线误差± 0.5mm 所检每片硅片的平均厚度 ≥ 170μ m MS-203 所检每片硅片的平均厚度值基本尺寸± 20μ m 所检硅片总体平均值允许误差± 10μ m 硅片（同一片

简介：3） 硅片定位边或定位槽 在硅锭上做一个定位边来标明晶体结构和硅片的晶向。主定位边标明了晶体结构的晶向，如图 2.12 所示。还有一个次定位边标明硅片的晶向和导电类型。 六吋以下的硅片都是如此定位的。 八吋及以上的硅片已采用定位槽， 具有定位槽的硅片在硅片背面靠近边缘的区域有激光刻上的关于硅片的信息。如图 2.13 所示。硅片的晶向是指与硅片表面垂直的方向，如 N硅片，其与硅片表面垂直的晶向就是 晶向，定位边只是一种标识，是一种行业的规定，用来表示该硅片是那种类型（ P 型或 N 型）及其晶向的，本身的方向与硅片晶向无关。

简介：利用湿法刻蚀在硅片加工出 V 形槽条纹1 刻蚀原理硅的湿法刻蚀是指利用含有腐蚀剂的溶液对硅进行腐蚀 , 可分为各向同性腐蚀技术和各向异性腐蚀技术。各向同性腐蚀是指各个晶向上的腐蚀速率相同 , 衬底和表面取向的不同对腐蚀速率的影响不大。 各向异性腐蚀是指硅的不同晶面在某些特定的腐蚀液中被刻蚀的速率不同 , 导致各个晶向的腐蚀速率不同。现出结构边缘平滑的现象。各向同性腐蚀液常用 HF、 HN O 3 和 H2OCH3COOH , 用这些腐蚀液很难实现选择性腐蚀 , 并且很难能找到能够长时间承受腐蚀的材料。 各向异性腐蚀液包括无机腐蚀剂和有机腐蚀剂两种 , 其中无机腐蚀剂为 NH 4OH、 K

简介：硅片加工技术1. 硅的主要性质 原子序数 14、 现对原子质量 08.28 、 晶体结构 金刚石结构、 熔点℃1420 、颜色银白色。2. 硅片按生产工艺分为切割片、研磨片、化腐片和抛光片。3. 硅片加工第一道工序定向、滚磨开方。4. 滚磨开方的设备单晶切方滚磨机、带锯、线锯。5. 硅单晶主参考面方位的确定方法光图定向法和晶棱连线法。6. 硅单晶定向切割可分为多线切割和内圆切割。7. 硅片的研磨方式有单面研磨和双面研磨。8. 硅片抛光的方法分为 机械抛光、 化学抛光、 化学机械抛光、最常用的方法是化学机械抛光。9. 吸附分为化学吸附和物理吸附。10. 环境洁净度等

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简介：硅片腐蚀和抛光工艺链接 www.china-nengyuan.com/baike/2275.html硅片腐蚀和抛光工艺硅片腐蚀工艺的化学原理硅表面的化学腐蚀一般采用湿法腐蚀，硅表面腐蚀形成随机分布的微小原电池，腐蚀电流较大，一般超过 100A/cm2，但是出于对腐蚀液高纯度和减少可能金属离子污染的要求，目前主要使用氢氟酸（ HF），硝酸（ HNO3）混合的酸性腐蚀液，以及氢氧化钾（ KOH）或氢氧化钠（ NaOH）等碱性腐蚀液。现在主要用的是 HNO3-HF腐蚀液和 NaOH腐蚀液。下面分别介绍这两种腐蚀液的腐蚀化学原理和基本规律。1.HNO3-HF腐蚀液及腐蚀原理通常情况下，硅的腐蚀液包

简介：Acceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor. 受主 - 一种用来在半导体中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。受主原子必须比半导体元素少一价电子Alignment Precision - Displacement of patterns that occur

简介：4” ,5 ” ,6 ”硅抛光片工艺流程切片切片清洗边缘倒角倒角清洗激光刻字磨片磨片清洗酸腐蚀背损伤背损伤清洗厚度分选单晶粘接酸腐蚀清洗用专用胶将进口的单晶棒粘在石墨条上用切片机进行切片用清洗机清洗清洗硅片用倒角机对硅片边缘进行倒角（或称园边处理用清洗机清洗倒角后的硅片用激光刻字机按客户要求刻上硅片标记用磨片机对硅片两面进行机械研磨， 去除切片损伤层用清洗机对研磨后的硅片进行研磨用背损伤机对硅片背面进行打毛处理， （硅片外吸杂）用清洗机对打毛后的硅片进行清洗用自动酸腐蚀机对硅片两面进行化学腐蚀用清洗机对腐蚀后的硅片进行清洗用厚度分选机对硅片按厚度分选， 便于磨片分盘研磨AP－ CVD 粘片精

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简介：硅片等级分类及标准链接 www.china-nengyuan.com/tech/17054.html 硅片等级分类及标准一、优等品1硅片表面光滑洁净。2 TV 220± 20μ m。3几何尺寸边长 125± 0.5mm；对角 150± 0.5mm、 148± 0.5mm、 165± 0.5mm；边长 103± 0.5mm、对角 135± 0.5mm；边长 150± 0.5mm 、 156± 0.5mm、对角 203± 0.5mm、 200± 0.5mm。同心度任意两个弧

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简介：黄色粗体部分不能修改参数硅料成本硅密度 2.33 g/cm 3 酸洗硅料损耗率 2硅片尺寸 156 mm 切片良率 921Kg 硅棒长度 17.6 mm硅片厚度 190 um钢线直径 120 um沙损 38 um线轮槽距 348 um 1kg 硅料可出良品数 46 pcs/kg硅料成本 41.0 USD/kg 不含税 含税原生多晶硅料价格 48 USD/kgUSDCNY汇率 6.376 配料系数 0.95配料后硅料成本 249 CNY/kg 硅片硅料成本 5.4 CNY/pc新料硅料成本 262 CNY/kg加工成本铸锭 0.6 CNY/pc 0.6 27.414529