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简介：半导体工艺化学实验报告实验名称 硅片的清洗实验目的 1. 熟悉清洗设备2. 掌握清洗流程以及清洗前预准备实验设备 1. 半导体兆声清洗机（ SFQ-1006T）2.SC-1 ； SC-2 实验背景及原理清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导；碱金属如钠等，引起严重漏电；颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等，会导致各种缺陷。清除污染的

简介：LE 1000-2 电子厚度测定仪采用最新测量技术特点最新式的高精度内部光学测量仪器。通过电缆释放装置（ cable release）或空气压力连接柱塞驱动。适用于薄膜厚度、位移、位置及尺寸的精确测量。 LE 1000-2 是大部分测量应用的理想仪器。系统特点及优势系统高精度优于 ± 0.2 μ m 固钢支架直径 80mm 的坚固钢圈及铸钢基座，适用于精确的重复测量。线性贯穿整个 12mm 或 25mm 的测量范围。操控简便提供控制器的用户友好设置界面，可设置单位及其它特性。压强极低 LE 1000-2 的修正版本可提供“最低压强” ，适用于薄膜厚度测定RS-232 输

简介：硅片行业分析报告内容目录1. 硅片制备环节复杂，大硅片是未来主要发展方向 41.1. 芯片工艺流程复杂，硅片制备是基础步骤 41.2. 硅片制备环节所用设备众多 . 51.3. 硅片尺寸加大和增加外延层是未来发展方向 . 92. 硅片厂快速扩产，国内投资风起云涌，设备投资需求巨大 . 102.1. 全球半导体行业高度景气，大基金加持国内投资快速增加 . 102.2. 全球硅片供不应求，需求持续增加而产能增加缓慢 . 122.2.1. 未来三年 300mm 硅片产能缺口将持续 . 132.2.2. 200mm 硅片处于供给紧平衡状态 . 152.3. 国内硅片投资风起云涌，设备需求巨大

简介：在半导体材料硅的表面清洁处理， 硅片机械加工后表面损伤层的去除、 直接键合硅片的减薄、 硅中缺陷的化学腐蚀等方面要用到硅的化学腐蚀过程。 下面讨论硅片腐蚀工艺的化学原理和抛光工艺的化学原理。一、硅片腐蚀工艺的化学原理硅表面的化学腐蚀一般采用湿法腐蚀， 硅表面腐蚀形成随机分布的微小原电池， 腐蚀电流较大， 一般超过 100A/cm2， 但是出于对腐蚀液高纯度和减少可能金属离子污染的要求，目前主要使用氢氟酸（ HF） , 硝酸 HNO3 混合的酸性腐蚀液，以及氢氧化钾 KOH或氢氧化钠（ NaOH）等碱性腐蚀液。现在主要用的是 HNO3-HF 腐蚀液和 NaOH 腐蚀液。下面分别介绍这两

简介：光为绿色新能源有限公司硅片检验标准编号 LW-BZ-009-A1 版本 A/1 版受控状态编制部门技术中心发放编号编制 日期审核 日期批准 日期发布日期 实施日期A/1 版文件更改申请单编号 LW-CX-001-A1-03 文件名称 硅片检验标准 文件编号 LW-BZ-009-A1 申请部门 铸切技术部 申请人 王伟批准人 批准日期更改原因1、明确断线移动或类似操作导致的硅片明暗区间判定标准2、变更硅片尺寸范围3、增加硅片表面洁净度要求4、修改崩边要求更改前内容及条款1、 无2、 156-156.7 3、 无4、 B片中崩边要求为 length ≤ 1.5m

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简介：从 A 到 Z，讲述硅片行业专业知识中英文对照Acceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor. 受主 - 一种用来在半导体中形成空穴的元素， 比如硼、 铟和镓。 受主原子必须比半导体元素少一价电子Alignment Precision - Displa

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简介：Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｖｏｌ． ２９ Ｎｏ． １１Ｎｏｖｅｍｂｅｒ ２００４ 5１ 引 言硅片级可靠性 测试最早是为了实现内建 可靠性而提出的一种测试手段 ［１］因此 工艺工程师在调节了工艺后实时地了解工艺调节后对可靠性的影响如今 所以同时这也为业界广泛接受而且不定时的更新其内容电迁移天 线 效 应用于工艺开发的 Ｗ Ｌ Ｒ 的流程主要如下制定一个 Ｗ Ｌ Ｒ 计划样品数 Ｌ ｏ ｔ 数等比如说电迁移中器件使用温度等如果是用斜坡电压法则要求测试面积大于１ ０ ｃ ｍ ２ Ｄ ０ 如果是用恒定电压法在评价热载流子效应时下面详细介绍一下各个项目电 迁 移Ｅ Ｍ电