G7型铸造多晶硅底部阴影的形成分析和改善研究

技术总结： 造成大热场G7晶锭底部阴影主要由于底部长晶速率过快和底部温度过低对流较弱； 对于晶锭底部长晶速率在9.82mm·h-1以下，可较好将粒径3 μm及以下Si3N4/SiC颗粒推进在硅液内部而不成为夹杂且底部温度较高对流较强，晶锭底部无阴影； 底部长晶速率超过9.82mm·h-1，长晶阶段不能完全将颗粒粒径2-3μm的Si3N4/SiC颗粒推进到硅液内部中，造成晶锭底部阴影； 对大热场G7炉，降低晶锭底部长晶速率可消除底部阴影，还可改变热场结构提升晶锭底部温度增强底部对流来消除底部阴影。本文热场F可较好消除底部阴影。