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简介：硅片 TUNER在 PC-TV上的应用摘要 本文介绍一款 USB接口的 AD电视接收盒的设计， 该设计采用小尺寸的硅片 TUNER与 EM2880芯片方案有机组合，实现了一款小巧便携的 USB电视接收盒，此电视盒安装极为方便， 只要将所配的 USB 电缆直接插到台式或笔记本电脑上的 USB 口即告完成， 笔记本电脑可以籍此成为一台集移动电视，移动录像机和 VCD/DVD 节目制作功能为一体的数字视频设备。关键词 PC-TV USB接口 模块功能1 引言在电脑上收看和录制电视节目是对用电视机看电视、 用录像机录制电视节目方式的一种有效补充， 可以在没有电视机的办公室等环境下收看

简介：Date 2010/02/04不合格樣品參考圖片 / 定義Chips缺口 / 崩邊No V-type sharpchipLength of edge chip≦ 5mm,Depth ≦ 0.5mm,No. of chip ≦ 3ICOS PV WaferInspectorSaw mark切割線痕 ≦ 15μ m Depth1. 目視檢驗2. 使用 SJ-201 量測Crack and pinholes裂痕與針狀列口None不可有ICOS MicrocrackInspectorMicro-crackInclusionsSurfaceCleanliness表面潔淨度As cut a

简介：BA A2 B1、 B2、 B3 B71 导电类型 P P 硅片分选设 备 硅棒保证2 隐裂、针孔 无隐裂、无针 孔 无隐裂、无针孔 硅片分选设 备 抽检3 崩边长度≤ 1 mm，深度≤ 0.5mm，每片崩边总数≤ 2 处；长度≤ 1 mm，深度≤ 0.5 mm，每片崩边总数≤3处；B1 1mm＜崩边长度≤ 5mm， 1mm＜深度≤ 2mm，1＜崩边总数≤3目测 全检4 TTV ≤ 30 μ m ≤ 30 μ m B2 30 μ m＜TTV≤ 50 μ m； MS-202 抽检5 厚度 200± 20 μ m 200± 20 μ mB3 厚度偏差超过

简介：硅片参考面晶向 X 射线测试方法编制说明. 一 工作简况1. 任务来源根据原中国有色金属工业总公司中色协字 [200 ] 号文件下达制订国家标准GB/T13388-92 硅片参考面结晶学取向 X射线测试方法（以下简称参考面晶向测试方法）的任务，由有研半导体材料股份有限公司负责该标准的修订。2. 主要工作过程根据任务要求 2007 年 2 月开始修订硅片参考面结晶学取向 X射线测试方法标准，具体工作了解上目前使用的 X射线定向检测设备的情况。了解 SEMI相关的标准内容，并将 SEMIMF847-翻译成中文。对比 SEMIMF847- 与国标硅片参考面结晶学取向 X 射线测试

简介：1第一章 硅单晶生长和硅片准备 硅 Si 材 料 现 在 是 电 子 工 业 中 最 重 要 的 半 导 体 材 料， 因 此 VLSI 技 术 几 乎 完 全 以 硅 材 料 为 基 础。 “ silicon“ 这 名 称 来 源 于 拉 丁 语 “ silex“ 或 “ silicis “，意 思 是 燧 石。 地 壳 中 硅 含 量 丰 富 , 仅 次 于 氧， 达 25.7。 硅 材 料 中 一 些 最 有 用 特 性 的 参

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简介：检测项目 硅片厚度 A级片标准 物料编码 备注180um 任意点厚度在 180± 18um，95中心点厚度在 180± 10um 01190um 任意点厚度在 190± 18um，95中心点厚度在 190um± 10um200um 任意点厚度在 200± 18um，95中心点厚度在 200± 10um 02180um 任意点厚度在 180± 18um，95中心点厚度在 180± 10um 01195um 任意点厚度在 190± 18um，95中心点厚度在 190um± 10um 06

简介：硅单晶与硅片基础培训 2硅单晶的导电性能 1 物质的导电性 2 半导体的主要特性 3 半导体的导电性能浅释 4 PN 结 5 硅单晶导电类型1 物质的导电性电阻率标志物质对电流阻碍能力的物理量。规定以长 1cm，截面积为 1cm2 的物体在一定温度下的电阻值作为该物质在这个温度的电阻率。电阻率的单位是欧姆厘米，表示为 Ω .cm。导体、绝缘体和半导体导体 具有一定的晶体结构，有一定熔化、固化温度，有一定的光泽、颜色，由电子参与导电过程的固态物质 . 导体的电阻率很小，约为 10-6 10-4 Ω .cm。绝缘体 具有一定的结构形式，没有准确的熔化、固化温度，有明

简介：太阳能硅片表面等离子体清洗工艺硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法，它包括以下步骤首先进行气体冲洗流程，然后进行该气体等离子体启辉。 去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易， 清洗彻底，无反应物残留，所霈工艺气体无毒，成本低，劳动量小，工作效率高。等离子硅片清洗条件参数1、 硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法， 它包括以下步骤 首先进行气体冲洗流程，然后进行该气体等离子体启辉；所用气体选自 02、 Ar 、 N2 中的任一种；气体冲洗流程的工艺参数设置为腔室压力 10-40 毫托，工艺气体流量 100-500sccm，时间 1-5s;启辉过程的工艺参数设置为腔室压力 1040

简介：硅片的亲疏水处理方法[前言 ]当今社会已经进入了电子信息时代，微处理芯片的发明彻底改变了世界，微电子、 信息技术的水平已经被视为一个国家现代化水平高低的重要标志。 硅经过提纯加工成单晶硅片， 就是生产集成电路芯片的片基。 亲水性和疏水性是硅片的重要物理性质， 对硅片的后期加工起着重要的作用。 当硅片本身的亲疏水性无法达到加工制造的要求时， 就要对硅片进行亲疏水处理， 使其满足加工制造的要求。就次问题，我查阅了众多文献资料，现对硅片的亲疏水处理方法进行分析。[正文 ]硅是地壳中含量仅次于氢和氧的元素，它通常以化合物的形态存在于大自然中。 现代， 以硅为主的半导体材料已经是微电子信息产业和太阳能

简介：3SystemsPL2011.3PL-B56 3i SystemsConfidential3isystems 2PL B56PECVD3200Lx 1300WPL IRPL,50um 1500 /3i SystemsConfidential3isystems 364PL IR800Lx 800W 600L x 600W50um300um 1500 / 1500 /3i SystemsConfidential3isystems 4Item Specificationlity Productivity 1500 p

简介：The RCA clean is a standard set of wafer cleaning steps which needs to be performed before high temp processing steps oxidation , diffusion , CVD of silicon wafers in semiconductor manufacturing. RCA cleaning includes RCA-1 and RCA-2 cleaning procedures. RCA-1 involves removal of organic con

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