简介：1第一章 硅单晶生长和硅片准备 硅 Si 材 料 现 在 是 电 子 工 业 中 最 重 要 的 半 导 体 材 料， 因 此 VLSI 技 术 几 乎 完 全 以 硅 材 料 为 基 础。 “ silicon“ 这 名 称 来 源 于 拉 丁 语 “ silex“ 或 “ silicis “，意 思 是 燧 石。 地 壳 中 硅 含 量 丰 富 , 仅 次 于 氧， 达 25.7。 硅 材 料 中 一 些 最 有 用 特 性 的 参

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简介：第四章 硅的体单晶生长和硅片加工193 第四章 硅的体单晶生长和硅片加工4． 1 概述如果认为硅的提纯是典型的化工过程的话， 那么从高纯度的多晶硅生长单晶硅则是半导体器件制造的第一步。虽然尝试过各种技术来将多晶硅转变为单晶硅，最后只有两种技术被应用于单晶硅的实际生产 直拉法和区熔法。 这两种方法之所以得到应用是因为它们能够满足半导体器件制造的需要。 生长出的硅单晶锭还需要经过截断、 切割成薄片、 研磨、 腐蚀、 抛光、 清洗、包装等工序才能成为可以提供给器件制造者的硅片。现代的半导体工业需要高纯度、高度完整性的硅单晶片作为制造半导体器件的基本材料，以保证器件制造的成品率和器件的性能；微

简介：多晶硅硅片生产流程1 洗料为得到纯净的多晶硅原料， 须将多晶硅原料清洗， 去除杂质和油污。 将多晶硅料放入氢氟酸和硝酸中浸泡， 然后用高纯水多次清洗， 清洗干净后进入下一道工序。b、烘料将清洗干净的多晶硅原料放入烘箱中烘干。c、装袋烘干后的多晶硅原料按型号、电阻率分别包装。d 、配料根据生产需要将不同电阻率的多晶硅料加入母合金配制成符合要求的原料。（ 2）多晶铸锭阶段a、准备阶段经减压、放气后打开炉盖，清洁炉壁及石墨件，将清洗好的石英坩埚装入炉内。b、投料将配制好的多晶硅料 500 公斤装入石英坩埚中，合上炉盖。检查水和泵油情况，正常后进入下一工序。c、抽真空密封炉盖后启动真空泵，将炉体

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简介：第二章 硅和硅片制备硅是用来制造芯片的主要半导体材料，也是半导体产业中最重要的材料。锗是第一个用做半导体的材料，它很快被硅取代了，这主要有四个原因1） 硅的丰裕度 硅是地球上第二丰富的元素，占到地壳成分的 25 ，经合理加工，硅能够提纯到半导体制造所需的足够高的纯度而消耗更低的成本。2） 更高的熔化温度允许更宽的工艺容限 硅 1412℃ 的熔点远高于锗 937℃的熔点，使得硅可以承受高温工艺。3） 更宽的工作温度范围 用硅制造的半导体元件可以用于比锗更宽的温度范围。4） 氧化硅的自然生成 硅表面有自然生长氧化硅 SiO2的能力。 SiO2 是一种高质量、 稳定的电绝缘

简介：山西天能科技有限公司 文件编号 TNGWQ-005 单晶硅片成品检验规范版本号 A/0 页码 第 1 页 共 2 页生效日期 2009 年 9 月 7 日1、目的检验单晶硅片的各项质量指标，包括厚度、垂直度、总厚度偏差 TTV、翘曲度 WARP、电阻率、刀痕以及裂纹、崩边、缺口等缺陷。2、适用范围适用于硅片事业部之硅片成品检验。3、技术标准3.1 硅片的厚度为 200± 20μ m。3.2 总厚度偏差 TTV≤ 30μ m，3.3 翘曲度 WARP≤ 75μ m。3.4 硅片的外观要求如下3.4.1 无裂痕、裂纹、空洞以及尖锐缺损，边缘缺损或缺口长≤ 0.5mm，深

简介：第二章硅和硅片制备图 2.1 化学元素周期表根据流经材料电流的不同可分为三类材料 导体；绝缘体；半导体。半导体材料具有较小的禁带宽度 ,其值介于绝缘体和导体之间。这个禁带宽度允许电子在获得能量时从价带跃迁到导带。这种行为在半导体被加热时发生 ,因而其导电性随温度增加而提高 对导体而言则正相反 。硅是用来制造芯片的主要半导体材料，也是半导体产业中最重要的材料。锗是第一个用做半导体的材料，它很快被硅取代了，这主要有四个原因1）硅的丰裕度2）更高的熔化温度允许更宽的工艺容限3）更宽的工作温度范围4）氧化硅的自然生成硅是地球上含量第二丰富的元素，其含量仅次于氧。然而，自然界中几乎不存在单质

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简介：大连理工大学硕士学位论文大尺寸硅片真空夹持系统的研究姓名杨利军申请学位级别硕士专业机械设计及理论指导教师郭东明 ; 康仁科20050301