简介：硅片电阻测试仪硅片电阻测试仪是用来测量硅片、 硅单晶、 锗单晶电阻率的测量仪器。 它由电气测量部份 （简称 主机） 、测试架、四探针头及专业测量软件组成。功能特点本套仪器的特点是主机配置双数字表，在测量电阻率的同时，另一块数字表（以万分之几的精度）适时监测全程的电流变化，免除了测量电流 /测量电阻率的转换，更及时掌控测量电流。主机还提供精度为0.05 的恒流源，使测量电流高度稳定。主机配有恒流源开关，在测量某些薄层材料时，可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生，更好地保护箔膜。主机配置了 “ 小游移四探针头 ” ，探针游移率在 0.1 ～0.2 。 保证了仪器测量电阻率的重复性和准确

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简介：硅片超声波 清洗技术在半导体材料的制备过程中，每一道工序都涉及到清洗，而且清洗的好坏直接影响下一道工序，甚至影响器件的成品率和可靠性。由于 ULSI 集成度的迅速提高和器件尺寸的减小，对于晶片表面沾污的要求更加严格， ULSI 工艺要求在提供的衬底片上吸附物不多于 500 个/m2 0.12um，金属污染小于 1010atom/cm2 。晶片生产中每一道工序存在的潜在污染，都可导致缺陷的产生和器件的失效。因此，硅片的清洗引起了专业人士的重视。以前很多厂家都用手洗的方法，这种方法人为的因素较多，一方面容易产生碎片，经济效益下降，另一方面手洗的硅片表面洁净度差，污染严重，使下道工序化

简介：2012 第 6 期 总第 211 期现 代 制 造 技 术 与 装 备引言随着 IC 工艺 、 技术的不断发展， 硅片的产量越来越大（见表 1） ， 直径尺寸越做越大 （见图 1） ， 厚度越做越薄 。随着大规模集成电路 、 超大规模集成电路和特超大规模集成电路的发展，对硅片的质量特征参数的要求越来越高 。 硅片的几何参数主要有以下几个方面直 径 （ Diameter） ； 厚 度 （ Thickness） ； 平 整 度 （ Flatness） ；粗糙度 （ Roughness） ； 弯曲度 （ Bow） ； 翘曲度 （ Warp） ； 总厚度变化 （ Total Thickness

简介：清洗区药液成本名称 每片使用量（ KG单价（ 元 /KG） 单片药液成本（元 / 片）一水柠檬酸 0.0012 8 0.0096清洗剂 0.0009 13.5 0.01215药液单片总成本 0.02175辅料成本名称 月使用量 单价（元） 单片辅料成本（元 / 片）一次性乳胶手套（ 1200 0.45 0.000458085百洁布（卷） 6 106.84 0.000543798PE包装袋（个） 500 0.5 0.000212076口罩（包） 5 10.26 辅料单片总成本 0.001257478人工成本人工费 人员配备 人员工资 月产量（片） 单片人工成本（元 /

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简介：第 53 卷 第 3 期2014 年 5 月中山大学学报 （ 自然科学版 ）ACTA SCIENTIAＲ UM NATUＲ ALIUM UNIVEＲ SITATIS SUNYATSENIVol. 53 No. 3May 2014硅片不同表面钝化工艺的稳定性研究 *曾湘安 ， 艾 斌 ， 邓幼俊 ， 沈 辉（ 中山大学物理科学与工程技术学院 / / 太阳能系统研究所 ， 广东 广州 510275）摘 要 研究分析了热氧化钝化 ， 用 PECVD 双面沉积 SiNx H 膜钝化以及碘酒钝化三种表面钝化工艺的稳定性 ， 通过 WT － 2000 少子寿命测试仪对采用这三种钝化工艺的单晶硅片

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简介：浙江昊能光电有限公司插片作业指导书产品名称 太阳能硅片 工 序 硅片清洗 作业工序名称 半自动插片 页码第 1 页 共 7 页文件编号 HN-QX-008 版 本 A/0 生效日期 2015 年 6 月 18 日步骤 操作标准及方法 图文说明 使用工具及 物料 注意事项1、准备工作戴好手套，准备好片盒，清理机器槽内碎硅片、胶条等杂物，将片盒摆放整齐，做好准备。手套插片盒2、设备启动 将主电源开关打开 .按下 ,电源 按纽。浙江昊能光电有限公司插片作业指导书产品名称 太阳能硅片 工 序 硅片清洗 作业工序名称 半自动插片 页码第 2 页 共 7 页文件编号 HN-QX-008 版 本

简介：硅片表面检验分析硅片在聚光灯下目检， 要求圆片表面无明显色差、 花纹、 雾状斑块或色斑； 圆片无裂纹，边缘缺损、无沾污；圆片表面无划痕。1. 无明显色差氧化层变化容易产生色差， 如图示。氧化层 100A 的厚度变化就会在目检时看到颜色的变化，大约厚度变化 2000A，颜色就会呈现一个周期性的变化。 氧化层几十 A 的厚度变化就会使表面产生一点颜色变化，颜色变化严重时， 硅片表面会有明显的花纹。一般来说， 随着氧化层厚度的增加，颜色变化的明显性会下降，几万 A 后颜色随厚度的变化就不再明显。总厚度为一万多 A 后，二三百 A 的厚度变化已经看不出明显的颜色变化。加工工艺对色差的影响1.1 氧化

简介：硅片表面的几种处理方法和步骤一、硅片的预处理（ 1） 硅片切割 根据所需大小， 用玻璃刀进行硅片的切割。 操作时需要在洁净的环境中， 并带一次性手套， 以避免污染硅片。 先在桌面平铺一张干净的称量纸，用镊子小心夹持硅片的边缘，将其正面朝上（光亮面）放于称量纸上； 再取一张干净的称量纸覆盖于硅片表面， 留出硅片上需要切割的部分； 将切割专用的直尺放于覆盖硅片的纸上， 用手轻轻压住直尺； 直尺应不超过待切割侧的纸面， 以防止直尺污染硅片； 切割时玻璃刀沿直尺稍用力平行滑动， 使用的力量以能在硅片表面形成一清晰的划痕， 但不至于将硅片划开为度； 如对大块硅片进行横纵向多次切割， 即可在硅片表面

简介：Xinyu College 毕业设计（论文）（ 2010 届）题 目 硅片（多晶硅）切割工艺及流程学 号 0810028061姓 名 肖吉荣所 属 系 太阳能科学与工程系专 业 光伏材料加工与应用技术班 级 08 光伏（ 8）班指导教师 陈勇新余高等专科学校教务处制硅片（多晶硅）切割工艺及流程I 硅片（多晶硅）切割工艺及流程摘要随着能源短缺和环境污染等问题的日益加剧， 利用可再生、 无污染的能源已成为现代社会的一个趋势， 太阳能的开发与利用越来越被人们所重视。 未来太阳的大规模应用主要是用来发电，目前实用太阳能发电方式主要为“ 光 电转换” 。其基本原理是利用

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