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  • 简介:关于硅片油污问题的分析与解决办法油污多发生在季节变换的时期,温度变化较大的环境中,所以油污的产生除了有些公司使用的切割液本身存在的问题外, 大部分都是生产过程当中的控制问题了, 而这些问题当中最主要的原因就是硅片在去胶过程中冲洗不到位, 下面就此问题阐述一下个人的见解,希望能起到抛砖引玉的作用。一、对于硅片产生油污问题的主要原因 1 、 如果PEG质量有问题, 在切割过程中会直接产生油污片, 一般这种情况多是发生在回收液当中, 对于这种问题的预防只能是在回收液到厂之后进行抽检其液的成份,确保在使用之前发现问题。2 、 如果硅片下机后等待的时间过长或者是因为冲洗不到位而产生盲区都会产生油污片
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  • 简介:硅片表面线痕测试仪产品型号进口对硅片表面的线痕进行轻松测量。该设备带专用控制器的高精度,高性能,操作简单,显示一目了然。特点■ 显示一目了然,操作简单 配备高可见度 7.5 英寸 TFT LCD 屏幕。彩色图标显示、触控式面板,显示更清晰,操作简单。■ 轻松定位 使用专用控制器内置的操纵杆,轻松、快速地定位。小孔内侧的测量,需要对微小测头进行微调。利用手动手柄,实现轻松微调。■ 轻松设置表测量条件 利用配备的简单输入功能,可按照 ISO/JIS 标准的绘图指令符号进行输入。以往非常麻烦的测量条件设置如今可轻松输入,从菜单上直接选取表面线痕的绘图指令符号即可。技术参数技术参数 SJ
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  • 简介:一、概况切片工序是制备太阳能硅片的一道重要工序, 太阳能硅片的切割原理是转动的钢线上携带着大量碳化硅颗粒, 同时工作台位置缓慢下降, 由于碳化硅的硬度大于多晶硅 (晶体硅的莫氏硬度为 6.5 ,碳化硅的莫氏硬度为 9.5 ),依靠碳化硅的棱角不断地对硅块进行磨削,起到切割作用。 薄厚片是衡量硅片品质的一个很重要的指标。 薄厚片的存在会影响硅片合格率及电池片的生产工艺,因此这对硅片品质提出了更加严格的要求。二、硅片厚度产生偏差的原理硅片的切割过程是在导轮上完成的, 钢线在导轮上缠绕形成相互平行的均匀线网, 并以10-15m/s 的速度运动,砂浆经浆料嘴均匀地流到线网,砂浆中的碳化硅由于悬浮液的
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  • 简介:电 子 工 业 专 用 设 备Equipment for Electronic Products Manufacturing( 总第 185 期 )Jun. 2 010光伏太阳能硅片清洗工艺的探索杜虎明, 牛进毅, 王 莉, 马 斌中国电子科技集团公司第二研究所 , 山西太原 030024摘 要 对两种不同清洗方法的工作原理 、 清洗效果和适用范围等特点进行了分析 。 不同的工艺应采用不同的清洗方法才能获得最佳效果 。 介绍了硅片清洗机的清洗工艺和腐蚀工艺 。 指出了硅片清洗工艺的发展趋势 。关键词 硅片清洗 ; 清洗工艺 ; 表面清洗中图分类号 TN305.97
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  • 简介:断线善后处理首先做好断线记录(断线时间、机台号、部位、切深)留好线头一 .查明断线原因及断线情况 .二 .急时上报,未经同意,不得私自处理。三 .处理流程1. 在出线端断线 ,宽度不超过 10 毫米的直接拉线切割 . 2.切深≦ 60mm 中部或进线端断线,以 30mm/min 直接升起,迅速布线, 8000 流量砂浆冲洗,冲片时在线网上铺上无尘纸,冲开粘在一起的片子后,迅速把晶棒降到距线网 2mm 处,然后以 10mm/min 的进给认真仔细的“认刀”。 3.中部或进线端断线,切深在 50mm---80mm 之间的,以 10mm/min 的速度升料到距进刀处 30--40 毫米 ,,停止
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  • 简介:光伏( PV)硅片多线切割硅片的线切割机理就是机器导轮在高速运转中带动钢线,从而由钢线将聚乙二醇和碳化硅微粉混合的砂浆送到切割区, 在钢线的高速运转中与压在线网上的工件连续发生摩擦完成切割的过程。在整个切割过程中,对硅片的质量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂浆的粘度、砂浆的流量、钢线的速度、钢线的张力以及工件的进给速度等。一、切割液( PEG)的粘度由于在整个切割过程中, 碳化硅微粉是悬浮在切割液上而通过钢线进行切割的,所以切割液主要起悬浮和冷却的作用。1 、切割液的粘度是碳化硅微粉悬浮的重要保证。由于不同的机器开发设计的系统思维不同, 因而对砂浆的粘度也不同
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  • 简介:一、线痕分类线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕等。各种线痕产生的原因如下1、杂质线痕由多晶硅锭内杂质引起,在切片过程中无法完全去除,导致硅片上产生相关线痕。表现形式( 1)线痕上有可见黑点,即杂质点。( 2) 无可见杂质黑点,但相邻两硅片线痕成对,即一片中凹入,一片凸起,并处同一位置。( 3)以上两种特征都有。( 4)一般情况下,杂质线痕比其它线痕有较高的线弓。改善方法( 1)改善原材料或铸锭工艺,改善 IPQC检测手段。( 2)改善切片工艺,采用粗砂、粗线、降低台速、提高线速等。其它相关硅锭杂质除会产生杂质线痕外,还会导致切片过程中出现“切不动”
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  • 简介:多晶硅片技术标准1 范围1.1 本要求规定了多晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2 本要求适用于多晶硅片的采购及其检验。2 规范性引用文件2.1 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法2.2 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法2.3 ASTM F 1535 用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的试验方法3 术语和定义3.1 TV 硅片中心点的厚度,是指一批硅片的厚度分布情况;3.2 TTV 总厚度误差,是指一片硅片的最厚和最薄的误差(标准测量是取硅片5 点厚度边缘上下左右 4 点和中心点) ;3.4 崩边晶片边缘
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  • 简介:光纤激光器在硅片加工方面的应用通常来说,硅晶圆是由金刚石锯切割好的,偶而也有用划线器和剥裂加工的,但划线器和剥裂加工具有一定的局限性,它们只能平直划线,且容易缺边。随着激光器技术的不断完善发展,越来越多的硅片加工采用激光技术,激光器在硅晶圆加工领域的主要应用有切割、划刻、打孔和打标等。目前用于硅片加工的主要激光光源为倍频 YVO4 绿光、紫外光等,但倍频 YVO4 激光器操作费时,且价格昂贵,使其应用受到了一定限制。光纤激光器凭借较高的光束质量、较宽的脉冲频率调节范围和较低的成本,使其在硅晶圆加工方面的应用日益获得飞速发展。SPI 光纤激光器简介目前 SPI 公司的产品主要分为连续光纤激光器
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