简介：电工材料 2016 No.2研究 · 分析1 引言经过近十年跨跃式发展， 太阳能电池研究已取得了相当大的进展， 涌现出各类新型结构电池， 多晶电池量产效率已达 19以上。众所周知， 电池表面因反射引起的光损失是影响电池转换效率的重要因素， 通过表面织构化工艺可以有效降低太阳电池的表面反射率。相比单晶硅片， 多晶硅片表面晶粒取向各异， 业界曾利用机械刻槽、 反应离子刻蚀以及光刻技术等方法获得多晶硅表面织构。但因这些方法成本较高， 难以被多晶硅电池生产厂家接受， 而广泛采用酸性制绒液在多晶硅表面形成多孔硅减反射层。工业中常用的酸性制绒液是采用 HF/HNO 3/H 2O的混合体系，

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简介：中国集成电路２００７ ５ ｈｔｔｐ ／／ｗｗｗ．ｃｉｃｍａｇ．ｃｏｍ （ 总第 ９６ 期 ）封装Ｃｈｉｎａ ｌｎｔｅ ｇｒａ ｔｅ ｄ ＣｉｒｃｕｌｔＣＩＣ１ 、 背景从上世纪后期开始的电子产品小型化趋势持续而且广泛的改变着人们的生活 。 这股便携化的浪潮从最初的收音机 、 随身听等发展到今天的笔记本电脑 、 手机等 ， 并且越来越趋向于将各种功能集成在某种便携式终端平台上 。 例如 ， 今天的手机就可以集成通话 、 计算 、 数据处理 、 照相 、 摄像 、 网络 、 多媒体等各种功能 。半导体集成电路技术的发展是这些变化的主要技术驱动力量 。 系统级芯片 （ ＳＯＣ ） 、 系

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简介：1 高温退火消除硅片内部空洞实验 . ICedu 狂人 发表于 2007-5-01 0909 来源 SupeSite/X-Space 社区门户将两抛光完好的硅片， 在超净环境中进行键合时发现， 在 200800℃范围内，随着温度的升高，键合界面产生的空洞数量增多，空洞的尺寸变大。而在超过900℃的键合过程中，空洞又消失。这种与温度有关的空洞有人认为是由于在这个温度范围内，键合界面发生化学反应时释放出多余的水引起的 [27] ，也有人认为是由于水汽化而引起的 [7] ，也有人用 SIMS测量，认为这种与温度有关的空洞是由于硅片表面存在的碳氢化合物引起的。当键合硅片在 900110

简介：理 论 广 角332 科 技 博 览China science and Technology Review1 引言 目前 , 半导体材料广泛地应用于各种微电子领域 , 如计算机系统、 电子通讯设备、 汽车、 消费电子系统和工业自动控制系统等 , 而绝大多数的半导体材料是采用硅晶片。 切片是把单晶硅由硅棒变成硅片的一个重要工序 , 切片质量的好坏直接影响着后续工序的工作量和成本。 近年来， 世界各国大力投入研究开发，新工艺、 新设备不断涌出。 金刚石线锯系 （金刚切） 为通过电镀或树脂的方式将金刚石颗粒固结镶嵌在钢丝表面的镀层上制成的一种线锯。 相对于迄今为止普遍应用于太阳电池硅片生产的砂浆

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简介：＊多晶硅及硅片少子寿命的检测与分析刘 淑 萍 ， 贺 珍 俊（ 内蒙古神舟硅业有限责任公司 ， 内蒙古 呼和浩特 ０ １ ０ ０ ７ ０ ）摘 要 少 数 载 流 子寿命 是 半 导 体 晶 体 硅材 料 的一 项重 要 参数 ， 它 对 半 导 体器件的性 能 、 晶 体 硅太 阳 能电 池 的光 电 转 换 效率 都 有 重 要 的 影响 。 本文 综 述 了 在 多 晶 硅 等 级 判 定 与 铸锭 过程中 少子 的 检 测方法 ， 其 中包括了 国内 外 检 测 标 准 与 方法原理 ， 以 及 在 实 际 检 测 过程中 少子寿命 与 基 体 金 属 的 关 系 。关键

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简介：专题 论文编号多线切割硅片损伤层研究陈志军 1 ，刘振淮 2，张华 3，毛富胜 4（ 1,常州天合光能有限公司， 江苏省， 常州市， 213031， 15951208521， zhijun.chentrinasolar.com ; 2,常州天合光能有限公司，江苏省，常州市， 213031；3，常州天合光能有限公司，江苏省，常州市， 213031；4，常州天合光能有限公司，江苏省，常州市， 213031）摘要 太阳能硅片的表面损伤层，关系到切割后破片比例，绒面的形状，转换效率等。通过对硅片表面 SEM分析，发现硅片表面呈蜂窝状，有大孔，小孔和微孔。硅片侧面边缘呈山峰山沟状，并伴随有裂纹

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