简介：实验一．原子力检测实验硅片 4inch p111 实验片数 2 硅片编号 S1106-4253-36 S1106-4352-15 实验内容对长有氧化层的硅片进行 HF 腐蚀，时间为 10M ，观察表面无颜色不一致的地方，且疏水 .然后对两片中心点，以及离中心点 1/3 半径与边缘取三点检测表面粗糙度。1） 15 片原子力显微图中心点1/3 半径边缘结论 去除表面氧化层后， 选取 10um 10um测试， 在三个位置抛光片的粗糙度都在 1.6-2.07nm之间，表面有凸起的地方，对最高的地方进行检测 凸起的最高的峰值在 5-15nm 。2） 36 片原子力图片中

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简介：2011年硅片行业分析报告www.docin.com/clcz20122011年 10月目 录1、硅片行业发展概况 32、进入硅片行业的主要障碍 43、硅片行业市场供求状况及变动原因 4（ 1）硅片行业的需求状况 . 4（ 2）硅片行业的供给变动趋势 . 64、硅片行业利润水平的变化趋势及变动原因 65、影响硅片行业发展的有利和不利因素 86、行业技术水平及特点、行业特有的经营模式和周期特征 8（ 1）行业技术水平及特点 . 8（ 2）行业主要经营模式 . 9（ 3）行业的周期性、地域性和季节性特征 . 107、行业与上下游行业之间的关联性及其影响 10（ 1）硅片行业与上

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简介：硅片的检测版本 1 弯曲是指有效面积内有规律的发生形变，翘曲是指有效面积内局部发生形变。A 级 B 级 C级 D级 E 级线痕TVTTV孪晶多晶裂纹、裂痕应力空洞缺角V 型缺口弯曲度翘曲度硅多晶线性尺寸长度无或轻线无无无不存在多晶无无无无无无6≦ L≦ 100mm ≦ 10μ m,≦ 5 条≦ 20μ m ≦ 15 无不存在多晶无无无无无≦ ,50 μ m 6≦ L≦ 100mm ≦ 20μ m,≦ 10条≦ 20μ m ≦ 30 无不存在多晶无无无无无≦ 75μ m 6≦ L≦ 100mm ≦ 30μ m,≦ 15条≦ 20μ m ≦ 50 无不存在多晶无有无无无≦

简介：硅片腐蚀硅片腐蚀一、目的 和原理利用氢氧 化钠对多晶硅腐蚀作用，去除硅 片在多线切割锯切片时产生的表 面损伤层，同时利用氢氧化钠对 硅腐蚀的各向异性，争取表面较低反射率 较低的表面织构。解释① 现有多晶硅片是由长方体晶锭在 多线切割锯切成一片片多晶硅方片。由于 切片是钢丝在金刚砂溶液作用下 多次往返削切成硅片，金刚砂硬度很高， 会在硅片表面带来一定的机械损 伤。如果损伤不去除，会影响太阳电池的 填充因子。②氢氧化 钠俗称烧碱，是在国民经济生产 中大量应用化工产品。由电解食盐水而得，价格比 较便宜，每 500 克 6 元。化学反应方程式为 。分析纯氢氧化锂 、氢氧化钾也可以与硅起反应，

简介：硅片等级分类及标准New Roman “ 一、优等品1硅片表面光滑洁净。2 TV 220± 20μ m。3几何尺寸边长 125± 0.5mm；对角 150± 0.5mm、 148± 0.5mm、 165± 0.5mm；边长 103± 0.5mm、对角 135± 0.5mm；边长 150± 0.5mm 、 156± 0.5mm、对角 203± 0.5mm 、 200± 0.5mm。同心度任意两个弧的弦长之差≤ 1mm。垂直度任意两边的夹角 90°

简介：制绒目录简介分类单晶制绒多晶酸制绒制绒目的和作用展开编辑本段 简介制绒，光伏行业术语，处理硅片的一种工艺方法，硅太阳能电池片生产的首道工序。编辑本段 分类按硅原料分类状况可分为单晶制绒与多晶制绒； 按腐蚀液的酸碱性可分为酸制绒与碱制绒。单晶制绒原理 单晶硅片在一定浓度范围的碱溶液中被腐蚀时是各向异性的，不同晶向上的腐蚀速率不一样。 利用这一原理，将特定晶向的单晶硅片放入碱溶液中腐蚀，即可在硅片表面产生出许多细小的金字塔状外观，这一过程称为单晶碱制绒。多晶酸制绒原理 常规条件下，硅与单纯的 HF 、 HNO3 （硅表面会被钝化，二氧化硅与HNO3 不反应）认为是不反应的。但在两种混合酸的体系中

简介：2013（ 7.8-7.14 ）（ RMB/Pcs） 浙江辉弘 陕西立原 合肥晨旭 常州拜尔 苏州鸿丰125单晶硅 A片 4.3 n/a n/a 8.5-11Quantity 150W n/a n/a 30W125单晶硅 B片 3.5 n/a n/a n/a 3Quantity 15W n/a n/a n/a 2.6W156单晶硅 A片 n/a 6.2 n/a 10.5-11Quantity n/a 6.66W n/a 20W156单晶硅 B片 n/a n/a 7 n/aQuantity n/a n/a 70万 n/aContact 赵雅君 潘先生 梁加根 胡先生 顾家栋1598830561

简介：实验三 硅片的腐蚀一、实验目的1．掌握 Si 单晶片的位错侵蚀方法和位错密度的计算方法2．了解腐蚀 Si 单晶位错原理 ,正确使用金相显微镜 , 二、实验原理位错是晶体的线缺陷，它标志着晶体结构的完整程度，它对半导体材料的电学性能有很大影响，通常制造器件要求位错密度要低，或是无位错晶体，而且还要求晶体位错分布均匀，位错高低直接影响晶体做器件的质量。测量单位体积内位错的方法有 X 射线法，电子显微镜法和铜缀饰红外投射法等，但这些方法设备昂贵，工艺复杂，所以生产上很少采用。目前生产上广泛使用的是腐蚀金相法（腐蚀坑法） 。它是将样品进行化学腐蚀，然后用金相显微镜测定样品表面上出现的腐蚀坑数目。因

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简介：硅片传输定位机器人的设计 张士军 1，金洙吉，康仁科，丛明（大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室，辽宁大连 116024）摘要 本文针对大直径硅片的高速自动化生产对硅片的高效、高精度、高可靠性传输要求，确定基于 3 自由度的 R-θ型硅片传输定位机器人方案，设计了大直径硅片传输定位机器人系统。在设计过程中，通过采用基于丝杠花键轴的升降旋转机构、采用周转轮系传递臂体的伸缩动力等措施，解决了现有同类传输机器人系统中存在的刚性低、结构复杂等问题。此外，本文通过运动学分析证明了径向伸缩部件的直线运动轨迹； 利用拉格朗日的分析力学的方法对该部件的模型进行了动力学分析，得出动力矩方程。调试结果表

简介：清洗操作规程清洗侯韶华1. 插片 将黑色海绵垫板放于恒温水槽胶皮垫上，将花篮平稳放在其上，标有编号面背对操作人员。适当取出一定量硅片，轻轻插入花篮，每篮 23 片。注意事项 插片过程中若硅片吸和在一起， 切勿用力拉拽， 应放入水中使自然分离。拿片时应尽量增大接触面积，防止崩边。插入花篮时要轻轻弹入。片上若遇砂浆附着严重情况要用百洁布擦洗干净。2. 抛动 取出四筐花篮插入篮具，在蓝色水槽中抛动 15 至 20 下，放入清洗设备中的第一个溢流槽，抛动，溢流两分钟。注意事项 抛动时不要用力过猛。 造成碎片， 在将篮具转移至溢流槽时注意不要把水滴进清洗机。3. 超声 此步骤分三次超声， 第二步