硅片标准

BA A2 B1、 B2、 B3… B71 导电类型 P P 硅片分选设 备 硅棒保证2 隐裂、针孔 无隐裂、无针 孔 无隐裂、无针孔 硅片分选设 备 抽检3 崩边长度≤ 1 mm，深度≤ 0.5mm，每片崩边总数≤ 2 处；长度≤ 1 mm，深度≤ 0.5 mm，每片崩边总数≤3处；B1— 1mm＜崩边长度≤ 5mm， 1mm＜深度≤ 2mm，1＜崩边总数≤3目测 全检4 TTV ≤ 30 μ m ≤ 30 μ m B2— 30 μ m＜TTV≤ 50 μ m； MS-202 抽检5 厚度 200± 20 μ m 200± 20 μ mB3— 厚度偏差超过± 20 μ m但小于± 40 μ mMS-203 抽检6 边长125± 0.5mm/156± 0.5mm125± 0.5 mm/156± 0.5 mmB4— 硅片尺寸偏差超过± 0.5mm但小于± 1.0mm游标卡尺 抽检7 对角线 150± 0.5mm/200± 0.5mm150± 0.5 mm/200± 0.5 mmB5— 150±1mm/200± 1 mm 游标卡尺 抽检8 角长19.97-22.13/14.46-16.39mm19.97-22.13/14.46-16.39mm/ 硅棒保证9 线痕 深度≤ 8 μ m 深度≤ 15 μ m B6— 15 μ m＜深度≤ 30 μ m目测、必要时使用表面粗糙度仪帮助判定全检10 电阻率 1-3 Ω ?cm； 3-6Ω ?cm1-3 Ω ?cm； 3-6 Ω?cm四探针 /RT-110 硅棒保证11 少子寿命 ≥ 10μ s ≥ 10 μ s 少子寿命测 试仪 硅棒保证12 表面质量状 况硅 片 表 面 及 侧面 无 凹 坑 ， 无沾 污 ， 无 氧化 ， 无 穿 孔 ，无 裂 纹 ， 无 划伤；硅 片 表 面 及 侧 面无 凹 坑 ， 无 明 显沾 污 （ 表 面 沾 污总 面 积 小 于3mm2 ， 每 一 百 片单 边 侧 面 沾 污 总面积小于 20mm2 ）（ 判 断 时 参 照 沾污 样 本 片 进 行 判定 ） ， 无 氧 化 ，无 穿 孔 ， 无 裂纹，无划伤；B7— 硅片表面有沾污但硅片颜色不发黑；油点或其他赃物不得有 3处，每处沾污或其他赃物面积≤ 1mm2目测 全检13 翘曲度 ≤ 80 μ m ≤ 80 μ m ≤ 80 μ m 目检 抽检14 氧碳含量氧含量≤1x1018atoms/cm3 ；碳含量≤5.0x10 16atoms/cm3氧含量≤1x10 18atoms/cm 3；碳含量≤1.5x10 17atoms/cm3氧含量≤1x1018atoms/cm 3；碳含量≤1.5x10 17atoms/cm3Nicolet6700 硅棒保证编制： 审核： 批准：AC D 检测方法 检验方式可划片（不合格产品），但在划为小规格尺寸（ 125×125）硅片后，其他性能符合 A级硅片标准不合格产品，即不满足 A、 B、 C级要求的硅片均归为 D级太阳能单 , 多晶硅片质量等级分类方法序号 检验项目