硅片加工

硅片加工技术1. 硅的主要性质： 原子序数： 14、 现对原子质量： 08.28 、 晶体结构： 金刚石结构、 熔点：℃1420 、颜色：银白色。2. 硅片按生产工艺分为：切割片、研磨片、化腐片和抛光片。3. 硅片加工第一道工序：定向、滚磨开方。4. 滚磨开方的设备：单晶切方滚磨机、带锯、线锯。5. 硅单晶主参考面方位的确定方法：光图定向法和晶棱连线法。6. 硅单晶定向切割可分为：多线切割和内圆切割。7. 硅片的研磨方式有：单面研磨和双面研磨。8. 硅片抛光的方法分为： 机械抛光、 化学抛光、 化学机械抛光、最常用的方法是化学机械抛光。9. 吸附分为：化学吸附和物理吸附。10. 环境洁净度等级标准：美国联邦标准。11. 硅片表面污染类型：有机杂质玷污、颗粒类杂质玷污和金属杂质玷污。12. 化学试剂按纯度分为：优级纯、分析纯、化学纯。13. 超声波清洗系统的组成：超声波电源、清洗槽和换能器。14. 纯水制备系统的组成：预处理系统、初级处理系统和精处理系统。15. 硅片电学参数：导电类型、电阻率、电阻率变化及电阻率条纹。16. 硅晶体两种切割工艺比较：内圆切割：内圆刀片、一片一片切割、刀缝 m350280 、品种变换简单方便、灵活，风险低、效率低、原料损耗高、硅片体型变大、加工参数一致性差。线切割：钢丝切割线、整锭同时切割、线缝 m220180 、效率高、原料损耗小、硅片体型变小、加工参数一致性好、风险高。17. 硅单晶内圆切割与多线切割的工艺过程：内圆切割：送清洗冲洗与去胶上机切割定向与校对粘结准备工作 。多线切割：送清洗冲洗去胶上机切割系统调整粘结定向准备工作 。18. 磨削液的作用：冷却、排渣、润滑、防锈。19. 研磨工艺过程：送清洗研磨设置修盘配置研磨液硅片厚度分选 。20. 研磨前为什么要进行厚度分选？答：经切割的硅片厚度较分散，为使研磨后的硅片厚度较一致，并且总厚度变化 TTV 小，需要对切割后的硅片进行厚度分选，将厚度一致的硅片放在同盘进行研磨。21. 硅边缘倒角的目的、形状、工艺过程。答：硅片倒角的目的为了有效的释放内部应力、以减少后续的加工损伤；倒角形状：圆弧形、梯形；工艺过程： 结束工作自动磨削校准调整准备工作 。22. 硅片热处理的作用、范围、工艺条件、步骤。答：作用：消除氧的施主效应；释放应力；范围：直拉非重掺硅片；工艺条件：温度： ℃650 左右；时间： min4030 。步骤： 结束工作出炉恒温入炉装片准备工作 。23. 硅片化学减薄的作用与意义、方法、工艺过程答：作用与意义：使硅片表面洁净；提高抛光效率；消除硅片内应力；方法：酸腐蚀、碱腐蚀；工艺过程： 送检冲洗甩干化学腐蚀硅片厚度分选准备工作 。24. 抛光布垫技术要求、作用及存放。答：技术要求：质地柔软；吸水量大；耐磨、耐化学腐蚀。作用：存储及运输抛光液；存放：环境要求：环境温度： ℃2410 ；相对湿度： %50 左右；洁净等级： 10000 级。平放存储；避免过期存放而变质失效。25. 硅片抛光方式，工艺过程。答：方式：碱性二氧化硅抛光；工艺过程： 结束工作取片精抛粗抛粘片厚度分选抛前准备 。26. 碱性二氧化硅抛光方法与原理。答：碱对硅的腐蚀反应；胶粒见的吸附作用；抛光衬垫与硅片的机械摩擦作用；碱的络合作用。27. 抛光速率的影响因素。答：抛光压力：在其他条件不变时，随着压力的提高，抛光速率也随之上升，但在实际生产中，当压力到达临界点时，若继续提高压力，抛光效率不但不会弄上升，反而会下降。抛光温度：温度越高，化学反应速率越快，抛光速率越高；PH 值：抛光速率与 PH 值成指数函数关系，提高 PH 值，可以加快硅片与抛光液的化学反应速率，提高抛光速率；硅片晶体结构： 不同型号、 不同晶向及不同电阻率的硅片， 其面密度及原子、 结合力都不同，因此抛光过程中的化学腐蚀速率有所不同；摩擦力： f ， 为摩擦系数， 为抛光压力。28. 抛光前为什么要进行厚度分选？答：为了保证抛光后硅片的几何特性，需进行厚度分选，然后分档装片加工。29. 硅片切割片、研磨片、抛光片清洗过程。答：切割片： 结束工作甩干超声波清洗去除胶粘结剂和石墨准备过程 。研磨片： 结束工作甩干超声波清洗浸泡粗洗准备工作 F 。抛光片： 结束工作送检（二）清洗送检（一）去蜡准备工作 。30. 硅片检验的内容、方法、意义。答：内容：电学参数、结晶学参数、几何参数和表面洁净度参数；方法：接触式和非接触式；意义：预防，把关。31. 硅片检验的环境条件：答：环境温度： ℃℃ 523相对湿度： %65电源： VV 10220 和 VV 20380 ， 50 交流电；环境洁净度： 10000100 级光源：高强度狭束光源：离光源 mm100 处光照度 uxl216 ；大面积散射光源：检测面上光照度为 lux630430 。32. 当你领到一批硅片时，应如何实施研磨。答： 倒角