简介：半导体硅片 SC-2 清洗技术 1 | [8 l4 b, y { L1 清洗液中的金属附着现象在碱性清洗液中易发生， 在酸性溶液中不易发生， 并具有较强的去除晶片表面金属的能力，但经 SC-1 洗后虽能去除 Cu 等金属，而晶片表面形成的自然氧化膜的附着（特别是 Al ）问题还未解决。 . v7 Q“ o“ j1 7 h1 I6 Q1 g6 X2 硅片表面经 SC-2 液洗后，表面 Si 大部分以 O 键为终端结构，形成一层自然氧化膜，呈亲水性。3 由于晶片表面的 SiO2 和 Si 不能被腐蚀，因此不能达到去除粒子的效果。 * L X g8 T9 x9 ya.实验表明据报道将

简介：硅片真空夹紧装置设计干蜀毅 , 孙青云 合肥工业大学 , 安徽 合肥 230009Design of M ini Oil free Vacuum Pump for the Clamp Equipment U sed for Si WaferGAN Shu yi, SUN Qing yun H efei Univer sity of T echnology, Hefei 230009, China摘要 设计了一套硅片专用真空夹紧装置 , 包括夹紧装置和微型无油真空抽气泵 。 为减少硅片在夹紧过程中变形 , 夹紧装置采用了多吸口 、 回旋槽的平面型结构 ; 根据所需夹紧力大小 , 设

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简介：文件编号 Q03-JS-43 清洗作业流程版本号 A/0 页码 第 1 页 共 4 页生效日期 2007 年 10 月 1 日1． 目的规范清洗车间作业流程 ,保证输出合格成品 ,特制定本办法。2． 范围清洗车间所有员工3． 具体内容3． 1．作业准备3． 1． 1．进入清洗车间须穿戴专用工作服、鞋。3． 1． 2．准备好应该准备的物品和药品。3． 1． 3．准备好各类专用工具。3． 1． 4．开机前按工艺要求检查水、电、气，确认无误后，方可开机。3． 2 具体作业流程3． 2．预清洗3． 2． 1．将切好的晶棒平稳地放在预清洗水槽中。3． 2． 2．用海棉将晶棒两端与水槽之间的缝隙

简介：收稿日期 1999201206文章编号 1005 - 2046 199904 - 0162 - 04硅片清洗方法探讨郭运德洛阳单晶硅有限责任公司 ,河南洛阳 471009摘 要 本文介绍了几种硅片清洗的方法 ,同时对各种不同清洗方法的工作原理 、 清洗效果 、适用范围等特点进行了分析 。 不同的工艺应采用不同的清洗方法才能获得最佳效果 。关键词 硅片 ; 清洗 ;表面态中图分类号 TN 30411 文献标识码 A1 前 言硅片表面的洁净度及表面态对高质量的硅器件工艺是至关重要的 。 如果表面质量达不到要求 ,无论其它工艺步骤控制得多么优秀 ,也是

简介：武汉理工大学本科生毕业设计（论文）硅片切割液的配制工艺研究学院（系） 化工学院专业班级 化工 0903 班学生姓名 周五萍指导教师 朱焱学位论文原创性声明本人郑重声明所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包括任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。作者签名年 月 日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保障、使用学位论文的规定，同意学校保留并向有关学位论文管理部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权省级优秀学士论文评选机构将本学

简介：Acceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor. 受主 - 一种用来在半导体中形成空穴的元素， 比如硼、 铟和镓。 受主原子必须比半导体元素少一价电子Alignment Precision - Displacement of patterns that o

简介：硅片线痕、 T T V 的 分 析分类线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕等 。各种线痕产生的原因如下1 、 杂质线痕 由多晶硅锭内杂质引起， 在切片过程中无法完全去除， 导致硅片上产生相关线痕。表现形式 （ 1）线痕上有可见黑点，即杂质点。（ 2）无可见杂质黑点，但相邻两硅片线痕成对，即一片中凹入，一片凸起，并处同一位置。（ 3）以上两种特征都有。（ 4）一般情况下，杂质线痕比其它线痕有较高的线弓。改善方法（ 1）改善原材料或铸锭工艺，改善 IPQC检测手段。（ 2）改善切片工艺，采用粗砂、粗线、降低台速、提高线速等。其它相关硅锭杂质除会产生杂质

简介：硅片生产制造工艺流程1. 切方磨圆将矽单晶圆棒按尺寸要求，切割成矽单晶准方棒，并将切割后的准方棒四角，用滚磨机磨圆。2. 酸洗将检测合格的矽单晶准方棒放入配好的酸液中，除去表面杂质，使其清洁便于下道工序。3. 粘胶将清洁干净的矽单晶准方棒与工件板进行粘接。4.切片将粘好的矽单晶准方棒安装在切片机的切割工位上， 通过设定好的工艺参数， 将其切割成片。5. 清洗脱胶将切割后的矽片进行预清洗，除去表面附着的切削液等杂质，并将预清洗后的矽片进行脱胶。6. 超声波清洗将脱过胶的矽片插在矽片盒里并放入超声波清洗机中进行清洗。7.甩干将超声波清洗后的矽片连盒插在甩干机的甩干工位上，通过离心和加热将其表面甩

简介：硅片清洗原理与方法综述【摘要】 文中首先就硅片清洗原理的硅片的表面状态与洁净度问题和吸附理论进行了探讨， 在硅片清洗的常用方法与技术中分析了湿法化学清洗、 干法清洗技术、束流清洗技术。【关键词】硅片清洗原理；湿法化学清洗；干法清洗技术；束流清洗技术1、引言硅片的质量， 尤其是硅抛光片的表面质量， 随着大规模集成电路的发展， 不断减小的线宽， 不断提高的集成度， 其要求也就越来越严格。 这是由于器件的质量和成品率很关键在于金属杂质沾污和抛光片表面的颗粒。 目前仍有 50以上的材料在目前的集成电路生产中被损失掉， 都是由于硅抛光片表面被沾污了。 可见器件的成品率和质量跟抛光片表面的颗粒和金属杂

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简介：硅片清洗原理与方法介绍1 引言硅片经过切片、倒角、研磨、表面处理、抛光、外延等不同工序加工后，表面已经受到严重的沾污， 清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、 金属离子以及有机物等污染。2 硅片清洗的常用方法与技术在半导体器件生产中，大约有 20％的工序和硅片清洗有关，而不同工序的清洗要求和目的也是各不相同的，这就必须采用各种不同的清洗方法和技术手段，以达到清洗的目的。由于晶盟现有的清洗设备均为 Wet-bench 类型，因此本文重点对湿法化学清洗的基本原理、常用方法及其它与之密切相关的技术手段等进行论述3． 1 湿法化学清洗化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质

简介：太阳能电池硅片清洗过程制绒 -扩散 -刻蚀 -清先 去 PSG-沉积减反射膜 -丝网印刷 -烧结 -分选 -组装以下为制绒工艺1、去损伤层目的用高温 NaOH 或 KOH 去除硅表面的切割损伤层，划痕、手印、杂质等要求浓度 20，温度 80C，时间 5min 达到硅片表面减薄 10-20μ m 注意事项 1、浓度保证为 20，要求有补液槽，补充每次清洗的消耗。2、 80C 温度要有加热管。3、 30S 时间准确控制。4、有自动盖，减少挥发。2、温水隔离目的稀释硅表面或洗篮上残留的碱液。要求水 50C，时间 5min 达到浓碱被稀释注意事项 1、要有鼓泡2、鼓泡要均匀3

简介：硅片切割中切斜问题分析任军海 龙 峰（英利能源控股有限公司 河北 保定 071000 ）摘 要 在硅片切割过程中，经常出现切斜的现象，大大影响硅片合格率。硅片切斜的原因多种多样，通过从钢线、导轮、砂浆等不同的方面进行切斜分析。在以后的生产中，从而可以更好地减少切斜问题的出现。关键词 硅片切斜；导轮；砂浆；钢线中图分类号 TG661 文献标识码 A 文章编号 1671－ 7597（ 2011） 0810136－ 010 引言 4.2 导轮对硅片切斜的影响导轮在硅片切割过程中，起着重要的作用。导轮的槽距影响切割硅片目前太阳能行业，硅片的加工是指将硅块切割成一定厚度的硅片。硅

简介：一般而言 ,硅片的厚度会影响到少子寿命的测量 .由于样品表面存在复合中心 ,这些复合中心会使有效寿命降低 . 硅片如果太薄 ,少子就会扩散到表面进行复合 ,从而导致寿命降低 对于高质量的硅片尤其重要 .,为了避免这种现象发生 ,通常采用碘酒钝化表面 ,.但碘酒钝化的表面复合速率大概也在 20-200cm/s, 也并不是不存在影响 . 据我了解最佳为 2mm 薄片，每减少 0.1mm，相应的少子减少约 0.11us 你知道少子寿命的原理不 半导体物理里有，然后再看下测试原理，只要对那个寿命公式搞透了，啥都明白了，你的这个问题就是属于超级简单那种了。我先简单说说吧 1/Te1/Tb