简介：工艺事故质量分析一次清洗1．现象描述制绒后硅片厚度很薄在 160um 以下且硅片表面“小雨点”很多，导致硅片报废原因分析此类事故发生时多在新配液时， 主要原因是上一位员工在配氢氧化钾和硅酸钠后， 由于吃饭或其它原因把操作交给另外一位员工， 后面的员工上岗后没有加异丙醇就直接上料， 从而造成事故。事故总结新配液时， 由于更换操作员而导致没有加异丙醇， 出现工艺失控。 建议新配液时有一位员工独立完成。2．现象描述配液过程中导致溶液溢流致设备和地面，使地面受损。原因分析配液过程中，忘记关补水开关。事故总结加强员工的责任心。3．现象描述制绒过程中，偶尔出现整篮硅片表面 “小雨点”很多

简介：点击查看更多大连理工-康仁科-863课题精彩内容。

简介：点击查看更多第1章衬底精彩内容。

简介：单晶硅 切 片制作 . 生产工艺流程具体介绍如下固定将单晶硅棒固定在加工台上。切片将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。退火双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至 300500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。倒角将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。分档检测为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。 研磨用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个

简介：点击查看更多超声波清洗器广泛使用于电子器件、半导体硅片精彩内容。

简介：工艺故障排除指南单晶硅太阳能电池工 序 故障表现 诊 断 措 施制绒硅片表面大部分发白， 发白区域未出绒面1、 NaOH 与 IPA 比例失调。NaOH 含量偏低，不能充分进行反应， 或者 IPA 含量过高，抑止反应进行。1、 首先判断原因。2、 增加 NaOH 的浓度，减少 IPA 的用量。3、 如果不能调节，重新配制溶液。2、 如果表现后续返工可以处理发白区域，则可以断定NaOH 浓度不够。采用稀碱超声。3、表面清洁度不好。 延长超声时间。4、溶液状态不够均匀。1、对溶液进行充分搅拌，补加溶液必须先溶解，加入之后必须进行溶液充分搅拌，使用烧杯或竿进行“ 8”字形状搅拌溶液。2、查看电源控

简介：超声波感应器的设定一， 故障现象超声波传感器感应不到硅片，比如 buffer 进口第一个超声波传感器若感应不到硅片，或灵敏度较弱的话，硅片到达传感器处，皮带就不会加速，导致后面的硅片和前面的硅片撞在一起而卡片。二， 超声波感应器如下图1，测试传感器灵敏度是否正常水平放置一个硅片在传感器上方，处于皮带上方大概 5mm处，此时传感器应该绿色指示灯马上亮，将硅片从传感器上方移开，此时传感器的绿色指示灯应该马上熄灭，其他指示灯也不亮；重复上面的步骤，正常情况应该是传感器感应到硅片绿灯马上亮，硅片一拿开，绿灯马上灭。如果不上上述状态，则这个传感器需要重新设定，或者更换新的传感器（新的换上去后，也需要重

简介： 收稿 1999 年 4 月 , 收修改稿 1999 年 5 月3 通讯联系人超大规模集成电路硅片溶液清洗技术的进展张树永 3 郭永榔山东大学化学学院 济南 250100曹宝成 于新好山东大学光电子材料与器件研究所及国家电子清洗技术研究推广中心 济南 250100摘 要 本文综述了超大规模集成电路制造过程中硅片溶液清洗技术的研究历史及现状 , 并对技术的未来发展进行了展望 。关键词 集成电路 硅片 溶液清洗Progress of Aqueous Solution Clean ing Technology forSil icon W afer in VL SI C ircu

简介：单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片工艺流程转载一个，加工流程单晶生长→切断→外径滚磨→平边或 V 型槽处理→切片 倒角→研磨 腐蚀 -- 抛光→清洗→包装 切断目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。 切断的设备内园切割机或外园切割机 切断用主要进口材料刀片 外径磨削由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。 外径滚磨的设备磨床 平边或 V型槽处理指方位及指定加工，用以单晶硅捧上的特定结晶方向平边

简介：加工流程单晶生长→切断→外径滚磨→平边或 V型槽处理→切片倒角→研磨 腐蚀 -- 抛光→清洗→包装切断目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。切断的设备内园切割机或外园切割机切断用主要进口材料刀片外径磨削由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。外径滚磨的设备磨床平边或 V 型槽处理指方位及指定加工，用以单晶硅捧上的特定结晶方向平边或 V型。处理的设备磨床及 X－ RAY绕射仪。切片指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片

简介：附件2PV电池类型 产品型号 组件功率（ w 组件尺寸（ mm mm）转换效率 η （ ） 太阳光辐照阀值A1 215 1580 808 40 16.84 辐照强度低于 200W/㎡时A单晶硅电池 A2 325 1956 991 45 16.64 电池转换效率＜转换效率的 5A3 200 1580 808 35 18.70A4 270 1651 992 40 16.50A5 245 1650 991 40 14.98A6 295 195621

简介：点击查看更多聚光光伏电池及系统的研究现状.pdf精彩内容。