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简介：顺大半导体发展有限公司太阳能用硅单晶片生产技术目 录一、 硅片生产工艺中使用的主要原辅材料1、拉制单晶用的原辅材料，设备和部件2、供硅片生产用的原辅材料，设备和部件二、 硅片生产工艺技术1、硅单晶生产部（ 1） 、腐蚀清洗工序生产工艺技术对处理后原材料质量要求（ 2） 、腐蚀清洗生产工艺流程① 多晶硅块料，复拉料和头，尾料处理工艺流程② 边皮料酸碱清洗处理工艺流程③ 埚底料酸清洗处理工艺流程④ 废片的清洗处理工艺流程（ 3） 、硅单晶生长工艺技术（ 4） 、单晶生长中的必备条件和要求① 单晶炉② 配料与掺杂（ 5） ，单晶生长工艺参数选择（ 6） 、质量目标（ 7） 、硅单晶生长工艺流

简介：硅片脏污清洗分析报告一、硅片表面污染硅片表面的最外层即为吸附层，是氧化层与环境气氛的界面，吸附一些污染杂质，这些沾污可以分为分子、离子、原子、或者分为有机杂质、金属和粒子，如下图 1 所示。图 1 硅片表面污染示意图二、清洗工艺程序吸附在硅片表面上的杂质可分为原子型、离子型和分子型。1、分子型杂质与硅片表面之间的吸附力较弱，清楚这类杂质粒子比较容易。它们多属油脂类杂质，具有疏水性的特点， 对于清除离子型和原子型杂质具有 掩蔽作用 。 因此在对硅片进行化学清洗时， 首先应该把它们清楚干净。2、离子型和原子型吸附的杂质属于化学吸附杂质，其吸附力都较强。在一般情况下，原子型吸附杂质的量较小，在化学

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简介：集成电路制造用 300毫米硅片技术研发与产业化项目岩 土 工 程 勘 察 报 告 书勘察阶段 详细勘察工程编号 2015-S-02 信 息 产 业 部 电 子 综 合 勘 察 研 究 院二 ○ 一 五 年 五 月集成电路制造用 300毫米硅片技术研发与产业化项目岩 土 工 程 勘 察 报 告 书勘察阶段 详细勘察工程编号 2015-S-02 院 长 范福会总 工 程 师 陈冬贵审 定 人 陈冬贵审 核 人 王能民工程负责人储王应信 息 产 业 部 电 子 综 合 勘 察 研 究 院二 ○ 一 五 年 五 月I 文字部分一、前言（一）工程概况（二）编制依据和勘察工作执行的

简介：硅片隐裂痕的粗浅分析---Choo 2008-05-07 由共价键结合而成的硅是典型的脆性材料，其主解理面为｛ 111｝面，而 S125 和 S156硅片大多为｛ 100｝晶面族，如果硅片在工艺过程中积累了过多的解理裂痕，则裂痕会产生扩展并脆断，所以就有很多沿解理面或非解理面的穿晶断裂出现。经观察与粗略统计，大多数硅片的断裂部位位于对角线约 1/8 处（如图 1.图 2.） ，所以不妨以 1/8 处碎片作为研究对象，而对那些潜在于工艺环节中的，可造成隐裂痕的，设备操作或人工操作方法进行分析。 以下从公司现有设备角度和生产工具的使用角度着手， 统计了整个电池片生产过程中几乎所有可造成隐裂痕的工

简介：硅片酸腐蚀与碱腐蚀工艺比较参数 酸腐蚀工艺 碱腐蚀工艺腐蚀特性 各向同性 各向异性腐蚀反应的热量 放热 吸热表面平坦度 （ STIR\TIR\TTV ）需要依靠晶片的旋转、 特制的夹具、 通气体充分搅拌腐蚀液等特殊机构及工艺手段来改善其表面平坦度不需要特殊机构便可达到一定的表面平坦度腐蚀后表面粗糙度（ Ra ） 比碱腐蚀工艺小， 与晶片原有的损伤程度有关 比酸腐蚀工艺大， 与晶片原有的损伤程度有关硅片表面残留的微粒原先就已存在于晶片表面上的微粒就难去掉， 较低的表面粗糙度不容易吸附微粒原先就已存在于晶片表面上的微粒容易去掉， 较差的表面粗糙度容易吸附微粒金属污染程度 Cu\Ni 腐蚀液的

简介：序号 国内主流企业1 保利协鑫2 江西赛维 LDK太阳能高科技有限公司3 浙江昱辉阳光能源有限公司4 英利绿色能源控股有限公司5 常州天合光能有限公司6 河北晶龙集团7 新疆新能源股份有限公司8 大全新能源9 天威新能源10 晶科能源11 通威集团12 阿特斯13 江苏环太集团14 江苏中盛光电有限公司15 安徽新光太阳能科技有限公司16 江苏顺大集团17 精功绍兴太阳能技术有限公司18 江阴海润科技有限公司19 洛阳中硅高科技有限公司20 凤凰光伏21 西安龙基22 常州亿晶光电科技有限公司23 高佳太阳能24 天津市环欧半导体材料技术有限公司25 上海卡姆丹克太阳能科技有限公司26 上海

简介：收稿日期 1999- 07- 12硅片清洗原理与方法综述刘传军 赵 权 刘春香 杨洪星电子四十六所 , 天津 300220摘要 对硅片清洗的基本理论 、 常用工艺方法和技术进行了详细的论述 , 同时对一些常用的清洗方案进行了浅析 , 并对硅片清洗的重要性和发展前景作了简单论述 。关键词 硅片 清洗 湿法化学清洗中图分类号 TN 30512 文献标识码 A 文章编号 100125507 2000 2230207Theory and M ethod of Sil icon W afer Clean ingL iu Chuan jun, Zhao Q uan, L

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简介：输入 结果硅片面积计算边长 125 mm对角线 150 mma 62.5L 75b 41.45781一角弧长 29.95689缺角面积 191.7535硅片面积 148.5799 平方厘米La2b

简介：毕业设计（论文）题 目 硅片清洗原理与改进方法所 属 系 太阳能科学与工程系专 业 光伏材料加工与应用技术I 硅片清洗原理与改进方法摘 要随着大规模集成电路的发展 , 集成度的不断提高 , 线宽的不断减小 , 对硅片的质量要求也越来越高 , 特别是对硅抛光片的表面质量要求越来越严。在硅晶体管和集成电路生产中 , 几乎每道工序都有硅片清洗的问题 , 硅片清洗的好坏对器件性能有严重的影响 , 处理不当 , 可能使全部硅片报废 , 做不出管子来 , 或者制造出来的器件性能低劣 , 稳定性和可靠性很差。因此弄清楚硅片清洗的方法和原理 , 不管是对于从事硅片加工的人 , 还是对于从事半导体器件生产的人

简介：关键词硅片 线切割 钢线1、引言硅片多线切割技术是目前世界上先进的硅片切割加工方法之一，它是与传统的切割方式，如刀锯、砂轮片等不同的， 也与先进比较先进的切割技术，如 激光切割 或是内圆切割有差别。总体来讲，它是用一根高速传动的钢丝线来带动附着在其上的切割刃料高速的走动，使得与待切割硅棒进行摩擦，从而完成切割。下文将详细介绍其原理和简单工作流程。2、硅片线切割技术原理简介2.1 宏观机理从硅片多线切割设备的宏观机理简图看待切割的晶棒由玻璃板固定于不锈钢的工件上，然后放在切割机的相应部位上， 导轮经过开槽工艺来对对精密线槽进行处理， 钢线有序的缠绕在四个导轮上形成了上下两个互相平行的线网。