简介：收稿日期 1999- 07- 12硅片清洗原理与方法综述刘传军 赵 权 刘春香 杨洪星电子四十六所 , 天津 300220摘要 对硅片清洗的基本理论 、 常用工艺方法和技术进行了详细的论述 , 同时对一些常用的清洗方案进行了浅析 , 并对硅片清洗的重要性和发展前景作了简单论述 。关键词 硅片 清洗 湿法化学清洗中图分类号 TN 30512 文献标识码 A 文章编号 100125507 2000 2230207Theory and M ethod of Sil icon W afer Clean ingL iu Chuan jun, Zhao Q uan, L

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简介：ME S研发及实施成果报告『硅片事业部生产管理 MES系统软件项目』研发及实施总结报告报告人杨涛二〇一四年一月ME S研发及实施成果报告i目 录1. 项目概况 11.1 项目背景 11.2 项目目标 31.3 项目范围 31.3.1 项目业务范围 . 31.3.2 实施（应用）范围 . 32. 系统总体设计 42.1 系统体系结构 42.2 系统开发及应用环境 52.3 与其它系统关系 /接口 . 53. 系统功能 63.1 业务流程模块 63.1.1 铸锭管理 . 63.1.2 开方管理 . 123.1.3 机加管理 . 143.1.4 硅料清洗管理 . 193.1.5

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简介：硅片清洗机行业发展预测与投资咨询报告2016-2020 1核心内容提要产业链（ Industry Chain ）狭义产业链是指从原材料一直到终端产品制造的各生产部门的完整链条， 主要面向具体生产制造环节；广义产业链则是在面向生产的狭义产业链基础上尽可能地向上下游拓展延伸。 产业链向上游延伸一般使得产业链进入到基础产业环节和技术研发环节， 向下游拓展则进入到市场拓展环节。 产业链的实质就是不同产业的企业之间的关联， 而这种产业关联的实质则是各产业中的企业之间的供给与需求的关系。市场规模（ Market Size ）市场规模（ Market Size ） ，即市场容量，本报告里，指的是目标产品或

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简介：硅片生产流程及主要设备作为一种取之不尽的清洁能源，太阳能的开发利用正引起人类从未有过的极大关注。 商业化太阳能电池采用的是无毒性的晶硅， 单晶和多晶硅电池的特点是光电转换效率高、 寿命长且稳定性好。 硅片是晶体硅光伏电池加工成本中最昂贵的部分 , 随着半导体制造技术的不断成熟完善， 硅片制造成本不断降低。 硅片切割是太阳能光伏电池制造工艺中的关键部分 , 太阳能电池所用硅片的切割成本一直居高不下， 要占到太阳能电池总制造成本的 30％以上。 所以降低这部分的制造成本对于提高太阳能对传统 能源的竞争力至关重要。 目前硅片的切割方法都是围绕如何减小切缝损失、 降低切割厚度、 增大切片尺寸及提高切

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简介：硅片清洗技术半导体硅片 SC-2 清洗技术1 清洗液中的金属附着现象在碱性清洗液中易发生，在酸性溶液中不易发生，并具有较强的去除晶片表面金属的能力，但经 SC-1 洗后虽能去除 Cu 等金属，而晶片表面形成的自然氧化膜的附着（特别是Al）问题还未解决。2 硅片表面经 SC-2 液洗后，表面 Si 大部分以 O 键为终端结构，形成一层自然氧化膜，呈亲水性。3 由于晶片表面的 SiO2 和 Si 不能被腐蚀，因此不能达到去除粒子的效果。a.实验表明 2l; e43O 1|/据报道将经过 SC-2 液， 洗后的硅片分别放到添加 Cu 的 DHF 清洗或 HFH2O2 清洗液中清洗、 硅片表

简介：太阳能硅片切割技术太阳能硅片的线切割机理就是机器导轮在高速运转中带动钢线， 从而由钢线将聚乙二醇和碳化硅微粉混合的砂浆送到切割区， 在钢线的高速运转中与压在线网上的工件连续发生摩擦完成切割的过程。在整个切割过程中， 对硅片的质量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂浆的粘度、砂浆的流量、钢线的速度、钢线的张力以及工件的进给速度等。一、切割液（ PEG）的粘度由于在整个切割过程中， 碳化硅微粉是悬浮在切割液上而通过钢线进行切割的，所以切割液主要起悬浮和冷却的作用。1 、切割液的粘度是碳化硅微粉悬浮的重要保证。由于不同的机器开发设计的系统思维不同， 因而对砂浆的粘度也不

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简介：硅片清洗的方法一、 硅片清洗的重要性硅片清洗是半导体器件制造中最重要最频繁的步骤， 而且其效率将直接影响到器件的成品率、性能和可靠性。现在人们已研制出了很多种可用于硅片清洗的工艺方法和技术， 常见的有 湿法化学清洗、超声清洗法、兆声清洗法、鼓泡清洗法、擦洗法、高压喷射法、离心喷射法、流体力学法、流体动力学法、干法清洗、微集射束流法、激光束清洗、冷凝喷雾技术、气相清洗、非浸润液体喷射法、硅片在线真空清洗技术、 RCA标准清洗、 等离子体清洗、原位水冲洗法等。这些方法和技术现已广泛应用于硅片加工和器件制造中的硅片清洗。表面沾污指硅表面上沉积有粒子、 金属、 有机物、 湿气分子和自然氧化物等的一

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简介：宋翠明设计多晶硅片 wafer type 156.75对角线 diameter 220.17798已知C known number 1.5 mm则小三角形腰为 small triangle waist 1.06 mm小三角形面积为 triangle area 0.5618 mm2多晶硅片面积为 wafer area 24568.315 mm2 245.683153 cm2硅片厚度 thickness 0.0186 cm硅料密度 poly desity 2.33 g/cm3每片硅片重量 wafer weight 10.647416 g每公斤方棒长度 17.469026 mmwafer

简介：硅片为何要切边其实早期的硅片并不切边 ,但随着微电子业发展开始切边 ,原因如下 1, 微电子器件在晶圆上可以做 n 多个 ,需切割下来 ,而单晶硅生长是有晶向要求的 ,切割沿某一方向好切不乱裂 ,就是专业上称的解理面 .切边就告诉您解理方向 . 2, 硅片分 N 型和 P 型 ,有规范的切边还告知您它是 n 型电特性还是 p 型电特性 ,1 U x“ q3 e I0 O3, 现在微电子生产己经自动化 ,例如光刻的曝光若没有切边定位 ,那么掩膜版与晶片图型会相差 180 度或某种不定位置 ,生产效率会很低 ., 4, 硅片的用途很多 ,除了 n/p 还要有晶向 ,例如做 me