简介：1 / 8硅片碱液清洗设备技术方案书编 制 审 核会 签原料加工部 综合计划部 安环部质量检验部 人事行政部 财务部批 准 日 期 年 月 日呼和浩特市欧通能源科技有限公司2 / 8目 录一、系统要求 . 3二、清洗原理 . 3三、设备结构组成 . 3四、流程总述 . 4五、清洗工艺流程 . 4六、设备主要技术参数 . 51、热水压力喷淋清洗工位 . 52、碱液刷洗工位 . 53、压力喷淋漂洗工位 . 54、吸水辊吸水工位 . 65、风刀切液工位 . 6七、系统描述 . 61、上、下料装置 . 62、热水压力喷淋清洗工位、压力喷淋漂洗工位 . 73、碱液刷洗工

简介：硅片切割线痕的起因与降低方法摘 要 线痕的存在会影响电池片的生产工艺。是太阳能硅片生产中比较重要的一个问题。本文分析了多晶太阳能级硅片产生线痕的原因 .并针对各不同成因。对降低和避免硅片线痕的措施进行了探讨。关键词 硅片 线痕 起因 降低方法前 言硅棒的切割不管是在半导体行业还是太阳能光伏行业都是必不可少的一道工序， 硅片质量的好坏直接关系到后续工序的制造和加工。线痕是影响硅片表面质量的一个比较重要因索。 半导体行业对硅片表面质量要求较高， 但其线痕并不是一个大问题， 因为相对而言其硅片较厚， 切割过后有一抛光研磨过程可以去除线痕 ;而光伏行业的硅片非常薄 （ 160-220um ） ，因此

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简介：2006 年 12月总第 156 期 第 6期金刚石与磨料磨具工程D iamond 精密切割 ;游离磨料多线锯 ;固着磨料多线锯中图分类号 TF125. 3 文献标识码 AProgress of m ulti - w ire saw for prec ision slic ing of sili con waferZhang Feng lin Yuan Hu i Zho u Yum e i W ang C hengyo ng Faculty of M echanical and E lectronic Engineering, Guangdong U niversit

简介：Measurements of the Bond Strength for Wafer BondingXIAO Ying2ying1 , WANG Jian2hua1 , HUANG Qing2an2 , QIN Ming 21. School of Science, Hefei University of Technology, Hefei 230009 , China ; 2. Key Laboratory of MEMS of Ministry of Education, SoutheastUniversity , Nanjing 210096 , ChinaAbstract

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简介：预冲洗时间预冲洗水温温度时间温度时间温度时间隔板放置间距脱胶后拿片数脱胶后硅片放置拿片数量水浸硅片程度插片要领各清洗槽水温各清洗槽水质要求药剂添加药剂更换 / 清零及检查清洗时间甩干机碎片清理甩干时间及温度5.1 硅片清洗工艺标准2、范围芯能光伏宜兴厂区。3、参考文件硅片清洗作业指导书 4、定义管制数据文件 / 表单管制项目技术文件文件名称硅片清洗工艺标准化明细文件编号版 本 号A批准 / 日期审核 / 日期编制 / 日期1、目的规范清洗工序参数设定，使该工序加工程序处于受控状态。无5. 技术 / 工艺方法页 号 1/1修订状态0发布日期第五

简介：结果单位名 网址西安骊晶电子技术有限公司 陕西省西安市高新区新型工业园创汇路 9号晶龙实业集团有限公司 河北省宁晋县晶龙大街 16号英利绿色能源控股有限公司 河北省保定市高新区复兴中路 3055号 071051江西赛维 LDK太阳能高科技有限公司 江西省新余市高新技术开发区上海卡姆丹克太阳能科技有限公司 上海市南汇区惠南镇西门智能苑慈溪人和光伏电器有限公司 浙江省慈溪市新浦镇四塘江路 5号青岛金晶股份有限公司 山东省青岛市经济技术开发区江山北路 201号河南洛阳中硅高科技有限公司 河南省洛阳偃师高龙工业园 471931 洛阳单晶硅有限责任公司 河南省洛阳市西工区九都路 77号 4

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简介：硅片清洗及最新发展 X刘红艳 3 , 万关良 , 闫志瑞北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司 , 北京 100088摘要 对目前硅片湿式化学清洗方法中常用的化学清洗溶液的清洗机理、 清洗特点、 清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细论述。 介绍了兆声波、 臭氧、 电解离子水、 只用 HF 清洗或简化常规工艺后最后用 HF 清洗等最新的硅片清洗技术 , 指出了硅片清洗工艺的发展趋势。关键词 硅片 ; 硅片清洗 ; 硅片表面微观状态中图分类号 TN304 文献标识码 A 文章编号 1000 - 4343 2003 - 0144 -

简介：标准 RCA清洗操作流程 Standard RCA cleaning operating procedure化学溶剂 溶剂配比 清洗温度 时间1 H2SO4H2O2 SPM 41 120℃ 5 min2 D.I. H 2O 室温3 HFH 2O DHF 150 室温 1 min4 D.I. H 2O 室温5 NH4OHH2O2H2O SC1 115 70-80℃ 10 min6 D.I. H 2O 室温7 HFH 2O DHF 150 室温 1 min8 D.I. H 2O 室温9 HClH 2O2H2O SC2 116 70-80℃ 10 m

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简介：宋翠明设计多晶硅片 wafer type 156.75对角线 diameter 220.17798已知C known number 1.5 mm则小三角形腰为 small triangle waist 1.06 mm小三角形面积为 triangle area 0.5618 mm2多晶硅片面积为 wafer area 24568.315 mm2 245.683153 cm2硅片厚度 thickness 0.0186 cm硅料密度 poly desity 2.33 g/cm3每片硅片重量 wafer weight 10.647416 g每公斤方棒长度 17.469026 mmwafer

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