【CITPV】铸锭单晶高效组件助力平价上网_协鑫集成

协鑫集成科技股份有限公司GCL System Integration Technology Co., Ltd.铸锭单晶高效组件助力平价上网 协鑫一体化产业链 25% 1 2 0 ,0 0 0 吨 25% 全球晶体硅市场占有量30% 4 0 GW30% 全球晶体硅片市场占有量NO. 2 7 GW 完成7GW装机，排名行业第二PV Manufacturer TOP 10 6 GW2018年全球10大组件供应商6 GW 组件产能NO.1 硅片晶体硅材料独立电站光伏组件 1 铸锭单晶组件性能及可靠性3 400W+铸锭单晶前沿组件技术开发2 铸锭单晶组件产品应用 2019年下半年，我国光伏产业所面对的是一个以提质、降本、增效为目标的政策调整年，同时也是一个技术风云变幻、创新连绵不断的市场调整年。光伏产业只有以技术进步为核心，不断推动技术创新，全面提高全产业链的技术研发和制造能力，加速推动光伏发电成本的下降，通过产业自身竞争力的提高来扩大应用领域和规模，才是未来生存发展的关键所在。谁掌握了新技术，谁在技术创新中走在前列，谁就有了更多的话语权。光伏平价上网有2个重要点：第一就是产品的高效、高功率；第二就是后期的组件功率低衰减、弱光发电、双面发电以及双面组件的双面率。前言 光伏超低价格时代来临组件的发展趋势 · 单位面积效率提升结合单位面积组件成本的下降相结合是未来的发展大趋势 来自客户的呼声多晶? 单晶 ─ 我们的一位客户 “你们是否能提供一种价格贴近多晶但如单晶那种高效的产品”组件功率 价格 铸锭单晶产品诞生 多晶 单晶 “我们可以! ”组件功率 价格?铸锭单晶 铸锭单晶铸锭基本原理 • 采用铸锭炉，以定向凝固的方式进行晶体生长，产出铸锭单晶大锭• 与常规多晶铸锭相比，主要差异在于底部籽晶采用单晶短方锭铺设，以及独创的铺设晶向及方法 籽晶熔化 定向生长铸锭单晶 装料籽晶铺设Mono SeedPolysilicon 1、铸锭单晶外观--硅片 p 铸锭单晶硅片采用金刚线切割，外观与常规单晶类似；p 与多晶硅片主要区别在于，碱制绒后无晶花，类似直拉单晶； 全新的热场技术 全新的籽晶拼接技术 高质量的铸锭单晶• 全新热场设计、提高对称性，分段式加热控制• 有效抑制侧部形核，降低位错，实现高品质整锭铸锭单晶1、先进的晶体生长工艺，保障晶体质量 1、铸锭单晶外观--电池＞1% NG ≤1% OK 持续7年对技术的改良和对品质的追求p 用分选机将单晶面积小于99%的硅片选为三类片,其他好的硅片都是G3硅片或全单晶或其他晶粒面积比不超过1%，从而保证了电池片或组件上没有晶花铸锭单晶电池 2 0 1 1 铸锭单晶电池2 0 1 8 1、铸锭单晶外观--电池和组件 小于1%晶花面积比例：10% VS 铸锭单晶组件 CZ单晶组件铸锭单晶电池完全单晶外观比例：约90% • 采用碱制绒条件下，可获得高功率输出与近乎完美的铸锭单晶组件外观• 部分客户采用黑硅制绒，外观更佳、功率水平与碱制绒相当 1、铸锭单晶外观--MBB组件典型外观 2、铸锭单晶低衰减直拉单晶硅片电阻率分布 0.7~1.0欧姆·厘米 • 铸锭单晶硅片电阻率分布更集中，有利于PERC电池工艺匹配，提升高效产出比• 铸锭单晶硅片氧含量约为直拉单晶含量50%以下，有效降低硼-氧复合体带来的光致衰减 5 1 2051015 鑫单晶 单晶硅片平均氧含量 ppma0.5~1.5欧姆·厘米 铸锭单晶硅片电阻率分布 Ø 铸 锭 单 晶 硅 片 电 阻 率 及 氧 含 量 表 现 铸锭单晶比单晶更低的LID光衰 · 铸锭单晶的含氧量比单晶低40% ，有效改善了组件光衰 2、铸锭单晶低衰减—电池LIDØ 更 低 的 LID光 衰 表 现 – 低 含 氧 量 Ø 性 能 优 越 ， 铸 锭 单 晶 组 件 LID表 现 突 出2、铸锭单晶低衰减—组件LID 2、铸锭单晶低衰减—组件LID -0.96 -1.07 -0.62-1.2-1-0.8-0.6-0.4-0.20 LID：60Kwh/m2 后衰减表现Sample 1 Sample 2 Sample 3Ø 更 低 的 组 件 光 衰 表 现 – LID 2、铸锭单晶低衰减--组件优异的抗LeTID性能 Ø 获得全球首批LeTID低衰减认证，表明协鑫集成“铸锭单晶”组件具有优异的抗LeTID性能。 2、铸锭单晶低衰减--组件优异的抗LeTID性能5 1 202 0 鑫单晶 单晶氧含量 ppma1 .1 0 % 0 .8 0 % 1 .5 0 %0 .0 0 %1 .0 0 %2 .0 0 % 电 池 LeTID （ 8 5 ℃ 2 0 0 KWh）多 晶 黑 硅 PERC 鑫 单 晶 PERC 单 晶 PERC p 鑫单晶组件优点：氧含量低 LID低,LeTID表现优异 TUV莱 茵 LeTID测 试 条 件 :- 电 流 [A] : 2 x (ISC-IMPP)- 温 度 [° C ] : 7 5 ± 3- 测 试 时 间 [Hrs]: 3 0 0 h (+4 /-0 h) 3、铸锭单晶组件--优异的抗PID性能 Voltage Time Temp RH-1 5 0 0 V 9 6 h and 1 9 2 h 8 5 ± 2 ℃ 8 5 ± 5 %Ø测 试 条 件Ø 加 倍 2 *PID测 试 ， Pmax平 均 衰 减 为 3 .8 %(IEC标 准 ： PID： 5%）-1 .2 3 % -1 .7 5 %-3 .5 2 % -4 .0 8 %-5 .0 0 %-4 .0 0 %-3 .0 0 %-2 .0 0 %-1 .0 0 %0 .0 0 % 1 2 1 9 0 1 3 0 6 8 9 0 0 8 7 1 2 1 9 0 1 3 0 6 8 9 0 1 3 5 1 *PID 2 *PID2 *PID TEST3、铸锭单晶组件--优异的抗PID性能 -2 .9 7 % -2 .9 2 %-3 .1 1 % -2 .9 3 %-5 .0 0 %-4 .0 0 %-3 .0 0 %-2 .0 0 %-1 .0 0 %0 .0 0 % 1 2 1 9 0 1 3 0 6 8 9 0 0 9 0 1 2 1 9 0 1 3 0 6 8 9 0 1 0 8 DH1 0 0 0 DH2 0 0 0DH2000 TestØ DH2000高 温 高 湿 2000小 时 ， 85%RH， 85℃ ， Pmax 平 均 衰 减 为 -3.02% (IEC标 准 ： DH000： 5%）4、铸锭单晶组件--优异的长期抗老化性能 -0 .4 4 % -0 .3 1 %-1 .0 2 % -0 .7 2 %-1 .2 0 %-1 .0 0 %-0 .8 0 %-0 .6 0 %-0 .4 0 %-0 .2 0 %0 .0 0 % 1 2 1 9 0 1 3 0 6 8 9 0 1 4 4 1 2 1 9 0 1 3 0 6 8 9 0 0 8 9 TC2 0 0 TC4 0 0TC4 0 0 Test4、铸锭单晶组件--优异的长期抗老化性能Ø TC400高 低 温 400个 循 环 ， -40℃  85℃ ， Pmax 平 均 衰 减 为 -0.87% (IEC标 准 ： TC200： 5%） -0 .6 4 % -0 .7 1 %-0 .8 0 % -1 .5 6 %-1 .8 0 %-1 .6 0 %-1 .4 0 %-1 .2 0 %-1 .0 0 %-0 .8 0 %-0 .6 0 %-0 .4 0 %-0 .2 0 %0 .0 0 % 1 2 1 9 0 1 3 0 6 8 9 0 0 8 1 1 2 1 9 0 1 3 0 6 8 9 0 1 4 2 HF1 0 HF2 0HF2 0 TEST4、铸锭单晶组件--优异的长期抗老化性能Ø HF20湿 冻 20个 循 环 ， -40℃  85℃ ， 85%RH， Pmax 平 均 衰 减 为 -1.18% (IEC标 准 ： HF10： 5%） Ø UV30加 倍 紫 外 老 化 测 试 ， Pmax平 均 衰 减 为 1.54%(IEC标 准 ： UV15： 5%）-1 .0 0 % -1 .7 8 %-1 .2 3 % -1 .8 4 %-2 .0 0 %-1 .8 0 %-1 .6 0 %-1 .4 0 %-1 .2 0 %-1 .0 0 %-0 .8 0 %-0 .6 0 %-0 .4 0 %-0 .2 0 %0 .0 0 % 1 5 kWh/m² 3 0 kWh/m²1 2 1 9 0 1 3 0 6 8 9 0 0 8 1UV3 0 TEST 4、铸锭单晶组件--优异的长期抗老化性能 Group QTY Eta Uoc Isc FF Rs Rsh IRev2MBB+SE 99903 22% 0.6832 10.03 80.98 0.0014 621.02 0.0762Ø MBB+PERC+SE同工艺情况下，铸锭单晶较直拉单晶22.2%效率相差0.20% 3 .8 % 1 0 .2 % 1 5 .9 % 1 7 .0 % 1 3 .4 % 9 .7 % 8 .2 % 5 .7 % 3 .4 % 5 .6 % 2 .4 % 3 .3 % 1 .0 2 % 1 .9 8 % 1 .6 8 % 0 .0 %2 .0 %4 .0 %6 .0 %8 .0 %1 0 .0 %1 2 .0 %1 4 .0 %1 6 .0 %1 8 .0 %-2 ,0 0 04 ,0 0 06 ,0 0 08 ,0 0 01 0 ,0 0 01 2 ,0 0 01 4 ,0 0 01 6 ,0 0 01 8 ,0 0 0 2 2 .0 0 % 2 1 .9 0 % 2 1 .8 0 % 2 1 .7 0 % 2 1 .6 0 % 2 1 .5 0 % 2 1 .4 0 % 2 1 .3 0 % 2 1 .2 0 % 2 0 .9 0 % 2 0 .5 0 % B级 片 C级 D级 碎 片各 项 产 出 数 量 和 比 例 汇 总 5、铸锭单晶--电池效率更高Ø 铸 锭 单 晶 电 池 性 能 表 现 ： 碱 制 绒 +PERC+MBB+SE 5、铸锭单晶—组件功率输出更高Ø 高 效 的 铸 锭 单 晶 结 构 和 更 大 的 电 池 尺 寸 · 相比1 5 6 .7 5 倒角单晶，铸锭直角结构为组件带来更多3 .1 4 % 的有效面积 · 采用常规7 2 全片版型，拥有与单晶相比毫不逊色的组件效率5 % 5 0 % 4 5 %0 %1 0 %2 0 %3 0 %4 0 %5 0 % 6 0 % 3 7 5 W 3 8 0 W 3 8 5 W 158.75*158.75 毫米 156.75*156.75 毫米 5、铸锭单晶—组件功率输出更高 0 %1 0 %2 0 %3 0 %4 0 %5 0 %6 0 %7 0 % 370W 375W 380W 385W 390W72片版型整片组件功率158.75鑫单晶 158.75方单晶• 158.75mm尺寸硅片铸锭单晶72片组件功率输出以380Wp为主• 与158.75mm尺寸直拉单晶全方片相同PERC电池工艺72片组件相比，差距5Wp以内Ø 铸 锭 单 晶 组 件 功 率 分 布 小结-铸锭单晶产品优势1 432低氧含量结合自主知识产权掺杂技术，保证产品高品质、低LIDLeTID衰减.优异的抗PID及抗老化性能.结构均一特性保证稳定的电能输出. 叠加大硅片技术提高单片电池功率.叠加PERC或SE电池技术提高效率.叠加半片或叠瓦技术提高性能和功率.优化铸锭参数，多晶炉制造单晶产品. 大尺寸、薄片切割方案，降本增效.降低单瓦硅料用量，推动系统成本降低. 铸锭单晶与直拉单晶相比每公斤电耗低20~30度诠释绿色能源、绿色生产满足海外市场碳足迹门槛要求 1 铸锭单晶组件性能及可靠性3 400W+铸锭单晶前沿组件技术开发2 铸锭单晶组件产品应用