1HIT电池缓冲层的关键技术发展概述_白晓宇

综 述２０１３．４ Ｖｏｌ．３７ Ｎｏ．４收稿日期： ２０１２－ ０９－ ０１基金项目： 国家科技支撑计划 （２０１０ＢＡＫ６９Ｂ２５）作者简介： 白晓宇 （１９９０ — ） ， 男， 山西省人， 硕士生， 主要研究方向为太阳电池技术 。６９０ＨＩＴ 电池缓冲层的关键技术发展概述白 晓 宇 １，２ ， 郭 群 超 １ ， 李红 波 １，２（１． 上海太阳能工程技术研究中心， 上海 ２００２４１ ； ２． 上海空间电源研究所， 上海 ２００２４５）摘要： ＨＩＴ 电池由日本 Ｓａｎｙｏ 公司于 １９９０ 年提出， 目前已达到 ２３．７％ 的最高效率 。 ＨＩＴ 电池制备的关键技术在于其本征缓冲层的工艺 。 大量研究表明本征硅薄膜缓冲层在硅片上沉积时很容易发生外延生长 。 对于外延生长影响的认识存在着很大争议， 有学者认为其中含有大量缺陷态， 会降低电池性能， 并提出了完全阻止外延生长的新结构， 但也有学者认为恰恰是外延结构真正起到了钝化界面的作用 。 分析认为， 不同甚至相互矛盾的实验结果可能与外延结构生长时缺陷态密度的控制有关， 外延结构不是影响电池性能的关键， 外延结构中的缺陷态密度才是影响电池性能的重要因素 。关键词： ＨＩＴ 电池； 缓冲层； 外延； 缺陷态密度中图分类号： ＴＭ ９１４．４ 文献标识码： Ａ 文章编号： １００２－ ０８７ Ｘ（２０１３）０４－ ０６９０－ ０３Ｏｖｅｒｖｉｅｗ ｏｆ ｋｅｙ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｆ ＨＩＴ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌｓ＇ ｂｕｆｆｅｒ ｌａｙｅｒＢＡＩ Ｘｉａｏ－ｙｕ １，２ ， ＧＵＯ Ｑｕｎ－ｃｈａｏ １ ， ＬＩ Ｈｏｎｇ－ｂｏ １，２（１． Ｓｈａｎｇｈａｉ Ｓｏｌａｒ Ｅｎｅｒｇｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｅｎｔｅｒ， Ｓｈａｎｇｈａｉ ２００２４１， Ｃｈｉｎａ； ２． Ｓｈａｎｇｈａｉ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｓｐａｃｅ Ｐｏｗｅｒ， Ｓｈａｎｇｈａｉ ２００２４５， Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ： ＨＩＴ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ ｗａｓ ｉｎｖｅｎｔｅｄ ｂｙ Ｓａｎｙｏ ｉｎ １９９０． Ｎｏｗ ｉｔｓ ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ｈａｓ ａｃｈｉｅｖｅｄ ２３．７％．Ｔｈｅ ｋｅｙｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ ＨＩＴ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌｓ ｉｓ ｔｈｅ ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ ｂｕｆｆｅｒ ｌａｙｅｒ． Ｎｕｍｅｒｏｕｓ ｓｔｕｄｉｅｓ ｓｈｏｗ ｔｈａｔ ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｉｓ ｅａｓｙ ｔｏｆｏｒｍ ｗｈｅｎ ｓｉｌｉｃｏｎ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ ｂｕｆｆｅｒ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｓ ｏｎ ｗａｆｅｒｓ ． Ｔｈｅｒｅ ｉｓ ａ ｃｏｎｓｉｄｅｒａｂｌｅ ｃｏｎｔｒｏｖｅｒｓｙ ａｂｏｕｔ ｔｈｅｍｅｃｈａｎｉｓｍ ｏｆ ｔｈｅ ｉｍｐａｃｔ ｆｏｒ ｔｈｅ ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ， ｓｏｍｅ ｓｃｈｏｌａｒｓ ｂｅｌｉｅｖｅ ｔｈａｔ ｉｔ ｃｏｎｔａｉｎｓ ａ ｌａｒｇｅ ｎｕｍｂｅｒ ｏｆ ｄｅｆｅｃｔｓｔａｔｅｓ ， ａｎｄ ｗｉｌｌ ｒｅｄｕｃｅ ｔｈｅ ｃｅｌｌ＇ｓ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ； ｔｈｅｙ ｅｖｅｎ ｐｒｅｓｅｎｔ ｓｏｍｅ ｎｅｗ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ｔｏ ｅｎｔｉｒｅｌｙ ｐｒｅｖｅｎｔ ｅｐｉｔａｘｉａｌｇｒｏｗｔｈ． Ｈｏｗｅｖｅｒ， ｏｔｈｅｒ ｓｃｈｏｌａｒｓ ｂｅｌｉｅｖｅ ｔｈａｔ ｉｔ ｉｓ ｐｒｅｃｉｓｅｌｙ ｔｈｅ ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｗｈｉｃｈ ｐｌａｙｓ ａ ｋｅｙ ｒｏｌｅ ｔｏ ｐａｓｓｉｖａｔｅｔｈｅ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ． Ａｎａｌｙｓｅｓ ｓｈｏｗ ｔｈａｔ， ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ａｎｄ ｅｖｅｎ ｃｏｎｆｌｉｃｔｉｎｇ ｒｅｓｕｌｔｓ ｍａｙ ｂｅ ｒｅｌａｔｅｄ ｔｏ ｔｈｅ ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ｄｅｆｅｃｔ ｓｔａｔｅｓｏｆ ｔｈｅ ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ， ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｉｓ ｎｏｔ ｔｈｅ ｋｅｙ ｆａｃｔｏｒｓ ａｆｆｅｃｔｉｎｇ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌｓ ’ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ， ａｎｄ ｏｎ ｔｈｅｃｏｎｔｒａｒｙ， ｔｈｅ ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ｄｅｆｅｃｔ ｓｔａｔｅｓ ｏｆ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ ｉｓ ｔｈｅ ｉｍｐｏｒｔａｎｔ ｆａｃｔｏｒ．Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ ： ＨＩＴ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ； ｂｕｆｆｅｒ ｌａｙｅｒ； ｅｐｉｔａｘｉａｌ； ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ｄｅｆｅｃｔ ｓｔａｔｅｓ能源是人类社会存在和发展的重要物质基础 。 随着不可再生资源日益减少， 光伏发电逐渐受到人们的重视 。 多年来各国科学家一直在努力研究低成本高效薄膜太阳电池技术，１９９０ 年日本 Ｓａｎｙｏ 公司在非晶硅薄膜太阳电池的基础上提出了 ａ－Ｓｉ／ｃ－Ｓｉ 异质结太阳电池，并称其为 ＨＩＴ（ｈｅｔｅｒｏ－ｊｕｎｃｔｉｏｎｗｉｔｈ ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ ｔｈｉｎ ｌａｙｅｒ） 电池 ［１］ 。 ＨＩＴ 电池既利用了薄膜电池的制造工艺优势， 又发挥了晶体硅和非晶硅的材料性能特点， 具有实现高效 、 低成本太阳电池的发展前景 。１ Ｓａｎｙｏ 公司的 ＨＩＴ 电池Ｓａｎｙｏ 公司的 ＨＩＴ 电池典型结构如图 １ 所示，在 ｎ 型单晶硅片上下两面分别沉积 ｐ／ｉ 非晶硅薄膜和 ｎ ＋ ／ｉ 非晶硅薄膜，形成对称的 ＨＩＴ 电池结构 。 电池前表面形成 ｐｎ 结， 后表面形成背表面场，同时还可以作为双面电池有效利用背面的反射光来提升电池效率 。 Ｓａｎｙｏ 的最新报道称其 ＨＩＴ 电池采用 ９８μ ｍ 的 ｎ 型单晶硅衬底实验室转换效率已达到 ２３．７％ （１００．７ｃｍ ２ ） ［２］ 。 Ｓａｎｙｏ 公司曾在 ２００９ 年宣布采用常规厚度的硅片电池效率可达 ２３％ 。 ＨＩＴ 电池可以在低温 （２００ ℃ ） 下完成全部工艺，使得其成本降低的同时避免了高温对硅片的损伤，而且可以采用超薄硅片加工， 在硅片越来越薄的发展趋势下， 相对于传统晶硅电池， ＨＩＴ 电池具有明显的优势 。 与传统晶硅电池相比它还具有优良的温度特性， 同时可以获得很高的开路电压 ［３］ 。在研究 ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｃ－Ｓｉ 异质结电池的众多机构和企业中， 只有Ｓａｎｙｏ 公司的 ＨＩＴ 电池成功实现了产业化， 没有其他的实验组可以达到 Ｓａｎｙｏ 公司如此高的电池效率 。 人们普遍认为， Ｓａｎｙｏ公司之所以能取得这样高的光电转换效率， 是由于在 ｐｎ 结中i-a-Si:Hp-a-Si:Hn-c-Si n+-a-Si:Hi-a-Si:HTCO TCO图 １ ＨＩＴ 电池的典型结构示意图综 述２０１３．４ Ｖｏｌ．３７ Ｎｏ．４６９１插入一个本征缓冲层，优良的本征缓冲层制备工艺对硅片表面的良好钝化作用导致了界面特性的改善 ［４－７］ 。２ 缓冲层外延结构的影响大量的研究表明非晶硅薄膜在硅片上的生长会产生外延结构， 氢稀释度越大 、 温度越高， 外延生长越明显 ［８］ 。 Ｋｏｎｄｏ 等 ［９］研究了用 ＰＥＣＶＤ 在单晶硅片上制备非晶硅薄膜的工艺， 结果表明在无氢稀释 、 生长温度大于 １４０ ℃ 的情况下就可以观察到非晶硅薄膜的外延生长现象， 并且电池性能随之下降 。 他们进一步提出外延结构会导致大量的位错 、 微孔洞等缺陷 ［１０］ ， 导致界面处复合中心浓度上升， 电池性能下降 。 他们得到的实验结果如图 ２ 所示 。Ｗａｎｇ 等 ［１１］ 利用 ＨＷＣＶＤ 技术制备了 ＨＩＴ 电池， 发现在ＨＷＣＶＤ 过程中同样衬底温度越高外延生长越明显 。 实验结果显示在 ３７５ ℃ 下沉积的薄膜外延生长非常严重，开路电压仅有 ４８７ ｍＶ ， 而在 １００ ℃ 下沉积的薄膜非晶硅相生长很好， 开路电压达 ６２８ ｍＶ ， 如图 ３ 所示 。 Ｗａｎｇ 等也认为在外延结构中存在会导致一个含有非常高缺陷态的薄膜层，使得界面复合大大增加， 严重限制了太阳电池的寿命 。张燕 ［４］ 用 Ｒａｍａｎ 散射谱对 ＰＥＣＶＤ 沉积的本征缓冲层晶相做了详细研究， 结果发现氢稀释度越高， 缓冲层的 Ｒａｍａｎ 散射谱与单晶硅越接近， 说明其外延生长越明显， 但本征缓冲层的 Ｒａｍａｎ 峰与晶体硅越接近， 硅片的少子寿命越短 。 这说明本征层的外延生长对硅片的钝化并无益处 。 王敏花等 ［１３］ 进一步认为外延结构的硅薄膜是由柱状团簇 、 裂纹和微空洞组成， 杂质与晶粒间界相互作用可能会产生缺陷态 。Ｃｅｎｔｕｒｉｏｎｉ 等 ［１４］ 的研究与上面的结果有较大差异 。 他们分别在 ｎ－ａ－Ｓｉ／ｐ－ｃ－Ｓｉ 异质结中插入无外延非晶本征硅薄膜和完全的外延硅薄膜作为缓冲层， 得到的结果如图 ４ 、 图 ５ 所示 。 从图中可以看出无外延本征非晶硅薄膜的插入使得电池性能越来越差，而本征外延硅薄膜插入后电池性能明显提升 。 据此Ｃｅｎｔｕｒｉｏｎｉ 等认为非晶硅薄膜并不是提升 ＨＩＴ 电池效率的关键， 外延硅薄膜才能真正提高 ＨＩＴ 电池的效率 。３ ＨＩＴ 电池缓冲层的新结构对上面提到的关于缓冲层对 ＨＩＴ 电池影响的不同结论，学者们也相应提出了对缓冲层进行各种改进的新结构，以消除其不良影响 。 对于外延结构有害和有益的两种结论， 有两类典型的新缓冲层结构与之对应 。３．１ 含薄 ＳｉＮ ｘ ／ＳｉＯ ２ 层的缓冲层结构Ｙａｎ 等认为外延结构对电池性能有害， 为了实现完全无外延的缓冲层生长，他们提出了在异质结中插入一层 ＳｉＮ ｘ 保证非晶硅不产生外延生长的工艺 ［１５］ 。 Ｙａｎ 等利用 ＨＷＣＶＤ 将 Ｈ ２与 ＮＨ ３ 混合加热对 ｐ 型单晶硅表面进行刻蚀形成一层大约 ２ｎｍ 厚的 ＳｉＮ ｘ 界面层， 由于其禁带宽度太大， 影响载流子输运，故接着用纯 Ｈ ２ 继续刻蚀将其减薄， 再生长本征与掺杂非晶硅制得 ＨＩＴ 电池 。 得到的电池 ｃ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ：Ｈ 异质结中非晶硅层的生长良好， 界面清楚， 无外延结构， 优化后最终得到最高效率为 １３．４％ 的 ｎ－ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｉ－ａ－Ｓｉ：Ｈ／ＳｉＮ ｘ ／ ｐ－ｃ－Ｓｉ／Ａｌ 结构的电池 。ＰＥＴＥＲ ［１６］ 也提出了类似的结构， 通过在传统 ＨＩＴ 电池中插入一个薄 ＳｉＯ ２ 电介质层来达到防止非晶硅外延生长并保护硅衬底的目的， 形成 ｐ－ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｉ－ａ－Ｓｉ：Ｈ／ＳｉＯ ２ ／ｎ－ｃ－Ｓｉ 的结构 。 该结构中的 ＳｉＯ ２ 薄层的厚度仅为 ０．８￣１．５ ｎｍ ，由于隧道效应电子可以很容易地穿过 ＳｉＯ ２ 层的势垒， 不影响载流子输运， 而且阻止了非晶硅在单晶硅表面的外延生长，同时还可以保护硅片在沉积非晶硅的过程中不受等离子体的侵蚀与破坏 。 上述两种电池的结构示意图如图 ６ 所示 。图 ２ ＰＥＣＶＤ 制备的 ＨＩＴ 电池样品效率随本征层生长温度的变化0.650.600.550.500.45100 150 200 250t /300 350 400 V á?/V图 ３ ＨＷＣＶＤ 制备的 ＨＩＴ 电池样品开路电压随本征层生长温度的变化0.600.550.500.45V á?/V0.400 1 2 3 4 5 6/nm图 ４ ＨＩＴ 电池样品开路电压随本征非晶硅层厚度的变化0 1 2 3 4 5 6 70.600.590.580.570.560.55V á?/Vt /min图 ５ ＨＩＴ 电池样品开路电压随本征外延硅层沉积时间的变化综 述２０１３．４ Ｖｏｌ．３７ Ｎｏ．４ ６９２３．２ 完全外延的缓冲层结构Ｃｅｎｔｕｒｉｏｎｉ 等 ［１４］ 反而认为外延层对电池性能是有益的， 他们也提出了优化的新结构，研究了以外延硅薄膜作为缓冲层的电池效率随氢稀释度 、 温度等的变化， 通过工艺优化最终得到了 １３．５％ 效率的 ｐ－ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｉ－ｅ（ｅｐｉｔａｘｉａｌ）－Ｓｉ／ｎ－ｃ－Ｓｉ／ｎ ＋ － μ ｃ－Ｓｉ／Ａｌ结构的电池 。张群芳等 ［１７－１８］ 也发现 ＨＷＣＶＤ 技术生长的外延纳米晶硅缓冲层同样可以改善异质结界面， 提高太阳电池性能， 通过优化制备得到了效率达 １７．３６％ 的以外延纳米硅薄膜作为缓冲层的 ＨＩＴ 电池 。 上面两种电池的结构示意图如图 ７ 所示 。４ 结论综上所述， 在 ＨＩＴ 电池中， 本征非晶硅薄膜的插入可以有效提升 ＨＩＴ 电池特性， 但对于其最优结构 、 作用机制有各种不同甚至矛盾的看法 。 很多学者提出由于外延结构中存在大量缺陷态导致电池的性能下降， 但 Ｃｅｎｔｕｒｉｏｎｉ 和张群芳却都以外延硅作为缓冲层得到了效率较高的 ＨＩＴ 电池 。 分析认为， 缓冲层中的外延结构不是影响电池性能的关键，而外延结构中的缺陷态密度才是影响电池性能的重要因素 。 如果外延层中的缺陷密度很高， 那么电池的界面处更容易形成复合中心， 降低电池的电流密度和填充因子，反之，如果外延层中缺陷态很低， 那么这里界面态密度低， 加之外延硅薄膜的导电性优于非晶硅薄膜， 电池性能反而会有所提升 。 因此对缓冲层硅薄膜中外延结构的研究与制备工艺的优化，尤其是其中缺陷态的控制， 将可能成为实现高效率 ＨＩＴ 电池的一个突破方向 。参考文献：［１］ 刘艳红 ， 刘爱民 ． 带有本征薄层的异质结太阳能电池 ［Ｊ］． 半导体技术 ， ２０１０，３５（１）：１－７．［２］ 亿芯网 ． 三洋电机厚 ９８ μ ｍ 薄型 ＨＩＴ 单元转换效率达到 ２３．７％［ＥＢ／ＯＬ］． ［２０１１－０９－１３］． ［２０１１－１１－０１］．ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｉｃｂｕｙ．ｃｏｍ／ｉｎｆｏ／ｎｅｗｓ＿ｓｈｏｗ／ｉｎｆｏ＿ｉｄ／１２１３６８．ｈｔｍｌ．［３］ ＴＡＧＵＣＨＩ Ｍ， ＴＥＲＡＫＡＷＡ Ａ， ＭＡＲＵＹＡＭＡ Ｅ， ｅｔ ａｌ． Ｏｂｔａｉｎｉｎｇ ａＨｉｇｈｅｒ Ｖ ＯＣ ｉｎ ＨＩＴ Ｃｅｌｌｓ［Ｊ］． Ｐｒｏｇ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔ： Ｒｅｓ Ａｐｐｌ， ２００５， １３（６）：４８１－４８８．［４］ 张燕 ． Ｎ 型衬底 ＨＩＴ 太阳电池计算机模拟及本征层钝化作用研究 ［Ｄ］． 天津： 河北工业大学， ２００８．［５］ ＤＡＵＷＥ Ｓ， ＳＣＨＭＩＤＴ Ｊ， ＨＥＺＥＬ Ｒ． Ｖｅｒｙ ｌｏｗ ｓｕｒｆａｃｅ ｒｅｃｏｍｂｉｎａ－ｔｉｏｎ ｖｅｌｏｃｉｔｉｅｓ ｏｎ ｐ－ ａｎｄ ｎ－ｔｙｐｅ ｓｉｌｉｃｏｎ ｗａｆｅｒｓ ｐａｓｓｉｖａｔｅｄ ｗｉｔｈ ｈｙｄｒｏ－ｇｅｎａｔｅｄ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ ｆｉｌｍｓ ［Ｃ］／／Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ Ｒｅｃｏｒｄ ｏｆ ｔｈｅＴｗｅｎｔｙ－Ｎｉｎｔｈ ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ Ｓｐｅｃｉａｌｉｓｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ．Ｎｅｗ Ｏｒ－ｌｅａｎｓ： ＩＥＥＥ， ２００２： １２４６－１２４９．［６］ ＦＵＪＩＷＡＲＡ Ｈ， ＫＯＮＤＯ Ｍ． Ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ ａ－Ｓｉ：Ｈ ｌａｙｅｒ ｔｈｉｃｋｎｅｓｓｅｓ ｏｎｔｈｅ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｃ－Ｓｉ ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌｓ［Ｊ］． Ｊ ＡｐｐｌＰｈｙｓ， ２００７， １０１（５）： ０５４５１６－０５４５１６－９．［７］ ＺＨＡＯ Ｌ， ＺＨＯＵ Ｃ Ｌ， ＬＩ Ｈ Ｌ， ｅｔ ａｌ． Ｄｅｓｉｇｎ ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｂｉｆａｃｉａｌＨＩＴ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌｓ ｏｎ ｐ－ｔｙｐｅ ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ ｂｙ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ［Ｊ］． ＳｏｌａｒＥｎｅｒｇｙ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ Ｓｏｌａｒ Ｃｅｌｌｓ， ２００８， ９２（６）： ６７３－６８１．［８］ ＶＥＰＲＥＫ Ｓ． Ｈｉｇｈｌｉｇｈｔｓ ｏｆ ｐｒｅｐａｒａｔｉｖｅ ｓｏｌｉｄ ｓｔａｔｅ ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｉｎ ｌｏｗｐｒｅｓｓｕｒｅ ｐｌａｓｍａｓ［Ｊ］． Ｐｕｒｅ Ａｐｐｌ Ｃｈｅｍ， １９８２， ５４（６）： １１９７－１２２０．［９］ ＫＯＮＤＯ Ｍ， ＷＯＬＦ Ｓ Ｄ， ＦＵＪＩＷＡＲＡ Ｈ． Ｕｎｄｅｒｓｔａｎｄｉｎｇ ｏｆ ｐａｓｓｉｖａ－ｔｉｏｎ ｍｅｃｈａｎｉｓｍ ｉｎ ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ ｃ－Ｓｉ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌｓ［Ｊ］． Ｍａｔｅｒ Ｒｅｓ ＳｏｃＳｙｍｐ Ｐｒｏｃ， ２００８， １０６６： Ａ０３－０１．［１０］ ＯＬＩＢＥＴ Ｓ， ＶＡＬＬＡＴ－ＳＡＵＶＡＩＮ Ｅ， ＦＥＳＱＵＥＴ Ｌ， ｅｔ ａｌ． Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆ ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ ｉｎ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ／ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｓｉｌｉｃｏｎ ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎｓ ［Ｊ］．Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｓｔａｔｕｓ Ｓｏｌｉｄｉｓ（ａ）， ２０１０， ２０７（３）： ６５１－６５６．［１１］ ＷＡＮＧ Ｔ Ｈ， ＩＷＡＮＩＣＺＫＯ Ｅ， ＰＡＧＥ Ｍ Ｒ， ｅｔ ａｌ． Ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ ｅｍｉｔｔｅｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｏｎ ｓｕｒｆａｃｅ ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｉｎ ｈｏｔ－ｗｉｒｅ ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ ｓｉｌｉｃｏｎ ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌｓ ［Ｊ］． Ｔｈｉｎ ＳｏｌｉｄＦｉｌｍｓ， ２００６， ５０１（１／２）： ２８４－２８７．［１２］ 王敏花， 刘晓平， 李彦林， 等 ． 本征层对非晶硅 ／ 晶体硅异质结太阳电池的影响 ［Ｃ］／／ 冯良桓， 张静全 ． 中国太阳能光伏进展 ． 成都： 西南交通大学出版社， ２００６： ７０３－７０６．［１３］ 王敏花 ． ＲＦ－ＰＥＣＶＤ 制备非晶硅膜及 ＨＩＴ 太阳电池的研究 ［Ｄ］．天津： 河北工业大学 ， ２００７．［１４］ ＣＥＮＴＵＲＩＯＮＩ Ｅ， ＩＥＮＣＩＮＥＬＬＡ Ｄ， ＲＩＺＺＯＬＩ Ｒ， ｅｔ ａｌ． Ｓｉｌｉｃｏｎ ｈｅｔ－ｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ： ａ ｎｅｗ ｂｕｆｆｅｒ ｌａｙｅｒ ｃｏｎｃｅｐｔ ｗｉｔｈ ｌｏｗ－ｔｅｍｐｅｒ－ａｔｕｒｅ ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｓｉｌｉｃｏｎ［Ｊ］． ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｄｅｖｉｃｅｓ，２００４，５１（１１）： １８１８－１８２４．［１５］ ＹＡＮ Ｙ， ＰＡＧＥ Ｍ， ＷＡＮＧ Ｔ Ｈ， ｅｔ ａｌ． Ａｔｏｍｉｃ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ ｅｌｅｃ－ｔｒｏｎｉｃ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｃ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ：Ｈ ｈｅｔｅｒｏｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ［Ｊ］． Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ，２００６， ８８（１２）： １２１９２５－１２１９２５－３．［１６］ ＰＥＴＥＲ Ｂ． Ｈｉｔ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ：ＵＳ，Ａ１，ＵＳ２０１０１８６８０２ ［Ｐ］．２０１０－０７－２９．［１７］ 张群芳 ． 热丝化学气相沉积高效 ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ／ｃ－Ｓｉ 异质结太阳能电池的研究 ［Ｄ］． 北京： 中国科学院研究生院， ２００６．［１８］ 张群芳， 朱美芳， 刘丰珍， 等 ． 高效率 ｎ－ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ／ｐ－ｃ－Ｓｉ 异质结太阳能电池 ［Ｊ］． 半导体学报， ２００７， ２８（１）： ９６－９９．i-a-Si:Hp(n) -a-Si:Hn(p)-c-Si SiNx/SiO 2图 ６ 含薄 ＳｉＮ ｘ ／ＳｉＯ ２ 层 ＨＩＴ 电池的结构i-epitaxial-Sip(n) -a-Si:Hn(p)-c-Si 图 ７ 含外延薄膜缓冲层的 ＨＩＴ 电池的结构