多晶硅生产文献名称

多晶硅生产1、多晶硅薄膜制备工艺研究多晶硅薄膜集晶体硅和非晶硅材料优点于一身 , 克服了光致衰退 , 与现有的太阳能电池研究生产技术具有兼容性 , 有可能成为制作太阳能电池的廉价优质材料。 等离子体辅助化学气相沉积方法 (PECVD)是制备薄膜材料的几种方法中技术最为成熟、 操作较为简单的一种 , 并且可以制备均匀性高的大面积薄膜。 但是采用PECVD方法沉积多晶硅薄膜仍面临着两大难题 : 一是薄膜的晶化率有待提高 ; 二是薄膜的生长速率也有待提高。 薄膜的晶化率决定电池的性能 , 生长速率决定其成本 , 因此高速制备优质薄膜是制作太阳能电池的关键。为解决这些问题 , 目前研究人员多致力于沉积条件的优化以及如“二次晶化”等辅助手段的采用。 本文采用 PECVD方法 , 系统研究了沉积温度、衬底、射频功率、氢稀释比、磷掺杂等沉积参数对多晶硅薄膜结晶状态及光电性能的影响 , 并对沉积出的多晶硅薄膜进行了固相晶化 共 43 页2、多晶硅薄膜的制备和表征在制备高质量多晶硅薄膜方面做了些探索性的工作 , 通过激光 Raman谱和 X 射线衍射仪 (XRD)对热处理前后的等离子体化学气相沉积 (PECVD)法和电子束蒸发 (EBE) 法所制的硅薄膜进行了分析。 首先 , 以 PECVD法为硅薄膜制备技术 , 实验取得了如下结果 : 对 PECVD法制备多晶硅薄膜的六个影响参数的调节方案是固定五个参数而调节余下的一个参数。其中 , 五个参数皆有三个对应的可调值 : 氢气和硅烷气体流量比有100sccm/1sccm、 100sccm/5sccm 和 50sccm/5sccm, 射频功率有 50W、 30W和 10W,衬底温度有 350℃、 200℃和常温 , 工作压强有 24Pa、 48Pa 和 72Pa, 而沉积时 共 64 页3、太阳能电池用多晶硅薄膜的研究研究了多晶硅薄膜的制备方法，低温下快速光热退火 (RPTA)和高温下陶瓷衬底上快热化学气相沉积(RTCVD)，硅膜的生长及区熔再结晶 (ZMR)，用高温方式在陶瓷衬底上做了太阳电池的尝试，在高温方式下做了层转移新方式的探索。 1 ． 等离子增强化学气相沉积 (PECVD)是低温沉积硅膜的主要方法。 本文的第二章中对 PECVD沉积多晶硅薄膜做了研究。分析了不同沉积温度、衬底、射频功率、氢稀释比、磷掺杂等参数对多晶硅薄膜结晶状态及光电性能的影响。 2 ．固相晶化法 (SPC)是制备大晶粒多晶硅薄膜的主要方法。本文的第三章对 SPC，特别是对卤钨灯 共 160 页4、在柔性衬底上制备多晶硅薄膜的研究主要研究柔性衬底材料上多晶硅薄膜的制备，并对生长过程和薄膜性质进行分析表征。与非晶硅薄膜相比，多晶硅薄膜具有可与晶体硅相比拟的高迁移率，结构和性能稳定，没有严重的光致衰减效应，可作为理想的光伏器件材料；另一方面薄膜太阳电池的衬底对光伏器件的性能和应用范围也有重要的影响，柔性衬底材料具有可卷曲、质量轻、便于运输、易于大面积卷轴生产以及用途广泛等优点，发展前景广阔。因此，在柔性衬底材料上制备多晶硅薄膜具有重要的科学意义和应用前景。分别利用热丝化学沉积法、等离子体增强气相沉积法以及金属诱导法制备硅薄膜，应用场发射扫描电镜对薄膜形貌进行观察，应用激光拉曼谱仪和 X 射线衍射仪对薄膜结晶性进行分析 共 72 页5、热丝化学气相沉积制备多晶硅薄膜的研究主要内容是热丝化学气相沉积制备多晶硅薄膜工艺的研究及利用铝诱导固相晶化法增大晶粒尺寸的研究。 采用自行加工设计的 HWCVD系统制备多晶硅薄膜 , 系统研究了不同沉积参数 (沉积气压、 衬底温度、 衬底与热丝间距离、衬底种类 ) 对多晶硅薄膜晶态比、晶面择优取向、晶粒尺寸的影响。得出优化条件 : 沉积气压 42Pa, 衬底温度 250℃ , 衬底与热丝间距离 48mm,在玻璃衬底上制备出晶态比 Xc>90%,择优取向为 (111),横向晶粒尺寸为 200-500nm, 纵向晶粒尺寸为 30nm左右的优质多晶硅薄膜。 将反应气体中混入一定比例氩气 , 研究不同氩气含量对薄膜性质的影响 共 40 页6、多晶硅化学气相沉积方法和装置7、多晶硅薄膜的制造方法8、用场效应管和双极基极多晶硅层制造多晶硅电容器的方法9、制作多晶硅－多晶硅 MOS叠层电容器的方法10、多晶硅膜表面处理溶液和采用该溶液的多晶硅膜表面处理方法11、多晶硅的评价方法12、 N型掺杂多晶硅的制造方法13、在半导体制作过程中通过氘以形成多晶硅层的方法14、液晶显示器的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法15、横向多晶硅 PIN 二极管及其制造方法16、制备多晶硅颗粒的方法和装置17、多晶硅、其生产方法及生产装置18、改善蚀刻多晶硅的均匀性和减少其蚀刻速率变化的方法19、多晶硅棒及其加工方法20、由多晶硅装料制备熔化的硅熔体的方法和装置21、去除多晶硅残留的方法22、去除多晶硅残留的方法23、多晶硅间介电层的制造方法24、多晶硅膜的制造方法25、采用多晶硅温度二极管的集成风速计及其制造方法26、轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法27、低温多晶硅有机电激发光装置的制法28、多晶硅结晶方法、薄膜晶体管及其液晶显示器的制造方法29、降低多晶硅层洞缺陷的方法30、用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法31、多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置32、多晶硅层的制作方法33、多晶硅层的制作方法34、利用准分子激光退火工艺制作多晶硅薄膜的方法35、多晶硅融化掺氮生长微氮硅单晶的方法36、多晶硅薄膜的晶粒尺寸的控制及其检测方法37、多晶硅薄膜结晶品质的检测装置及其检测与控制方法38、制作多晶硅薄膜的方法39、多晶硅界定阶跃恢复器件40、形成多晶硅层的方法以及制造多晶硅薄膜晶体管的方法41、一种四氯化硅、多晶硅和石英玻璃的联合制备法42、用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术43、利用多晶硅的薄膜晶体管制造方法44、一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法45、低温多晶硅薄膜的制造方法46、低温多晶硅薄膜晶体管及其多晶硅层的制造方法47、多晶硅薄膜晶体管及其制造方法48、多晶硅太阳能电池转换效率的测试方法49、低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法50、低温多晶硅薄膜的制造方法及低温多晶硅薄膜晶体管51、低温多晶硅薄膜电晶体的结构52、采用多晶硅栅和金属栅器件的半导体芯片53、将非晶硅转换为多晶硅的方法54、 03142448.1A 低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法55、低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法56、薄膜晶体管的多晶硅制造方法57、多晶硅薄膜的制造方法58、多晶硅层的处理方法59、低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法60、多晶硅层的结晶方法61、低温多晶硅平面显示面板62、多晶硅薄膜的制造方法63、形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法64、形成多晶硅层的方法65、多晶硅的蚀刻方法66、多晶硅衬底和太阳能电池的制备方法67、形成多晶硅结构68、在半导体制程中避免多晶硅纵樑形成的半导体结构69、利用自行对准金属硅化物制程形成多晶硅电容器的方法70、制备多晶硅的方法71、多晶硅的定向生长方法72、一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法73、低温多晶硅薄膜的制造方法74、多晶硅细脉熔丝75、具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置76、多栅双沟道结构的多晶硅薄膜晶体管77、一种抑制多晶硅针孔的多晶硅层缓冲局部场氧化硅结构工艺方法78、形成 T 型多晶硅栅极的方法79、形成具高电阻值的多晶硅薄膜的方法80、多晶硅氢还原炉81、低温多晶硅薄膜电晶体基板及其制作方法82、低温多晶硅显示装置及其制作方法83、形成多晶硅锗层的方法84、彩色多晶硅微粒及其制备方法85、以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩图案86、底栅控制型多晶硅薄膜晶体管的制造方法87、多晶硅化金属栅极结构及其制造方法88、多晶硅的制作方法和使用多晶硅的开关器件89、应用于高效能薄膜晶体管的多晶硅退火结构及其方法90、 15-50 纳米线宽多晶硅栅的刻蚀方法91、形成具有粗糙表面的多晶硅的方法92、改善栅极多晶硅层电阻值的方法93、多晶硅液晶显示器件的制造方法94、制造多晶硅层的方法95、提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法96、一种制备多晶硅绒面的方法97、半导体元件与其中的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法98、多晶硅薄膜晶体管制造方法99、形成多晶硅薄膜的方法，包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管及其制造方法100、半导体器件及制作一低温多晶硅层的方法101、制造多晶硅薄膜的方法及用其制造晶体管的方法102、具有多晶硅熔丝的半导体器件及其微调方法103、制作低温多晶硅薄膜的方法104、平坦多晶硅薄膜晶体管的制作方法105、多晶硅膜的形成方法106、多晶硅膜的形成方法107、多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法108、用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法109、避免沟槽底部毛边生成的多晶硅刻蚀工艺110、减小微沟道效应的多晶硅刻蚀工艺111、包括多晶硅薄膜晶体管的液晶显示器件及其制造方法112、多晶硅化学机械研磨法来增进栅极微影能力的方法113、超小粒径多晶硅的结构和方法114、制造内层多晶硅介电层的方法115、制造多晶硅层的方法及其光罩116、多晶硅薄膜的制造方法和用多晶硅薄膜制造的显示器件117、多晶硅薄膜制造方法以及使用该多晶硅薄膜的设备118、无粉尘且无微孔的高纯度粒状多晶硅119、硅薄膜退火方法和由该方法制造的多晶硅薄膜120、精密多晶硅电阻器工艺121、激光薄膜多晶硅退火光学系统122、激光薄膜多晶硅退火系统123、用于在衬底上淀积多晶硅层的装置124、薄膜晶体管与多晶硅层的制造方法125、多晶硅薄膜的制造方法126、一种多晶硅栅刻蚀终点的检测方法及检测装置127、光罩与应用其形成多晶硅层的方法128、制造多晶硅薄膜的方法和使用该多晶硅的薄膜晶体管129、浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用130、溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制备和应用131、一种制备多晶硅的方法132、多晶硅 - 绝缘层 - 多晶硅电容和高阻多晶硅器件及制作方法133、电热致动多晶硅柔性铰支承杠杆式微夹钳134、多晶硅栅极掺杂方法135、多晶硅薄膜残余应变的在线检测结构及检测方法136、多晶硅薄膜晶体管的制作方法137、在半导体装置中形成多晶硅层的方法138、具复合多晶硅层的半导体结构及其应用的显示面板139、多晶硅薄膜晶体管的形成方法140、一种多晶硅振动膜硅微电容传声器芯片及其制备方法141、具有多晶硅层的薄膜晶体管、制造方法及平板显示器142、一种生产多晶硅用的还原炉143、多晶硅的生产装置144、限定多晶硅图案的方法145、多晶硅的制造方法146、具有低掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法147、薄膜晶体管的制造方法与修补多晶硅膜层之缺陷的方法148、制备多晶硅薄膜的方法以及用其制备半导体器件的方法149、用于连续横向固化技术的掩膜及用其形成多晶硅层的方法150、高压水气退火的多晶硅薄膜晶体管组件的制作方法151、带有掺杂多晶硅场发射阴极阵列结构的平板显示器及其制作工艺152、高压集成电路中制作高阻值多晶硅电阻的方法153、多晶硅炉的喷嘴154、多晶硅太阳电池绒面的制备方法155、多晶硅薄膜晶体管液晶显示面板及其制造方法156、低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法157、一种提高各向异性的多晶硅脉冲刻蚀工艺158、一种改善线条粗糙度的多晶硅刻蚀方法159、一种能够消除残气影响的多晶硅刻蚀工艺160、一种能够防止器件等离子体损伤的多晶硅刻蚀工艺161、一种多晶硅刻蚀工艺中的颗粒控制方法162、一种减少颗粒产生的多晶硅栅极刻蚀工艺163、一种多晶硅刻蚀中的干法清洗工艺164、减少在氮离子注入时产生多晶硅化金属空洞的方法165、一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟166、铸模及其形成方法 , 和采用此铸模的多晶硅基板的制造方法167、双掺杂多晶硅及锗化硅的蚀刻168、多晶硅板制备方法169、用于多晶硅低温结晶化的金属催化剂掺杂装置及通过该装置进行掺杂的方法170、多晶硅层以及薄膜晶体管的制造方法171、多晶硅膜的制造方法以及薄膜晶体管的制造方法172、采用无氯烷氧基硅烷制备多晶硅的方法173、一种制备太阳能级多晶硅的方法174、 P型太阳能电池等级多晶硅制备工艺175、多晶硅 体硅 ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件176、多晶硅 ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件177、一种多晶硅生产过程中的副产物的综合利用方法178、单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭 炭隔热屏的制备方法179、单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭 炭加热器的制备方法180、一种太阳能电池用高纯多晶硅的制备方法和装置181、直接沉积多晶硅的方法182、用于减小多晶硅高度的 SOI 底部预掺杂合并 e-SiGe 183、用于沉积多晶硅的 CVD装置184、具有平坦表面的多晶硅薄膜及其制造方法185、廉价多晶硅薄膜太阳电池186、一种用稻壳制备太阳能电池用多晶硅的方法187、表面修饰溶液诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法188、一种太阳能级多晶硅的生产方法189、一种锌还原法生产多晶硅的工艺190、适用于有机发光二极管显示器的多晶硅薄膜象素电极191、一种掺杂锗的定向凝固铸造多晶硅192、多晶硅横向结晶方法以及应用其制造的多晶硅薄膜晶体管193、一种单一内嵌多晶硅存储结构及其操作方法194、激光辐射方法和形成多晶硅薄膜的装置195、形成多晶硅薄膜的方法196、择优取向的多晶硅薄膜的制备方法197、多晶硅薄膜的制作方法198、形成多晶硅薄膜的方法199、形成多晶硅薄膜装置的方法200、制作多晶硅薄膜的方法201、用多晶硅掩模和化学机械抛光制造不同栅介质厚度的工艺202、使用氮化工艺的多晶硅化金属栅极制程203、 70 纳米多晶硅栅刻蚀－氟化 +反应离子刻蚀方法204、单个多晶硅快闪电可擦除只读存储器及其制造方法205、具有基片触点和多晶硅桥接单元的半导体只读存储装置多晶硅生产与应用文献资料206、 Cat-CVD方法制备多晶硅薄膜的孕育层控制207、国内外多晶硅工业现状208、太阳能电池用多晶硅材料国产化的几点思考209、光退火制备多晶硅薄膜与量子态模型210、热丝法制备多晶硅薄膜晶体取向及形态的研究211、用 Cat-CVD 方法制备多晶硅薄膜及结构分析212、铸造多晶硅的吸杂213、低压化学气相淀积多晶硅薄膜工艺研究214、多晶硅的真空感应熔炼及定向凝固研究215、金属诱导法制备多晶硅薄膜的研究进展216、 H2对 Ar 稀释 SiH4 等离子体 CVD制备多晶硅薄膜的影响217、大尺寸化学 Ni 源金属诱导晶化多晶硅的研究218、基于 PECVD制备多晶硅薄膜研究219、对柱状多晶硅薄膜的制备研究220、 SiSiC 陶瓷衬底上多晶硅薄膜的结构221、用 ECR-PECVD低温沉积多晶硅薄膜222、复合材料：陶瓷衬底上多晶硅薄膜太阳电池研究进展223、多晶硅薄膜制备的量子态模型224、多晶硅薄膜材料与器件研究进展225、低温快速热退火晶化制备多晶硅薄膜226、铝诱导多晶硅薄膜的制备与微结构研究227、铝吸杂对多晶硅太阳电池的影响228、 ECR— PECVD方法低温制备多晶硅薄膜229、多晶硅薄膜厚度测量技术230、开口隔离层上多晶硅薄膜制备231、金属铝诱导法低温制备多晶硅薄膜232、用快速光热退火制备多晶硅薄膜的研究233、利用快速热退火法制备多晶硅薄膜234、多晶硅薄膜制备技术的研究进展235、激光晶化多晶硅的制备与 XRD谱236、 SiCl4-H2 沉积多晶硅薄膜过程中放电功率的影响237、以 SiCl4 为源气体用 PECVD技术低温快速生长多晶硅薄膜238、以 SiF4 ＋ H2为气源 PECVD法低温制备多晶硅薄膜239、 PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究240、用正交实验法优化多晶硅制备工艺参数241、 Al2O3 衬底上多晶硅薄膜的外延和区熔再结晶242、 α — Si ： H薄膜固相晶化法制备多晶硅薄膜243、金属诱导晶化法制备多晶硅薄膜研究进展244、等离子体还原 SiCl4 一步法制备多晶硅实验研究245、多晶硅薄膜太阳电池将成为今后太阳电池市场的方向246、电子级多晶硅生产工艺的热力学分析247、多晶硅薄膜太阳能电池的研究进展248、温度对 RTCVD法制备多晶硅薄膜生长的影响249、沉积功率对多晶硅薄膜结构和光学性质的影响250、退火条件对多晶硅薄膜光电性能的影响251、太阳能电池及多晶硅的生产252、太阳能级多晶硅制备技术与工艺253、热退火对太阳电池用多晶硅特性的影响254、多晶硅薄膜制备方法与压阻特性的研究255、多晶硅产业现状与发展趋势分析