硅片厂生产污染源从哪里来	2018-08-21
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	硅片TUNER在PC-TV上的应用	2018-08-21
	硅片 TUNER在 PC-TV上的应用摘要 本文介绍一款 USB接口的 AD电视接收盒的设计， 该设计采用小尺寸的硅片 TUNER与 EM2880芯片方案有机组合，实现了一款小巧便携的 USB电视接收盒，此电视盒安装极为方便， 只要将所配的 USB 电缆直接插到台式或笔记本电脑上的 USB 口即告完成， 笔记本电脑可以籍此成为一台集移动电视，移动录像机和 VCD/DVD 节目制作功能
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	硅片不良片判定	2018-08-21
	Date 2010/02/04不合格樣品參考圖片 / 定義Chips缺口 / 崩邊No V-type sharpchipLength of edge chip≦ 5mm,Depth ≦ 0.5mm,No. of chip ≦ 3ICOS PV WaferInspectorSaw mark切割線痕 ≦ 15μ m Depth1. 目視檢驗2. 使用 SJ-201 量測Crack an
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	硅片标准	2018-08-21
	BA A2 B1、 B2、 B3 B71 导电类型 P P 硅片分选设 备 硅棒保证2 隐裂、针孔 无隐裂、无针 孔 无隐裂、无针孔 硅片分选设 备 抽检3 崩边长度≤ 1 mm，深度≤ 0.5mm，每片崩边总数≤ 2 处；长度≤ 1 mm，深度≤ 0.5 mm，每片崩边总数≤3处；B1 1mm＜崩边长度≤ 5mm， 1mm＜深度≤ 2mm，1＜崩边总数≤3目测 全检4 TTV ≤ 30
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	硅片参考面晶向X射线测试方法编制说明	2018-08-21
	硅片参考面晶向 X 射线测试方法编制说明. 一 工作简况1. 任务来源根据原中国有色金属工业总公司中色协字 [200 ] 号文件下达制订国家标准GB/T13388-92 硅片参考面结晶学取向 X射线测试方法（以下简称参考面晶向测试方法）的任务，由有研半导体材料股份有限公司负责该标准的修订。2. 主要工作过程根据任务要求 2007 年 2 月开始修订硅片参考面结晶学取向 X射线测试方
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	硅单晶生长和硅片准备	2018-08-21
	1第一章 硅单晶生长和硅片准备 硅 Si 材 料 现 在 是 电 子 工 业 中 最 重 要 的 半 导 体 材 料， 因 此 VLSI 技 术 几 乎 完 全 以 硅 材 料 为 基 础。 “ silicon“ 这 名 称 来 源 于 拉 丁 语 “ silex“ 或 “ silicis “，意
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	硅片表面粗糙度的测试及分析	2018-08-21
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	硅片标准集合	2018-08-21
	检测项目 硅片厚度 A级片标准 物料编码 备注180um 任意点厚度在 180± 18um，95中心点厚度在 180± 10um 01190um 任意点厚度在 190± 18um，95中心点厚度在 190um± 10um200um 任意点厚度在 200± 18um，95中心点厚度在 200± 10um 02180um 任意点厚度在
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	硅单晶与硅片基础培训2复习资料	2018-08-21
	硅单晶与硅片基础培训 2硅单晶的导电性能 1 物质的导电性 2 半导体的主要特性 3 半导体的导电性能浅释 4 PN 结 5 硅单晶导电类型1 物质的导电性电阻率标志物质对电流阻碍能力的物理量。规定以长 1cm，截面积为 1cm2 的物体在一定温度下的电阻值作为该物质在这个温度的电阻率。电阻率的单位是欧姆厘米，表示为 Ω .cm。导体、绝缘体和半导体导体 具有一定的晶体结构，
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	硅片表面等离子清洗工艺	2018-08-21
	太阳能硅片表面等离子体清洗工艺硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法，它包括以下步骤首先进行气体冲洗流程，然后进行该气体等离子体启辉。 去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易， 清洗彻底，无反应物残留，所霈工艺气体无毒，成本低，劳动量小，工作效率高。等离子硅片清洗条件参数1、 硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法， 它包括以下步骤 首先进行气体冲洗流程，然后进行该气体等离子体启辉；所用气
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