硅片行业分析报告2011	2018-08-21
	2011年硅片行业分析报告www.docin.com/clcz20122011年 10月目 录1、硅片行业发展概况 32、进入硅片行业的主要障碍 43、硅片行业市场供求状况及变动原因 4（ 1）硅片行业的需求状况 . 4（ 2）硅片行业的供给变动趋势 . 64、硅片行业利润水平的变化趋势及变动原因 65、影响硅片行业发展的有利和不利因素 86、行业技术水平及特点、行业特有的经营模式
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	硅片的无蜡抛光工艺	2018-08-21
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	硅片的等级标准	2018-08-21
	硅片的检测版本 1 弯曲是指有效面积内有规律的发生形变，翘曲是指有效面积内局部发生形变。A 级 B 级 C级 D级 E 级线痕TVTTV孪晶多晶裂纹、裂痕应力空洞缺角V 型缺口弯曲度翘曲度硅多晶线性尺寸长度无或轻线无无无不存在多晶无无无无无无6≦ L≦ 100mm ≦ 10μ m,≦ 5 条≦ 20μ m ≦ 15 无不存在多晶无无无无无≦ ,50 μ m 6≦ L≦ 1
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	硅片腐蚀技巧	2018-08-21
	硅片腐蚀硅片腐蚀一、目的 和原理利用氢氧 化钠对多晶硅腐蚀作用，去除硅 片在多线切割锯切片时产生的表 面损伤层，同时利用氢氧化钠对 硅腐蚀的各向异性，争取表面较低反射率 较低的表面织构。解释① 现有多晶硅片是由长方体晶锭在 多线切割锯切成一片片多晶硅方片。由于 切片是钢丝在金刚砂溶液作用下 多次往返削切成硅片，金刚砂硬度很高， 会在硅片表面带来一定的机械损 伤。如果损伤不去除，会影响太阳电池
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	硅片等级分类及标准(20180720150042)	2018-08-21
	硅片等级分类及标准New Roman “ 一、优等品1硅片表面光滑洁净。2 TV 220± 20μ m。3几何尺寸边长 125± 0.5mm；对角 150± 0.5mm、 148± 0.5mm、 165± 0.5mm；边长 103± 0.5mm、对角 135± 0.5mm；边长 150± 0.5m
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	硅片表面制绒	2018-08-21
	制绒目录简介分类单晶制绒多晶酸制绒制绒目的和作用展开编辑本段 简介制绒，光伏行业术语，处理硅片的一种工艺方法，硅太阳能电池片生产的首道工序。编辑本段 分类按硅原料分类状况可分为单晶制绒与多晶制绒； 按腐蚀液的酸碱性可分为酸制绒与碱制绒。单晶制绒原理 单晶硅片在一定浓度范围的碱溶液中被腐蚀时是各向异性的，不同晶向上的腐蚀速率不一样。 利用这一原理，将特定晶向的单晶硅片放入碱溶液中腐蚀，即可在硅片表
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	硅片报价	2018-08-21
	2013（ 7.8-7.14 ）（ RMB/Pcs） 浙江辉弘 陕西立原 合肥晨旭 常州拜尔 苏州鸿丰125单晶硅 A片 4.3 n/a n/a 8.5-11Quantity 150W n/a n/a 30W125单晶硅 B片 3.5 n/a n/a n/a 3Quantity 15W n/a n/a n/a 2.6W156单晶硅 A片 n/a 6.2 n/a 10.5-11Quantity n
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	硅材料和硅片技术	2018-08-21
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	硅片的腐蚀	2018-08-21
	实验三 硅片的腐蚀一、实验目的1．掌握 Si 单晶片的位错侵蚀方法和位错密度的计算方法2．了解腐蚀 Si 单晶位错原理 ,正确使用金相显微镜 , 二、实验原理位错是晶体的线缺陷，它标志着晶体结构的完整程度，它对半导体材料的电学性能有很大影响，通常制造器件要求位错密度要低，或是无位错晶体，而且还要求晶体位错分布均匀，位错高低直接影响晶体做器件的质量。测量单位体积内位错的方法有 X 射线法，电子显
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	硅片的清洗与制绒(20180720165352)	2018-08-21
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