各种硅片不良的解决方案	2018-08-21
	断线善后处理首先做好断线记录（断线时间、机台号、部位、切深）留好线头一 .查明断线原因及断线情况 .二 .急时上报，未经同意，不得私自处理。三 .处理流程1. 在出线端断线 ,宽度不超过 10 毫米的直接拉线切割 . 2.切深≦ 60mm 中部或进线端断线，以 30mm/min 直接升起，迅速布线， 8000 流量砂浆冲洗，冲片时在线网上铺上无尘纸，冲开粘在一起的片子后，迅速把晶棒降到距线网
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 9  / 时长: 1秒  / 阅读: 465  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	复旦大学微电子工艺第三讲实验室净化与硅片清洗	2018-08-21
	点击查看更多复旦大学微电子工艺第三讲实验室净化与硅片清洗精彩内容。
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 39  / 时长: 1秒  / 阅读: 351  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	关于硅片切割工艺方面异常分析综合报告.pdf	2018-08-21
	点击查看更多关于硅片切割工艺方面异常分析综合报告.pdf精彩内容。
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 16  / 时长: 1秒  / 阅读: 384  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	硅片	2018-08-21
	点击查看更多硅片精彩内容。
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 58  / 时长: 1秒  / 阅读: 180  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	段辉高-2-半导体中的材料、硅片制作流程	2018-08-21
	点击查看更多段辉高-2-半导体中的材料、硅片制作流程精彩内容。
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 56  / 时长: 1秒  / 阅读: 328  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	高温氢气退火提高硅片质量的研究	2018-08-21
	点击查看更多高温氢气退火提高硅片质量的研究精彩内容。
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 5  / 时长: 1秒  / 阅读: 296  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	光伏硅片线切综合知识	2018-08-21
	光伏（ PV）硅片多线切割硅片的线切割机理就是机器导轮在高速运转中带动钢线，从而由钢线将聚乙二醇和碳化硅微粉混合的砂浆送到切割区， 在钢线的高速运转中与压在线网上的工件连续发生摩擦完成切割的过程。在整个切割过程中，对硅片的质量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂浆的粘度、砂浆的流量、钢线的速度、钢线的张力以及工件的进给速度等。一、切割液（ PEG）的粘度由于在整个切割
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 2  / 时长: 1秒  / 阅读: 307  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	各种硅片不良分析	2018-08-21
	一、线痕分类线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕等。各种线痕产生的原因如下1、杂质线痕由多晶硅锭内杂质引起，在切片过程中无法完全去除，导致硅片上产生相关线痕。表现形式（ 1）线痕上有可见黑点，即杂质点。（ 2） 无可见杂质黑点，但相邻两硅片线痕成对，即一片中凹入，一片凸起，并处同一位置。（ 3）以上两种特征都有。（ 4）一般情况下，杂质线痕比其它线痕有较高的
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 3  / 时长: 1秒  / 阅读: 460  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	多晶硅片检测标准	2018-08-21
	多晶硅片技术标准1 范围1.1 本要求规定了多晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2 本要求适用于多晶硅片的采购及其检验。2 规范性引用文件2.1 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法2.2 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法2.3 ASTM F 1535 用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的试验方法3 术语和定义3.1
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 6  / 时长: 1秒  / 阅读: 441  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	高温氢气退火提高硅片质量的研究_邹子英	2018-08-21
	点击查看更多高温氢气退火提高硅片质量的研究_邹子英精彩内容。
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 5  / 时长: 1秒  / 阅读: 324  / 下载价格: 3 金币 / 评价: