硅片工艺	2018-08-21
	3.4.2 硅单晶棒的截断对硅单晶棒采用外圆切割（ OD Saw） 、内圆切割（ ID Saw）或带锯切割（ Band Saw）技术截断目的主要是切除硅单晶棒的头（硅单晶的籽晶和放肩部分） 、尾及直径小于规格要求的部分；将硅单晶棒切割成切片机可以处理的长度晶棒段； 对硅单晶棒切取样品，以检测其电阻率、氧 / 碳含量、晶体缺陷等质量参数。随着 IC 工艺、 技术的不断发展， 大直径硅片的需求量增大
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	硅片的直接键合	2018-08-21
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	硅片等级和硅片出现问题解决方案	2018-08-21
	硅片等级和硅片出现问题解决方案硅片等级分类及标准一、优等品1硅片表面光滑洁净。2 TV 220± 20μ m。3几何尺寸边长 125± 0.5mm；对角 150± 0.5mm、 148± 0.5mm、 165± 0.5mm；边长 103± 0.5mm、对角 135± 0.5mm；边长 150± 0.5mm
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	硅片的清洗与制绒	2018-08-21
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	硅片的化学清洗技术	2018-08-21
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	硅片行业术语大全(20180720154242)	2018-08-21
	硅片行业术语大全（中英对照）2010-11-15 161900 来源互联网Acceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a freehole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valenc
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	硅片光电转化效率完整数据	2018-08-21
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	硅片传输机器人手臂结构优化设计方法	2018-08-21
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	硅片层错、位错	2018-08-21
	实验一．原子力检测实验硅片 4inch p111 实验片数 2 硅片编号 S1106-4253-36 S1106-4352-15 实验内容对长有氧化层的硅片进行 HF 腐蚀，时间为 10M ，观察表面无颜色不一致的地方，且疏水 .然后对两片中心点，以及离中心点 1/3 半径与边缘取三点检测表面粗糙度。1） 15 片原子力显微图中心点1/3 半径边缘结论 去除表面氧化层后， 选取
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	硅片表面弹性变形范围	2018-08-21
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