硅片清洗工艺的详细分析	2018-08-21
	太阳能硅片的清洗工艺1. 药槽清洗液最佳配比确定由以上实验数据分析 , 在清洗剂浓度较低时 , 不能达到良好的清洗效果 , 切割过程中吸附到 Si 片表面的砂浆等沾污依然停留在 S i 片表面。提高清洗剂用量 , 砂浆残留的片数减少 , 但是持续加大清洗剂用量 , 又会造成新的污染 , 即清洗剂残留， 和砂浆残留一样 , 会影响 Si 片的质量。 因此选择其中效果最好的配比为 2.0L 。2
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	硅片切割液回收方法	2018-08-21
	硅片切割液回收方法多线切割是切割大直径硅单、多晶棒非常有效的方法之一。近几年异军突起的多线切割机 简称线锯 以其极高的生产效率和出片率，在大直径硅片加工领域有逐渐取代内圆切割机的趋势。多线切割机将金属线缠绕在导线轮上，驱动导线轮和单晶棒作相对运动，砂浆磨削、冷却达到磨切晶片的目的。经过近 30 年的完善和提高，多线切割机日渐成熟，目前的产品己经是第六或第七代。我国通过技术引进，多线切割技术
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	硅片切割工艺调研	2018-08-21
	硅片加工发展调研科技发展对硅片的新的要求1） 从成本造价上考虑， 目前在太阳电池成本中硅片几乎占了的成本 ,为提高光电转换效率 ,降低生产成本提高原材料利用率 ,太阳能级硅片必然向 超薄方向 ,大直径方 向发展 ,而且急需准方形硅片。2） 从加工精准度考虑， 90以上的半导体器件和电路 ,尤其是大规模集成电路、 超大规模集成电路和甚大规模集成电路都是制作在高纯优质的硅单晶抛光片和外延片上的。而
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	硅片清洗	2018-08-21
	RCA 标准清洗法是 1965 年由 Kern 和 Puotinen 等人在 N.J.Princeton 的 RCA 实验室首创的，并由此而得名。 RCA 是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液。（ 1） SPM H2SO4 /H2O2 120 ～ 150 ℃ SPM 具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成 CO 2 和
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	硅片切割技术的现状和发展趋势	2018-08-21
	1 硅片切割技术的现状和发展趋势摘要 随着全球各国绿色能源的推广和近年来半导体产业的超常规发展， 硅片市场的供需已极度不平衡，切割加工能力的落后和产能的严重不足已构成了产业链的瓶颈。作为硅片 晶圆 上游生产的关键技术， 近年来崛起的新型硅片多丝切割技术具有切割表面质量高、 切割效率高和可切割大尺寸材料、 方便后续加工等特点。 由于驱动研磨液的切割丝在加工中起重要作用，与刀损和硅片产出率密
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	硅片切割废砂浆的资源化利用现状_侯思懿	2018-08-21
	第 35 卷 第 5 期 硅 酸 盐 通 报 Vol ． 35 No． 52016 年 5 月 BULLETIN OF THE CHINESE CEＲ AMIC SOCIETY May， 2016硅片切割废砂浆的资源化利用现状侯思懿 ， 铁生年（ 青海大学新能源光伏产业研究中心 ， 西宁 810016）摘要 文中概述了近几年硅片切割废砂浆的资源化利用现状 ， 涉及的回收技术包括聚乙二醇回收
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	硅片力学性能及热膨胀系数的热稳定性研究	2018-08-21
	点击查看更多硅片力学性能及热膨胀系数的热稳定性研究精彩内容。
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	硅片碱液清洗机技术方案	2018-08-21
	1 / 8硅片碱液清洗设备技术方案书编 制 审 核会 签原料加工部 综合计划部 安环部质量检验部 人事行政部 财务部批 准 日 期 年 月 日呼和浩特市欧通能源科技有限公司2 / 8目 录一、系统要求 . 3二、清洗原理 . 3三、设备结构组成 . 3四、流程总述 . 4五、清洗工艺流程 . 4六、设备主要技术参数 . 51、热水压力喷淋清洗工位 . 52、碱液刷洗工位
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	硅片切割线痕的起因与降低方法	2018-08-21
	硅片切割线痕的起因与降低方法摘 要 线痕的存在会影响电池片的生产工艺。是太阳能硅片生产中比较重要的一个问题。本文分析了多晶太阳能级硅片产生线痕的原因 .并针对各不同成因。对降低和避免硅片线痕的措施进行了探讨。关键词 硅片 线痕 起因 降低方法前 言硅棒的切割不管是在半导体行业还是太阳能光伏行业都是必不可少的一道工序， 硅片质量的好坏直接关系到后续工序的制造和加工。线痕是影响硅片表面质量的一个比较
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	硅片切割钢线的介绍	2018-08-21
	点击查看更多硅片切割钢线的介绍精彩内容。
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