硅片切边	2018-08-21
	硅片为何要切边其实早期的硅片并不切边 ,但随着微电子业发展开始切边 ,原因如下 1, 微电子器件在晶圆上可以做 n 多个 ,需切割下来 ,而单晶硅生长是有晶向要求的 ,切割沿某一方向好切不乱裂 ,就是专业上称的解理面 .切边就告诉您解理方向 . 2, 硅片分 N 型和 P 型 ,有规范的切边还告知您它是 n 型电特性还是 p 型电特性 ,1 U x“ q3 e I0 O3, 现
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	硅片面积及重量计算书	2018-08-21
	1000 44.09354多晶硅片 156已知C 1.5 mm则小三角形腰为 1.06 mm小三角形面积为 0.5618 mm2多晶硅片面积为 24333.75 mm2 243.3375 cm2 399073.5硅片厚度 0.02 cm硅料密度 2.33 g/cm3每片硅片重量 11.33953 g成品率 出片数量 硅料价格 每片硅料成本 硅片价格 每片加工费0.92 40.56606
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	硅片生产厂家名录20140902	2018-08-21
	序号 国内主流企业1 保利协鑫2 江西赛维 LDK太阳能高科技有限公司3 浙江昱辉阳光能源有限公司4 英利绿色能源控股有限公司5 常州天合光能有限公司6 河北晶龙集团7 新疆新能源股份有限公司8 大全新能源9 天威新能源10 晶科能源11 通威集团12 阿特斯13 江苏环太集团14 江苏中盛光电有限公司15 安徽新光太阳能科技有限公司16 江苏顺大集团17 精功绍兴太阳能技术有限公司18 江阴海
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	硅片清洗原理与方法综述(20180720165407)	2018-08-21
	2.3 硅片表面沾污杂质的来源和分类分类依据 沾污类别沾污杂质的形态 微粒型污质，膜层污染质吸附力的性质 物理吸附型杂质。化学吸附型杂质被吸附物质的存在形态 分子型，原子型，离子型吸附杂质物化性质 有机沾污，无机盐，金属离子（原子）和机械微粒等2.4 硅片清洗的一般程序杂质可以分为分子型，离子型和原子型三种情况。分子型大多为油脂类的杂质，有疏水性。 离子和原子型为化学吸附杂质， 其吸附力较强。
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	硅片切割中碳化硅的作用	2018-08-21
	碳化硅微粉是最主要的用于多线切割机上的磨料之一， 适合于切割比较硬而且脆的材料。 线切割是由导轮带动细钢线高速运转， 由钢线带动砂浆形成研磨的切割方式。 在线切割机的切割过程中， 悬浮液夹裹着碳化硅磨料喷落在细钢线组成的线网上， 依赖于细钢线的高速运动，把研磨液运送到切割区， 对紧压在线网上的工件进行研磨式切割， 随着碳化硅磨料对工件的一次次刻划， 逐渐把多余的材料带走， 是一种类似于研磨的滚动
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	硅片切割技术的工艺研究	2018-08-21
	硅片切割技术的工艺研究摘要 随着全球各国绿色能源的推广和近年来半导体产业的超常规发展， 硅片切割加工能力的落后和产能的严重不足已构成了产业链的瓶颈。 本文主要论述了硅片切割常用方法， 影响硅片切割的因素， 最常见的硅片切斜问题， 切割技术的发展趋势 多线切割技术等硅片切割的工艺问题。关键词 多线切割，因素，斜切0 引言硅片切割是电子工业主要原材料一硅片 晶圆 生产的上游关键技术，切
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	硅片平整度讨论	2018-08-21
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	硅片刻蚀方法	2018-08-21
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	硅片缺陷自动检测分类方法探究	2018-08-21
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	硅片清洗原理与3方法介绍	2018-08-21
	铅 327 锡 232 铅锡合金 铅锑合金 以铅与锡为主要成份， 辅之锑 （增加硬度） 和其它微量金属合成的有色金属，呈白灰色，有光泽，质软，富延展性。铅锡合金的熔点约为 200～ 320℃；浇铸温度为 380～ 480℃之间ＤＺ１∶ＤＺ２∶水＝５～１５∶１～１０∶１００；其中ＤＺ１由如下摩尔比的组分组成烷基苯磺酸钠∶五水偏硅酸钠∶焦磷酸四钾∶聚乙烯醇∶聚乙二醇∶水＝５∶７∶
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