论金刚线切割硅片技术的前景(20180720150929)	2018-08-21
	论金刚线切割硅片技术的前景如今又一个崭新的金刚线切片技术崛起于光伏硅片切割行业。树脂金刚线切割硅片的技术与切割钢丝切割硅片技术相比， 最主要的优势体现在这四个方面（ 1）树脂金刚线切割过程造成的损伤层在 4-7um，电镀金刚线是 8-10 um，砂浆是 11-15um，有利于切割的薄片化 , 提高出品率硅耗的降低；（ 2）切割效率的提升，提升 3 个百分点；（ 3）损伤层薄，增加了硅片强度 ,
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 4  / 时长: 1秒  / 阅读: 434  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	金刚线切割单晶硅片制绒白斑的成因分析及改善建议	2018-08-21
	金刚线切割单晶硅片制绒白斑的成因分析及改善建议杨长剑、陈益冬（光伏新闻）1. 引言金刚线切割技术也被称为固结磨料切割技术。它是利用电镀或树脂粘结的方法将金刚石磨料固结在钢线表面，将金刚线直接作用于硅棒或硅锭表面产生磨削，达到切割的效果。金刚线切割具有切割速度快，切割精度高，材料损耗低等特点。目前单晶市场上对金刚线切割硅片已经完全接受，但在推进过程中也遇到过，其中制绒发白是最常见的问题。针对此，本
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 5  / 时长: 1秒  / 阅读: 293  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	硅片质量对太阳能电池性能的影响-完成	2018-08-21
	点击查看更多硅片质量对太阳能电池性能的影响-完成精彩内容。
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 35  / 时长: 1秒  / 阅读: 228  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	硅片制造生产流程ppt	2018-08-21
	点击查看更多硅片制造生产流程ppt精彩内容。
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 28  / 时长: 1秒  / 阅读: 366  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	硅片生产工艺技术流程1	2018-08-21
	顺大半导体发展有限公司太阳能用硅单晶片生产技术目 录一、 硅片生产工艺中使用的主要原辅材料1、拉制单晶用的原辅材料，设备和部件2、供硅片生产用的原辅材料，设备和部件二、 硅片生产工艺技术1、硅单晶生产部（ 1） 、腐蚀清洗工序生产工艺技术对处理后原材料质量要求（ 2） 、腐蚀清洗生产工艺流程① 多晶硅块料，复拉料和头，尾料处理工艺流程② 边皮料酸碱清洗处理工艺流程③ 埚底料酸清洗处理工艺流程
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 34  / 时长: 1秒  / 阅读: 501  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	硅片脏污清洗分析报告1	2018-08-21
	硅片脏污清洗分析报告一、硅片表面污染硅片表面的最外层即为吸附层，是氧化层与环境气氛的界面，吸附一些污染杂质，这些沾污可以分为分子、离子、原子、或者分为有机杂质、金属和粒子，如下图 1 所示。图 1 硅片表面污染示意图二、清洗工艺程序吸附在硅片表面上的杂质可分为原子型、离子型和分子型。1、分子型杂质与硅片表面之间的吸附力较弱，清楚这类杂质粒子比较容易。它们多属油脂类杂质，具有疏水性的特点， 对于清
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 2  / 时长: 1秒  / 阅读: 497  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	硅片上的各种监控图形	2018-08-21
	点击查看更多硅片上的各种监控图形精彩内容。
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 33  / 时长: 1秒  / 阅读: 235  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	硅片缺陷测试	2018-08-21
	点击查看更多硅片缺陷测试精彩内容。
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 22  / 时长: 1秒  / 阅读: 269  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	集成电路制造用300毫米硅片技术研发与产业化项目-报告文字	2018-08-21
	集成电路制造用 300毫米硅片技术研发与产业化项目岩 土 工 程 勘 察 报 告 书勘察阶段 详细勘察工程编号 2015-S-02 信 息 产 业 部 电 子 综 合 勘 察 研 究 院二 ○ 一 五 年 五 月集成电路制造用 300毫米硅片技术研发与产业化项目岩 土 工 程 勘 察 报 告 书勘察阶段 详细勘察工程编号 2015-S-02 院 长 范福会总 工 程 师 陈冬贵审 定
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 14  / 时长: 1秒  / 阅读: 258  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	硅片隐裂痕的粗浅分析--Choo2008-05-07	2018-08-21
	硅片隐裂痕的粗浅分析---Choo 2008-05-07 由共价键结合而成的硅是典型的脆性材料，其主解理面为｛ 111｝面，而 S125 和 S156硅片大多为｛ 100｝晶面族，如果硅片在工艺过程中积累了过多的解理裂痕，则裂痕会产生扩展并脆断，所以就有很多沿解理面或非解理面的穿晶断裂出现。经观察与粗略统计，大多数硅片的断裂部位位于对角线约 1/8 处（如图 1.图 2.） ，所以不妨以 1/8
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 5  / 时长: 1秒  / 阅读: 360  / 下载价格: 3 金币 / 评价: