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简介： XIAMEN UNIVERSITY PECVD 法 制备石墨 烯纳米片及其在太 阳能电池中应用 PECVD produced graphene nanoflakes and relevant application in solar cells Guanhua lin（林冠华）, Yazhou Qu, Bin Guo, and Qijin Cheng 程其进） College of Energy, Xiamen University, Xiamen City, Fujian Province, 361005, P . R. China. 2016.11.26, 12th CSPV

简介： PECVD原理基础 摘抄整理 工艺部 李文 2011-3 真空真空真空真空 定义定义定义定义 泛指低于一个大气压的气体状态。与普通大气状态相比，分子密度较为稀薄，从而气体分子 与气体分子，气体分子与器壁之间碰撞几率要低些。 单位单位单位单位 Pa Bar mbar Torr Pa 1 10-5 10-2 7.5*10-3 Bar 105 1 103 7.5*102 mbar 102 10-3 1 7.5*10-1 Torr 1.33*102 1.33*10-3 1.33 1 压力分类压力分类压力分类压力分类 低真空中真空高真空超高真空极高真空 压力范围/Pa 105102 10210

简介：SINGULUS TECHNOLOGIES November 2016 12th CSPV, Jiaxing/China 推动中国高效异质结电池产业化崛起 先进臭氧清洗，ICP-PECVD 及PVD关键设备 Zhenhao Zhang PhD. 张振昊 博士 Technical Director Greater China 大中华区技术总监 SINGULUS TECHNOLOGIES AG 11-2016 - 2 - Outline 1 SINGULUS TECHNOLOGIES AG 2 HJT Solar Cell Process Flow 4 SINGULAR-HET 3 SILE

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简介：第 15卷第 1期 材 料 科 学 与 工 程 总第 5 7期 V o 1115N o 11 M aterials Science 在 M O S 电路中 , Si3N 4和 SiO 2组成复合栅绝缘层 \[ 2 \], 对于提高电路的击穿电压起了很大作用 , 是 M O S 电路中最重要的工艺之一。它和 SiO 2一起 , 成为半导体工艺不可缺少的介质膜。 氮化硅薄膜还具有很好的机械性能 , 利用它的高硬度和优良的化学稳定性 , 用作耐磨抗蚀涂层 , 有 非常广阔的应用前景。它的主要性能列于表 1 和表 2。 制备氮化硅薄膜 , 通常采用低压化学气相淀积 L PCVD 法、等 离 子

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简介：技术交流复合背接触层与背电极的匹配对CdTe太阳电池性能的影响鄢 强 1, 2* 冯良桓 2 宋慧瑾 2 郑家贵 2 武莉莉 2张静全 2 黎 兵 2 李 卫 2 雷 智 2 1.核工业西南物 理研究院 成都 610041; 2. 四川大学材料科学与工程学院 成都 610064Influence of Composite Back Layers and Metallic BackElectrodes on Performance of CdTe Solar CellsYan Qiang1,2* , Feng Lianghuan2, SongHuijin 2, ZhengJiagui2,W

简介：中国科学 E 辑 技术科学2007 年 第 37 卷 第 1 期 2025http//www.scichina.com 收稿日期 2005-03-30; 接受日期 2006-10-28 国家高技术研究发展计划资助项目 编号 2003AA513010 * 联系人 , E-mail lh.feng263.net 中国科学 杂志社SCIENCE IN CHINA PRESS ZnTe/ZnTeCu 复合背接触层对 CdTe 太阳电池器件性能的影响武莉莉 冯良桓 * 李 卫 张静全 黎 兵 蔡 伟蔡亚平 郑家贵 雷 智四川大学材料科学与工程学院 , 成都

简介：1 优化背接触式 PV 电池 /模块设计的新方法摘要 本文介绍了一种用于优化背接触 c-Si 太阳能电池和模块设计的新方法， 该方法业已展现了性能上的优势， 而且还将能够更加容易地针对未来的要求， 更大和更薄的电池、 更容易地实现生产工具产能的扩大等进行调整。本文介绍了一种用于优化背接触 c-Si太阳能电池和模块设计的新方法，该方法业已展现了性能上的优势， 而且还将能够更加容易地针对未来的要求， 更大和更薄的电池、更容易地实现生产工具产能的扩大等进行调整。晶体硅（ c-Si）太阳能电池和模块是光伏（ PV）产业的基础，说它是推进 PV产业发展的动力也未尝不可。 从直觉上判断， 也许晶体硅并

简介：ＥＷＴ 太阳 电 池 技 术 进 展倡赵恒利 ， 涂洁磊 ， 廖华 ， 李景天 ， 李光明 ， 何京鸿 ， 张树明（ 云南师范大学太阳能研究所 ； 教育部可再生能源材料先进技术与设备重点实验室 ； 云南昆明 ６５００９２）摘 要 介绍了 ＥＷＴ 太阳电池发展历史 、 研究现状及国内外 ＥＷＴ 太阳电池的技术研究进展 ， 指出了ＥＷＴ 太阳电池研究中的难点 ， 提出了 ＥＷＴ 太阳电池的发展方向 ， 并对 ＥＷＴ 太阳电池的发展前景进行了展望 。关键词 ＥＷＴ 太阳电池 ； 技术进展 ； 激光打孔 ； ＰＮ 区域的界定中图分类号 ＴＭ ６１５ 文献标识

简介：MWT 背接触晶体硅光伏技术概述1 引言目前主流的晶体硅太阳能电池和组件技术早在上个世纪 90 年代已经基本成熟， 性能和转化效率的提高主要依赖于材料的改进和工艺细节的优化， 进一步提高的空间已经越来越窄。电池和组件结构的重大创新被越来越多的光伏研究机构和企业所关注， 背面钝化 （ PERC） 电池、异质结（ HIT）电池和背接触式电池等新型结构的电池被认为是最有发展前景的几种技术 [1-3] ，并逐步从实验室走向量产线。目前晶体硅电池产品量产的转化效率记录一直被美国 Sunpower 公司的全背接触式 （ IBC） 电池所保持， 其电池和组件的量产转化效率分别达到22和 20以上， 但