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简介：© 1994-2007 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved. http//www.cnki.net © 1994-2007 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved. http//www.cnki.net © 1994-2007 China Academic Journal Electronic Publishing House. All righ

简介：PECVD制备氮化硅薄膜的研究进展 毕业设计（论文） （ 2013 届） 题 目 PECVD制备氮化硅薄膜的研究进展 学 号 1003020147 姓 名 钟建斌 所 属 系 新能源科学与工程学院 专 业 材料加工及技术应用 班 级 10 材料（ 1）班 指导教师 胡耐根 新余学院教务处制 PECVD制备氮化硅薄膜的研究进展 目录 摘要 . 1 Abstract 错误未定义书签。 第一章 氮化硅薄膜的性质与制备方法 3 1.1 氮化硅薄膜的性质 3 1.2 与常用减反射膜的比较 4 1.3 氮化硅薄膜的制备方法 . 6 第二章 工艺参数对 PECVD法制备氮化硅减反膜

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简介：管式 PECVD 流量对太阳电池氮化硅膜影响的工艺研究 来源深圳市大族光伏科技股份有限公司 作者 李军阳 时间 2011-09-19 氮化硅膜作为晶体硅太阳能电池减反射钝化膜是目前太阳能电池制备的主流，然而由于用 PECVD 来制备的氮化硅膜，是以 SixNyHz 方式来表达的，其中的 x,y,z 的数值直接影响了膜的光学性能和对晶体硅太阳电池表面和体内的钝化作用，因为其数值 对于膜的折射率、消光系数、致密性都有直接的影响，本文的目的就是研究工艺气体流量对膜性能的影响。 摘要本文针对目前国内在太阳能电池行业使用管式 PECVD 沉积氮化硅减反射膜时为了实现均匀性而随 意调整工艺

简介：PECVD ----- 李文 2010-5 第1章 PECVD 原理 1.1 减反射膜光学原理 1.2 PECVD 沉积原理 1.2.1 等离子体概述 1.2.2 薄膜沉积理论 第2章 PECVD 设备 2.1 真空系统 2.1.1 真空 2.1.2 真空获取与检漏 2.2 设备结构 2.2.1 ROTH 单位面积上分子与固体表面碰撞几率变 小；气体分子密度低；剩余气体对沉积膜的掺杂减小。 （2）常用真空单位换算 2． 平均 自由程 （1） 平均自由程 一个 分子每连续与其他两个气体分子碰 撞所走过的路程， 叫做自由程。相当多自由程的平均值叫做平均自由程。 粘滞流 气体分子平均自由程远小

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简介：用于太阳电池的等离子体技术 中科院电工研究所 王文静 用于太阳电池的等离子体技术 PECVD技术 –制备晶体硅太阳电池的减反射和钝化膜 –用于电池片边缘的刻蚀 –非晶硅薄膜制备技术 –非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的制备 磁控溅射技术 –制备晶体硅太阳电池的减反射和钝化膜 –薄膜电池导电薄膜的制备 –薄膜电池电极的制备 制备SiN薄膜的PECVD技术 SiN薄膜的功能 减反射 表面钝化 载流子通过表面的复合 在表面存在大量的悬挂 键，这些悬挂键会在表面 禁带中形成深能级，造成 载流子在表面的复合 电子表面复合速率为 如果硅表面直接暴露在大气中，其 表面复合速率将达到10 5 10

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简介：3 北 京 市 科 技 新 星 计 划 资 助 项 目 H020821480130 收 稿 日 期 2003211206 PECVD 沉 积 氮 化 硅 薄 膜 在 退 火 过 程 中 的 特 性 变 化 及 在 太 阳 电 池 中 的 应 用 3 叶 小 琴 1 许 颖 2 李 艳 1 顾 雅 华 1 周 宏 余 1 王 文 静 2 1北 京 师 范 大 学 低 能 核 物 理 研 究 所 ,100875 ,北 京 ;2北 京 市 太 阳 能 研 究 所 , 100083 ,北 京 ∥ 第 一 作 者 25 岁 ,女 ,硕 士 生 摘 要 采

简介：昆山迅立光电设备有限公司 迅立光电设备有限公司保密资料- 未经许可不得外传 高端真空镀膜设备的研发和制造 光伏 平板显示 半导体 节能建 筑 汽车 零部件 新 材料研 发 医疗器 械 非晶硅/ 晶体硅异质结（HAC ）光伏 发展与 国产化 论坛 2018.11.18 江西南昌 动态在线连续PECVD 镀膜 在异质结电池量产设备中 的优势 邓勋明 1迅立光电设备有限公司保密资料- 未经许可不得外传 概要 2 异质结产业的瓶颈--PECVD 设备 目前异质结电池发展最大瓶颈是制作4 层非晶硅薄膜的PECVD 设备，每100MW 产能约7000万元。 原因目前主要设备供

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