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  • 简介:加工流程单晶生长→切断→外径滚磨→平边或 V 型槽处理→切片倒角→研磨 腐蚀 -- 抛光→清洗→包装切断目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分,将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度,切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。切断的设备内园切割机或外园切割机切断用主要进口材料刀片外径磨削由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大,通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。外径滚磨的设备磨床平边或 V型槽处理指方位及指定加工,用以单晶硅捧上的特定结晶方向平边或 V型。处理的设备磨床及 X- RAY绕射仪。切片指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片
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  • 简介:一、硅片生产主要制造流程如下切片→倒角→磨片→磨检→ CP→ CVD→ ML→最终洗净→终检→仓入二、硅片生产制造流程作业实习1. 硅棒粘接用粘接剂对硅棒和碳板进行粘接,以利于牢固的固定在切割机上和方位角的确定。2. 切片 Slice 主要利用内圆切割机或线切割机进行切割, 以获得达到其加工要求的厚度, X、 Y方向角, 曲翘度的薄硅片。3. 面方位测定利用 X 射线光机对所加工出的硅片或线切割前要加工的硅棒测定其 X、 Y方位角, 以保证所加工的硅片的 X、Y方位角符合产品加工要求。4. 倒角前清洗主要利用热碱溶液和超声波对已切成的硅片进行表面清洗,以去除硅片表面的粘接剂、
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  • 简介:半导体硅片的化学清洗技术一 . 硅片的化学清洗工艺原理 切削液 金属 加工液 y ;F aK U*L9M- r6r硅片经过不同工序加工后,其表面已受到严重沾污,一般讲硅片表面沾污大致可分在三类A. 有机杂质沾污 可通过有机试剂的溶解作用,结合超声波清洗技术来去除。B. 颗粒沾污运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μ m颗粒,利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μ m颗粒。C. 金属离子沾污必须采用化学的方法才能清洗其沾污,硅片表面金属杂质沾污有两大类a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。 金属加工 液论坛 x Z-e39
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  • 简介:维普资讯 http//www.cqvip.com 维普资讯 http//www.cqvip.com 维普资讯 http//www.cqvip.com 维普资讯 http//www.cqvip.com
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  • 简介:1 *********** 学院课 程 设 计题 目硅片清洗工艺的原理和现状专 业 光伏材料加工与应用技术班 级学生姓名院 系 光伏材料系指导教师日 期 2013 年 10 月 07 日2 半导体硅片清洗工艺的发展研究【摘要】随着大规模集成电路的发展, 集成度的不断提高, 线宽的不断减小, 对硅片的质量要求也越来越高,特别是对硅抛光片的表面质量要求越来越严。在硅晶体管和集成电路生产中, 几乎每道工序都有硅片清洗的问题, 硅片清洗的好坏对器件性能有严重的影响, 处理不当, 可能使全部硅片报废, 做不出晶体管来, 或者制造出来的器件性能低劣, 稳定性和可靠性很差。 因此弄清楚硅片清
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  • 简介:专业编制可行性研究报告 了解更多详情 咨询公司网址 http//www.ztxdzx.com 因 为 专 注 所 以 专 业- 1 - 半导体硅片抛光液项目可行性研究报告核心提示 半导体硅片抛光液项目投资环境分析, 半导体硅片抛光液项目背景和发展概况, 半导体硅片抛光液项目建设的必要性, 半导体硅片抛光液行业竞争格局分析, 半导体硅片抛光液行业财务指标分析参考, 半导体硅片抛光液行业市场分析与建设规模, 半导体硅片抛光液项目建设条件与选址方案, 半导体硅片抛光液项目不确定性及风险分析,半导体硅片抛光液行业发展趋势分析提供国家发改委甲级资质专业编写半导体硅片抛光液项目建议书半导体硅片抛
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  • 简介:Semiconductor Technology Vol. 29 No. 8August 2004 531 引 言随着 ULSI 技术的不断向前发展,对半导体硅的表面性质要求也越来越严格。 而且电路的集成度日益提高,单元图形的尺寸日益微化,污染物对器件的影响也愈加突出, 以至于洁净表面的制备已成为制作 64M 和 256Mbyte DRAM 的关键技术 [1,2] 。此外有超过50%成品损失率是由硅表面的污染所造成 的 。硅片上的杂质一般可分为三种分子型、 离子型和原子型。 这里主要探讨原子型杂质。 原子型杂质主要是指过渡金属或贵金属原子(如 A u 、A g 、C u 等) ,它们主要
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  • 简介:环球市场 / 电力工程- 112-半导体硅片的品质工艺与产品质量宋艳彤天津中环半导体股份有限公司摘要 半导体技术是一个国家科研、生产能力的集中代表,是未来社会与建设自动化和智能化的基础型技术。由于国家政策上和经济上的大力支持,一段期间内国内成立了大量的半导体材料生产企业,但随着市场的逐渐饱和,半导体材料产品逐渐出现过剩,企业间的竞争变得空前的激烈,不少企业的生存遇到了困难,因此进一步加强对其的研究非常有必要。在发展过程中要把握当前半导体技术的核心和关键,在重点技术环节取得关键性突破,这样,才能将半导体技术更好地推向新的水平,进而适应科学、制造、生产的趋势需要。关键词 半导体硅片;品质工艺
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  • 简介:半导体硅片的化学清洗技术一 . 硅片的化学清洗工艺原理硅片经过不同工序加工后,其表面已受到严重沾污,一般讲硅片表面沾污大致可分在三类A. 有机杂质沾污 可通过有机试剂的溶解作用,结合超声波清洗技术来去除。B. 颗粒沾污 运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm 颗粒, 利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm 颗粒。C. 金属离子沾污必须采用化学的方法才能清洗其沾污,硅片表面金属杂质沾污有两大类a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着(尤如 “ 电镀 ” )到硅片表面。硅抛光片的化学清洗目的就在于
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  • 简介:环球市场 / 电力工程- 112-半导体硅片的品质工艺与产品质量宋艳彤天津中环半导体股份有限公司摘要 半导体技术是一个国家科研、生产能力的集中代表,是未来社会与建设自动化和智能化的基础型技术。由于国家政策上和经济上的大力支持,一段期间内国内成立了大量的半导体材料生产企业,但随着市场的逐渐饱和,半导体材料产品逐渐出现过剩,企业间的竞争变得空前的激烈,不少企业的生存遇到了困难,因此进一步加强对其的研究非常有必要。在发展过程中要把握当前半导体技术的核心和关键,在重点技术环节取得关键性突破,这样,才能将半导体技术更好地推向新的水平,进而适应科学、制造、生产的趋势需要。关键词 半导体硅片;品质工艺
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  • 简介:PVD F 太阳能电池硅片花篮的研制3孙卫东 ,黄 萍 ,王 华 ,朱道峰 ,刘哲伟 ,刘秋晨北京市塑料研究所 ,北京 100009 摘要 论述了采用注射成型方式 ,对装载方形太阳能硅片的花篮进行研制的过程 。详细介绍了花篮原材料选择 、 模具设计 、 收缩率的确定 、 可熔融性氟塑料 PVDF 注射加工工艺及产品性能控制等影响因素 。 结果显示可熔融氟塑料 PVDF 具有较好的注射成型加工性能 。产品使用性能良好 ,填补了国内空白 ,创造了较高的社会经济效益 。关键词 太阳能电池 ;方形硅片花篮 ;聚偏氟乙烯 ;注射成型中图分类号 TQ325. 4 文献标识码
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