硅片检验标准2016-2-1

光为绿色新能源有限公司硅片检验标准编号： LW-BZ-009-A1 版本： A/1 版受控状态：编制部门：技术中心发放编号：编制： 日期：审核： 日期：批准： 日期：发布日期： 实施日期：A/1 版文件更改申请单编号： LW-CX-001-A1-03 文件名称 硅片检验标准 文件编号 LW-BZ-009-A1 申请部门 铸切技术部 申请人 王伟批准人 批准日期更改原因：1、明确断线移动或类似操作导致的硅片明暗区间判定标准2、变更硅片尺寸范围3、增加硅片表面洁净度要求4、修改崩边要求更改前内容及条款1、 无2、 156-156.7 3、 无4、 B片中崩边要求为： length ≤ 1.5mm； width ≤ 0.5mm个数不限更改后内容及条款1、 增加硅片黑色带状区域要求2、 155.8-156.7 3、 增加表面玷污定义4、 B片中崩边要求为： length ≤ 1.5mm； width ≤ 0.5mm，每片不得超过 4 处A/1 版硅片检验标准1 目的规范多晶硅片检测标准。2 适用范围本标准规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、判定依据，适用于正常生产的多晶硅片的质量检验。3 定义3.1 检测工具：数显千分尺、 henneck分选机、直尺、三丰粗糙仪、 MS203电阻率测试、少子寿命测试 WT-2000。3.2 检测术语斑点定义：在光强 430-650LUX下，距离眼睛 40cm，成 30- 45°角目视能看到颜色异于周围颜色的点即为斑点。翘曲度：硅片的中面和参考面之间的最大距离和最小距离之差（即 a值）。弯曲度：硅片中心凸起处于参考平面距离差值（即 z值）。硅落：硅片表面有硅晶脱落现象且未穿透。崩边： 以硅片边缘为参考线向内部延伸深度≤ 0.5mm、 长度≤ 1.5mm及不能崩透的缺损属于崩边。缺口：光强 430-650LUX，目光与硅片成 30-45°，距离 25-35cm可以看到贯通硅片的称为缺口，看不到的不属于缺口。水印：未充分烘干，水分蒸发后残留物。表面玷污：硅片的表面或侧面沾有残胶或油污等杂物。游离碳黑线：清洗后距离硅片上边缘 5mm以内的黑色区域。微晶：每 1cm2长度上晶粒个数＞ 10个。A/1 版4 职责权限4.1 技术部负责制定硅片检验标准；4.2 质量部严格按照本文件中检验标准检验硅片。5 正文5.1 表面质量表面质量通过生产人员的分选判定， 目测外观符合附表 1 相关要求。 对整包硅片重点查看B4（崩边） ， B7（线痕） 、 B8（厚度差值） 、缺口、碎片、油污等情况；整包里的 B4片在迎光侧表现为“亮点”背光侧较暗； B7、 B8片手感表现较重，不易区分或存在争议时，利用分选机重新分选。5.2 外型尺寸几何尺寸符合附表 1 相关要求， 在研磨倒角处控制。 如认为硅片尺寸存在问题使用分选机进行检验。5.3 电性能依据硅锭／硅块测试数据判定，必要时用相关测试仪器核实。硅片电阻率测量一点数值，当超出 B 级范围时，测量五个晶粒的电阻率，计算平均值 X，以 X值作为最终判定值。5.4 抽检方法（ 1）对硅片车间自检合格的包装硅片或直传片，采取一次抽检（抽检比例８％） ，不合格比例不高于 0.5%。每次抽检不合格率大于 0.5%时，通知清洗班长重新分选，对重新分选片抽检合格后可入库。（ 2）抽取８％硅片进行检测，其结果作为该批硅片合格的判定依据。6 相关文件无7 相关记录无A/1 版附表 1：自检硅片检验项目及判定标准检验标准检验项目 A级品 B级品电性能指标Resistivity 电阻率（ Ω 2 cm） 0.7 ≤ ρ ≤ 3 Carrier Lifetime 少子寿命 ( μ s) ≥ 1.2 Oxygen concentration 氧含量（ atoms/cm3） ≤ 1.0 *1018Carbon concentration 碳含量（ atoms/cm3） ≤ 8* 1017外形尺寸及外观Geometry 几何形状 正方形Thickness 厚度（ μ m） 180± 20 TTV（ μ m） TTV≤ 30 30＜ TTV≤ 50 Size 尺寸（ mm） 155.8 ≤ size ≤ 156.7 Diagonal 对角线（ mm） 218.8-220.6 Rectangular angle 角度（ o） 90± 0.3 Chamfer angel 倒角（ o） 45± 10 Chamfer wide 倒角宽度（ mm） 0.5 ≤ wide≤ 2.5 Chip 崩边（宽度 *延伸深度）（ mm） 不允许length ≤ 1.5mm； width ≤ 0.5mm 每片不得超过 4 处Break age 缺口（ mm2） 不允许 <0.2*0.2 Saw mark锯痕（ μ m） Saw mark≤ 15 15＜ Saw mark≤ 35 Warp翘曲度（ μ m） Warp≤ 50 50＜ Warp≤ 75 Bow弯曲度（ μ m） Bow≤ 50 50