硅片清洗原理与改进方法毕业论文

毕业设计（论文）题 目 硅片清洗原理与改进方法所 属 系 太阳能科学与工程系专 业 光伏材料加工与应用技术I 硅片清洗原理与改进方法摘 要随着大规模集成电路的发展 , 集成度的不断提高 , 线宽的不断减小 , 对硅片的质量要求也越来越高 , 特别是对硅抛光片的表面质量要求越来越严。在硅晶体管和集成电路生产中 , 几乎每道工序都有硅片清洗的问题 , 硅片清洗的好坏对器件性能有严重的影响 , 处理不当 , 可能使全部硅片报废 , 做不出管子来 , 或者制造出来的器件性能低劣 , 稳定性和可靠性很差。因此弄清楚硅片清洗的方法和原理 , 不管是对于从事硅片加工的人 , 还是对于从事半导体器件生产的人来说都有着重要的意义。本文对硅片清洗的基本理论、 常用工艺方法和技术进行了详细的论述 , 同时对一些常用的清洗方案进行了浅析 , 并对硅片清洗的重要性和发展前景作了简单论述。最后介绍了清洗工艺的最新进展。关键词：硅片； 清洗； 湿法化学清洗； 干法清洗技术； 最新进展II Silicon wafer cleaning principle and improving methods Abstract Along with the development of large scale integrated circuit, the constant improvement of the level of integration, the line width of constantly decrease, the quality requirements of the silicon wafer of more and more is also high, especially in silicon PaoGuangPian surface quality requirements more and more severe. In silicon transistors and integrated circuit production, almost every process is the problem of silicon cleaning, the stand or fall of silicon cleaning device performance to have a serious impact, processes improper, may make all silicon scrap, can t make the tube to, or made the inferior device performance, stability and reliability is poor. So clear of the silicon cleaning method and principle, whether it be for wafer processing in person, still engaged in the production of semiconductor devices for people is of great significance. In this paper, the basic theory of silicon cleaning process method and common techniques are discussed in detail, at the same time for some commonly used cleaning solution for shallow, and the importance of silicon cleaning and development prospects were simply discusses. At last, the paper introduces the latest progress of the cleaning process. Keywords： Silicon wafer; Cleaning; Wet chemical cleaning; Dry cleaning technology; The latest progress of the 目 录摘 要 . I Abstract II 第 1 章 硅片清洗的基本理论 . 1 1.1 硅面的表面状态与洁净度问题 错误！未定义书签。1.2 吸附理论 错误！未定义书签。1.3 硅片表面玷污杂质的来源和分类 .3 1.4 硅片清洗的一般程序 .3 第二章 硅片清洗的常用方法与技术 错误！未定义书签。2.1 湿法化学清洗 错误！未定义书签。2.1.1 常用化学试剂洗液的性质 .4 2.1.2 溶液浸泡法 .5 2.1.3 机械擦洗法 .5 2.1.4 超声波清洗技术 .5 2.1.5 兆声波清洗技术 .6 2.1.6 旋转喷淋法 .6 2.2 干法清洗技术 .7 2.2.1 等离子体清洗技术 7 2.2.2 汽相清洗 7 2.3 束流清洗技术 8 第三章 清洗技术的最新进展 9 结论 10参考文献（ References ） . 11致谢 12第 1 章 硅片清洗的基本理论1.1 硅片的表面状态与洁净度问题理想的硅片表面应该是硅原子有规则排列终止所形成的表面 , 表面内部的硅原子以共价键结合 , 而表面外部无其它原子 , 所以外方向的价键是未饱和的 , 存在着可以俘获电子的表面态。上述理想表面实际是不存在的 , 硅片的真实表面由于暴露在环境气氛中发生氧化及吸附 , 其表面往往有一层很薄的自然氧化层 , 厚度为几个埃、 几十个埃甚至上百埃。 真实的硅片表面是内表面和外表面的总合 , 内表面是硅与自然氧化层的界面 , 它既存在着受主能级又存在着施主能级 , 能级密度为 1011～ 1012个 /c ㎡ [10] 。 外表面是自然氧化层与环境气氛的界面 , 它也存在一些表面能级 , 并吸附一些污染杂质原子 , 而且不同程度地受到内表面能级的影响 , 可以与内表面交换电荷 , 外表面的吸附现象是复杂的。清洗的根本目的是使硅片获得洁净表面 , 但是什么样的表面才是洁净的表面 , 一直没有严格的定义。 如果仅从制造工艺来说 , 可以简单认为污染物质对器件特性的影响应当在可以忽略的范围以下。一般污染杂质种类和数量越少 , 表面洁净度越高 , 工艺中总存在一个明显的污染容限 , 当污染在该容限之下 , 污染对器件的电特性、 成品率、 可靠性的影响急剧下降。 当污染超过该容限时 , 影响显著上升 , 只要污染在容限之下 , 尽管硅片表面并非绝对洁净 , 仍认为硅片表面是相对洁净的。如污染在容限之上 , 则认为硅片是非洁净的。完好的硅片清洗总是去除沾污在硅片表面的微粒和有害膜层 , 代之以氧化物的、氮化物的或其它挥发元素 ( 或分子 ) 的连续无害膜层 , 即具有原子均质的膜层。硅片表面达到原子均质的程度越高 , 洁净度越高 , 反之 , 洁净度越低。1.2 吸附理论由结晶学可知 , 这个表面所有的晶格都处于破坏状态 , 即有一层或多层硅原子的键被打开 , 呈现一层到几层的悬挂键 , 又称之为不饱和键。 由物化性质可知 , 非饱和化学键化学活性高硅片表面是硅晶体的一个断面 , 处于不稳定状态 , 极易与周围的分子或原子结合起来 , 这就是所谓的“吸附” 。被吸附的杂质粒子并不是固定不动的 , 而是在其平衡位置附近不停地振动着 , 其中一些被吸附的杂质粒子由于获得较大的动能而脱离硅片表面 , 重新回到周围介质 ( 如空气 ) 中去 , 这种现象称为“解吸” 。与此同时 , 在介质中的另一些粒子又会在硅片表面上重新被吸附。在一般情况下 , 硅片表面层所吸附的杂质粒子处于动态平衡状态。对于硅片表面来说 , 吸附是一种放热过程 , 而解吸是一种吸热过程。升高温度有利于硅片表面杂质粒子的解吸。 而以各种手段提供杂质粒子解吸所需要的能量 , 也就构成了不同名目的清洗。吸附可分为物理吸附和化学吸附 , 二者的区别主要在于吸附力的产生形式和大小的不同。 对于物理吸附 , 其吸附力来自于固体和被吸附分子间的范德瓦斯引力 , 而化学吸附则是靠化学键力结合 , 这种成键的力在一定情况下是共价键力 , 但也或多或少地混合着离子的相互作用力。 化学吸附的吸附热比物理吸附要大得多 , 且化学吸附具有小得多的平衡间距 , 所以要使化学吸附的杂质解吸需要更大的能量。化学吸附时 , 吸附层内被吸附的原子数等于硅片表面原子数 , 因为硅在不同晶面的原子数是不同的 , 所以各面吸附层内被吸附的原子数也不同。 物理吸附时 , 吸附层内的原子数取决于以液相或固相状态存在于表面上被吸附分子的大小 , 即不取决于物质表面性质而取决于表面面积和分子吸着面积 , 不同气体分子的吸着面积是不同的。由于吸附的不可避免性 , 造成了洁净表面概念的相对性。 目前大多数处理方法都是希望硅片表面以氢原子为终端 , 其优点是具有很小的表面态密度 , 可使器件的电结构特性稳定。1.3 硅片表面沾污杂质的来源和分类为了解决硅片表面的沾污问题 , 实现工艺洁净表面 , 我们需要弄清楚硅片表面引入了哪些杂质 , 然后选择适当的硅片清洗方法达到去除的目的。在硅片加工及器件制造过程中 , 所有与硅片接触的外部媒介都是硅片沾污杂质的可能来源。这主要包括以下几方面 : 硅片加工成型过程中的污染 , 环境污染 , 水造成的污染 , 试剂带来的污染 , 工业气体造成的污染 , 工艺本身造成的污染 , 人体造成的污染等。尽管硅片沾污杂质的来源不同 , 但它们通常可划分为几类 , 如表 1 所示。表 1 硅片表面沾污杂质的分类分类依据 沾污类别沾污杂质的形态 微粒型污染质、膜层污染质吸附力的性质 物理吸附型杂质、化学吸附型杂质被吸附物质的存在形态 分子型、原子型、离子型吸附杂质物化性质 有机沾污、无机盐、金属离子 (原子 ) 和机械微粒等1.4 硅片清洗的一般程序吸附在硅片表面上的杂质可分为分子型、离子型和原子型三种情况。其中分子型杂质与硅片表面之间的吸附力较弱 , 清除这类杂质粒子比较容易。 它们多属油脂类杂质 , 具有疏水性的特点 , 对于清除离子型和原子型杂质具有掩蔽作用。因此在对硅片进行化学清洗时 , 首先应该把它们清除干净。离子型和原子型吸附的杂质属于化学吸附杂质 , 其吸附力都较强。在一般情况下 , 原子型吸附杂质的量较小 , 因此在化学清洗时 , 先清除掉离子型吸附杂质 , 然后再清除残存的离子型杂质及原子型杂质。最后用高纯去离子水将硅片冲冼干净 , 再加温烘干或甩干就可得到洁净表面的硅片。综上所述 , 清洗硅片的一般工艺程序为 : 去分子→去离子→去原子→去离子水冲洗。另外 , 为去除硅片表面的氧化层 , 常要增加一个稀氢氟酸浸泡步骤。第二章 硅片清洗的常用方法与技术2.1 湿法化学清洗化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用 , 或伴以超声、 加热、 抽真空等物理措施 , 使杂质从被清除物体的表面脱附 (解吸 ) , 然后用大量高纯热、 冷去离子水冲洗 , 从而获得洁净表面的过程。化学清洗又可分为湿法化学清洗和干法化学清洗 ,其中湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位 , 因此有必要首先对湿法化学清洗及与之相关的技术进行全面的介绍。2.1.1 常用化学试剂、洗液的性质常用化学试剂及洗液的去污能力 , 对于湿法化学清洗的清洗效率有决定性的影响 , 根据硅片清洗目的和要求选择适当的试剂和洗液是湿法化学清洗的首要步骤。硅片清洗中常用的化学试剂和洗液主要有无机酸、氧化剂、络合剂、双氧水洗液、有机溶剂、合成洗涤剂、电子清洗剂等几大类 , 它们在化学清洗中的主要作用或化学性质如表 2。表 2 常用试剂、洗液的性质 (或作用 ) 类别 常用试剂或洗液 性质或作用无机酸 盐酸、 硫酸、 硝酸、 氢氟酸以及王水等酸性、腐蚀性等氧化剂 硝酸、 浓硫酸、 重铬酸钾、 双氧水等氧化还原作用络合剂 盐酸、 氢氟酸、 氟化铵、 氨水等络合作用 , 有利于去除金属杂质双氧水洗剂 1 号液、 2 号液、 3 号液 强氧化性 , 可去无机及有机沾污有机溶剂 三氯甲烷、三氯乙稀、甲苯、乙醇、丙酮等相似相溶原理 , 去除有机沾污合成洗涤剂 主要成分为表面活性剂 , 如 表面活性剂乳化作用洗涤剂 6053 等电子清洗剂 DZ21、 DZ22 、 DZ23 、 DZ24 、DZ25 电子清洗剂分别可去除各类沾污2.1.2 溶液浸泡法溶液浸泡法就是通过将要清除的硅片放入溶液中浸泡来达到清除表面污染目的的一种方法 , 它是湿法化学清洗中最简单也是最常用的一种方法。它主要是通过溶液与硅片表面的污染杂质在浸泡过程中发生化学反应及溶解作用来达到清除硅片表面污染杂质的目的。选用不同的溶液来浸泡硅片可以达到清除不同类型表面污染杂质的目的。如采用有机溶剂浸泡来达到去除有机污染的目的 , 采用 1 号液浸泡来达到清除有机、无机和金属离子、原子型污染杂质的目的。单纯的溶液浸泡法其效率往往不尽人意 ,所以在采用浸泡的同时往往还辅以加热、超声、搅拌等物理措施。2.1.3 机械擦洗法当硅片表面沾有微粒或有机残渣时常用擦片的方法清洗。机械擦洗法一般可分为手工擦洗和擦片机擦洗两种方法。手工擦洗是最简单的一种擦洗方法 , 一般用不锈钢镊子夹取浸有甲苯、丙酮、无水乙醇等有机溶剂的棉球 , 在硅片表面沿同一方向轻擦 , 以去除蜡膜、灰尘、残胶或其它固体颗粒。但此法易造成划伤 , 污染严重。用于擦洗的擦片机又可分为纯机械性擦刷的擦片机和高压擦片机等。纯机械性擦刷的擦片机利用机械旋转 , 使软羊毛刷或刷辊擦刷硅片表面。 该法较手工擦洗造成的硅片划伤大大减轻。而高压擦片机由于无机械磨擦 , 则不会划伤硅片表面 , 而且可以达到清除槽痕里的沾污。擦片机擦洗是硅片擦洗的趋势。2.1.4 超声波清洗技术超声波清洗是半导体工业中广泛应用的一种清洗方法 , 该方法的优点是 : 清洗效果好 , 操作简单 , 对于复杂的器件和容器也能清除 , 但该法也具有噪音较大、换能器易坏的缺点。该法的清理原理如下 : 在强烈的超声波作用下 ( 常用的超声波频率为20kHz 到 40kHz 左右 ) , 液体介质内部会产生疏部和密部 , 疏部产生近乎真空的空腔泡 , 当空腔泡消失的瞬间 , 其附近便产生强大的局部压力 , 使分子内的化学键断裂 , 因此使硅片表面的杂质解吸。 当超声波的频率和空腔泡的振动频率共振时 , 机械作用力达到最大 , 泡内积聚的大量热能 , 使温度升高 , 促进了化学反应的发生。超声波清洗的效果与超声条件 (如温度、 压力、 超声频率、 功率等 ) 有关 , 而且提高超声波功率往往有利于清洗效果的提高 , 但对于小于 1u m 的颗粒的去除效果并不太好。该法多用于清除硅片表面附着的大块污染和颗粒。2.1.5 兆声波清洗技术兆声波清洗不但保存了超声波清洗的优点 , 而且克服了它的不足。兆声波清洗的机理是由高能 (850kHz) 频振效应并结合化学清洗剂的化学反应对硅片进行清洗的。 在清洗时 ,由换能器发出波长为 115L m 频率为 018 兆赫的高能声波。溶液分子在这种声波的推动下作加速运动 , 最大瞬时速度可达到 30cm? s。因此形成不了超声波清洗那样的气泡 , 而只能以高速的流体波连续冲击晶片表面 , 使硅片表面附着的污染物和细小微粒被强制除去并进入到清洗液中。兆声波清洗抛光片可去掉晶片表面上小于 0.2u m 的粒子 , 起到超声波起不到的作用。 这种方法能同时起到机械擦片和化学清洗两种方法的作用。 目前兆声波清洗方法已成为抛光片清洗的一种有效方法。2.1.6 旋转喷淋法旋转喷淋法是指利用机械方法将硅片以较高的速度旋转起来 , 在旋转过程中通过不断向硅片表面喷液体 (高纯去离子水或其它清洗液 ) 而达到清除硅片目的的一种方法。该方法利用所喷液体的溶解 (或化学反应 ) 作用来溶解硅片表面的沾污 , 同时利用高速旋转的离心作用 , 使溶有杂质的液体及时脱离硅片表面 , 这样硅片表面的液体总保持非常高的纯度。 同时由于所喷液体与旋转的硅片有较高的相对速度 , 所以会产生较大的冲击力达到清除吸附杂质的目的。因此 , 可以说旋转喷淋法既有化学清洗、流体力学清洗的优点 , 又有高压擦洗的优点。 同时该法还可以与硅片的甩干工序结合在一起进行。 也就是在采用去离子水喷淋清洗一段时间后 , 停止喷水 , 而采用喷惰性气体 , 同时还可以通过提高旋转速度 , 增大离心力 , 使硅片表面很快脱水。2.2 干法清洗技术所谓干法清洗是相对于湿法化学清洗而言的 , 一般指不采用溶液的清洗技术。根据是否彻底不采用溶液工艺 , 又可分为“全干法”清洗和 “半干法”清洗。目前常常采用的干法清洗技术有 : 等离子体清洗技术、汽相清洗等。等离子清洗属于全干法清洗 , 而汽相法清洗属于半干法清洗。2.2.1 等离子体清洗技术等离子体清洗技术在硅片清洗中比较成熟的应用便是等离子体去胶 (干法去胶 ), 该法具有工艺简单、 操作方便、 没有废料处理和环境污染等问题。 但是不能去除碳和其它非挥发性金属或金属氧化物。如锡的残质会留在硅表面上 , 因此还要加一道去除金属杂质的洗液清洗。所谓等离子体去胶是指在反应系统中通入少量的氧气 , 在强电场作用下 , 使低气压的氧气产生等离子体 , 其中活化气 (或称活泼的原子态气 ) 占有适当比例 , 可以迅速地使光刻胶氧化成为可挥发性气体状态被机械泵抽走 , 这样把硅片上的光刻胶膜去除掉。实践证明 , 由于等离子去胶操作方便、去胶效率高、表面干净、无划伤、硅片温度低等优点 , 有利于确保产品的质量。它不用酸、碱及有机溶剂等 , 成本低 , 又不会造成公害等 , 因此受到人们重视 , 在生产中已逐步采用。2.2.2 汽相清洗汽相清洗是指利用液体工艺中对应物质的汽相等效物 (如去氧化物的 HF) 与硅片表面的沾污物质相互作用而达到去除杂质目的的一种清洗方法。在 MMST 工程研究中 , 以三天为周期的 CMOS 工艺中的硅片清洗采用了汽相 HF/水汽相互作用的工艺。用于单片气体反应器中的汽相 HF/水汽用于代替液态 HF 工艺借以去除氧化物。通常为得到一个好的结果 , 含水 HF 工艺必须附加一个颗粒清除过程 (如用1 号液超声 ) , 特别是如果使用最后的旋转冲洗和干燥步骤更应如此。在 MMST 器件验证中 , 很清楚地说明汽相 HF 的使用不需要随后的颗粒清除过程 , 与含水HF 工艺相比 , 本工艺的一个重要的好处是 HF 的化学消耗小得多 , 节省了很大的费用。汽相 HF 工艺解决了 MMST 工程中对于小的硅片组的快周期的目标 , 产出为每分钟一片。2.3 束流清洗技术束流清洗技术通常是指利用含有较高能量的呈束流状的物质流 (能量流 ) 与硅片表面的沾污杂质发生相互作用而达到清除硅片表面杂质的一种清洗技术。 常用的束流清洗技术有微集射束流清洗技术、激光束技术、冷凝喷雾技术等。微集射束流清洗技术是一种新型的在线硅片表面清洗技术 , 该技术采用电流体力学喷射原理 , 将毛细管中喷射出的清洗液作用到硅片表面 , 清除硅片表面的颗粒和有机薄膜沾污。微集射束流的产生是在强电场作用下 , 将毛细管中喷射出的导电清洗液雾化。其去污原理如下 : 喷射而出的微束流所具有的冲击力作用到沾污颗粒上 , 克服颗粒与硅片之间的 Van Der Waals 附着力 , 使沾污颗粒升起 , 脱离硅片表面 , 达到清洗目的。当清洗液速度极高时 , 会在硅片表面物质中产生微冲击波 , 这种冲击波可以除去片子表面的膜层 , 为防止清洗时对硅片表面二氧化硅层的损伤 , 清洗束流的最大速度大约选在 5 千米 /秒。微集射束流表面清洗技术用在半导体硅片清洗中是清洗技术上的一种突破 , 具有很大的潜力。突出优点 : 一是清洗液消耗量很少 , 清洗一个硅片可能只需要几十微升的洗液 ; 二是减少了二次污染的发生。更为重要的是 , 清洗液束流尺寸与亚微米器件图形的几何尺寸以及沾污颗粒的尺寸处于同一数量级 , 这使管芯上缝隙里的沾污也能被清除掉。第三章 清洗技术的最新进展为得到更好的清洗效果 ,满足日益增长的对硅表面质量的要求 ,人们进行了深入的研究 ,以期获得更经济、更快捷、更安全的环保型清洗工艺。近期兴起的对含臭氧水（ Ozonized water,OW）的清洗效果的研究表明，用OW 预处理过的硅片表面颗粒度较未经预处理的降低一个数量级。索尼公司的H.Takeshi 在室温下交替喷射 OW 和 DHF 数秒钟，可有效去除金属、 颗粒、有机物，而不增加微粗糙度。他们提出的颗粒去除模型为： OW 使有机物分解为水和二氧化碳，同时 HF 和双氧水对硅的氧化和腐蚀使颗粒的附着能力减弱，颗粒和基片间产生排斥力，从而去除颗粒。R.Takizawa 等人介绍了一种新的清洗液 SE(Slight Etch):硝酸（ 60%） ： HF（ 0.025%~0.1%） ， SE 能使硅片表面的铁玷污降至常规清洗的十分之一，各种金属玷污均小于 10 的 10 次方原子 /平方厘米，不增加粗糙程度。这种清洗液对硅的腐蚀速率比对二氧化碳快 10 倍， 且与 HF 含量成正比， 清洗后硅片表面有 1nm的自然氧化层。 T.H.Ppark 等人对此进行改进。提出 CSE(Controlled Slight Etch solution):硝酸： HF：双氧水 =50： （ 0.5~0.9） ： （ 49.1~49.5） ， 35° C， 3~5min。用CSE 清洗的硅片表面没有自然氧化层，微粗糙度较 SE 清洗的降低，对硅的腐蚀速率不依赖 HF 的浓度， 这样有利于工艺控制。 当 HF 浓度控制在 0.1%时效果较好。W.Ojima 等人介绍的用加兆声（约 1MHz）的 OW 清洗方法可有效去除表面有机玷污。 兆声能是 OW 产生 OH， 它有比 OW 更高的氧化还原势， 可将有机物降解为二氧化碳和水。为配合集成电路生产工艺， 人们还发展了干法清洗工艺，即用激光、气体（ AHF、臭氧、 HCL 等）清洗。R.Sherman 等人用干冰清洗硅片，认为高速喷射的干冰及其携带的气流与表面颗粒、有机玷污相互作用，可以去除这些玷污。T.Ohmi 提出一种室温下的清洗工艺： OW-FPM（ HF（≤ 0.5%） / 双氧水（ 0.1%～ 1%） / 水 / 表面活性剂） -OW喷淋 +兆声 -DHF（ 0.1%） - 纯水冲洗。这种清洗工艺可以有效去除有机玷污、颗粒金属玷污、氧化层，其清洗效果可以与 RCA清洗工艺相比。结论随着半导体工业的发展 , 对硅片表面洁净度的要求也越来越高 , 这在一定程度上促进了硅片清洗技术的发展 , 也促进了人们对硅片清洗工艺的研究。当前 , 湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位。 但在今后 , 由于化学试剂的存放以及环境问题 , 湿法化学清洗技术的使用会逐渐减少。 据测算 , 目前某些半导体工厂用于超纯水的费用将接近 30 亿美元。为了降低成本 , 减少水的消耗是一方面 , 采用自动在线硅片清洗技术也是很重要的一方面。 一种好的清洗方法应能带来以下益处 : 较高的电路成品率、 低水耗、 低污染、 低设备成本。半导体工业所需要的是一种全自动“干法”清洗系统 , 该系统能与加工工艺步骤结合在一起。而 “微集射束流清洗” 技术能够同时在线清除硅片上的颗粒沾污、有机物沾染以及其它类型的沾染 , 是一种有很好发展前景的技术。尽管到目前为止 , 非在线式硅片清洗技术已有了很大的发展 , 但是清洗设备本身所产生的污染问题却一直没能彻底解决 , 从而成为影响成品率的一个重要因素。因此人们迫切需要一种新方法 , 能够在线清除在硅片的取放、传输、升降、托盘旋转、设备抽气、排气以及反应室物理化学反应过程中所产生的污染。总之 , 硅片清洗的发展趋势是全自动在线干法清洗技术 , 特别是随着硅片尺寸的大直径化 , 一些落后的非自动非在线清洗工艺必将被淘汰。参考文献（ References ）[1] 罗玉峰 ，张发云， 廖卫兵 . 材料加工与设备概论 . 江西高校出版社， 2009年 2 月 . 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J Electrocben Soc ,1988 致谢值此论文付梓之际，内心感慨万千。在编写论文过程中，曾碰到许多的困难与难题，但在老师以及同学的帮助下一一克服。在此我表示诚挚的感谢。首先感谢我的导师，江民化老师。在他的指导下我更好更快的完成了此论文。其次感谢我的老师们，是他们在这近 3 年来教导我，使我成人成才。在次感谢我的同学们， 3 年时光， 在学习亦或生活中给了我很大的帮助。 虽然马上就要各奔东西，我会为你们加油祝福。最后感谢我的父母以及家人。在论文完成之际，再次感谢那些敬爱的老师，可爱的同学，亲爱的家人给予我的帮助。毕业设计（论文）原创性声明和使用授权说明原创性声明本人郑重承诺：所呈交的毕业设计（论文） ，是我个人在指导教师的指导下进行的研究工作及取得的成果。 尽我所知， 除文中特别加以标注和致谢的地方外， 不包含其他人或组织已经发表或公布过的研究成果， 也不包含我为获得 及其它教育机构的学位或学历而使用过的材料。对本研究提供过帮助和做出过贡献的个人或集体，均已在文中作了明确的说明并表示了谢意。作 者 签 名： 日 期：指导教师签名： 日 期：使用授权说明本人完全了解 大学关于收集、保存、使用毕业设计（论文）的规定，即：按照学校要求提交毕业设计（论文）的印刷本和电子版本；学校有权保存毕业设计（论文）的印刷本和电子版，并提供目录检索与阅览服务；学校可以采用影印、缩印、数字化或其它复制手段保存论文； 在不以赢利为目的前提下， 学校可以公布论文的部分或全部内容。作者签名： 日 期：学位论文原创性声明本人郑重声明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。 除了文中特别加以标注引用的内容外， 本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。 对本文的研究做出重要贡献的个人和集体， 均已在文中以明确方式标明。 本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。作者签名： 日期： 年 月 日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权 大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索， 可以采用影印、 缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。涉密论文按学校规定处理。作者签名： 日期： 年 月 日导师签名： 日期： 年 月 日指导教师评阅书指导教师评价：一、撰写（设计）过程1、学生在论文（设计）过程中的治学态度、工作精神□ 优 □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格2、学生掌握专业知识、技能的扎实程度□ 优 □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格3、学生综合运用所学知识和专业技能分析和解决问题的能力□ 优 □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格4、研究方法的科学性；技术线路的可行性；设计方案的合理性□ 优 □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格5、完成毕业论文（设计）期间的出勤情况□ 优 □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格二、论文（设计）质量1、论文（设计）的整体结构是否符合撰写规范？□ 优 □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格2、是否完成指定的论文（设计）任务（包括装订及附件）？□ 优 □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格三、论文（设计）水平1、论文（设计）的理论意义或对解决实际问题的指导意义□ 优 □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格2、论文的观念是否有新意？设计是否有创意？□ 优 □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格3、论文（设计说明书）所体现的整体水平□ 优 □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格建议成绩： □ 优 □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格（在所选等级前的□内画“√”）指导教师： （签名） 单位： （盖章）年 月 日评阅教师评阅书评阅教师评价：一、论文（设计）质量1、论文（设计）的整体结构是否符合撰写规范？□ 优 □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格2、是否完成指定的论文（设计）任务（包括装订及附件）？□ 优 □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格二、论文（设计）水平1、论文（设计）的理论意义或对解决实际问题的指导意义□ 优 □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格2、论文的观念是否有新意？设计是否有创意？□ 优 □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格3、论文（设计说明书）所体现的整体水平□ 优 □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格建议成绩： □ 优 □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格（在所选等级前的□内画“√”）评阅教师： （签名） 单位： （盖章）年 月 日