硅片酸腐蚀与碱腐蚀工艺比较

硅片酸腐蚀与碱腐蚀工艺比较参数 酸腐蚀工艺 碱腐蚀工艺腐蚀特性 各向同性 各向异性腐蚀反应的热量 放热 吸热表面平坦度 （ STIR\TIR\TTV ）需要依靠晶片的旋转、 特制的夹具、 通气体充分搅拌腐蚀液等特殊机构及工艺手段来改善其表面平坦度不需要特殊机构便可达到一定的表面平坦度腐蚀后表面粗糙度（ Ra ） 比碱腐蚀工艺小， 与晶片原有的损伤程度有关 比酸腐蚀工艺大， 与晶片原有的损伤程度有关硅片表面残留的微粒原先就已存在于晶片表面上的微粒就难去掉， 较低的表面粗糙度不容易吸附微粒原先就已存在于晶片表面上的微粒容易去掉， 较差的表面粗糙度容易吸附微粒金属污染程度 (Cu\Ni) 腐蚀液的纯度比较高， 腐蚀温度较低，金属扩散程度小腐蚀液的纯度比较差， 腐蚀温度高，金属扩散程度大，（ 111）晶向比（ 100 ）晶向严重表面腐蚀斑点残留印痕晶片从腐蚀液转移到水中时间必须小于 0.6s ，才能有效防止斑痕的产生， 较低电阻率的晶片比较容易产生斑痕晶片从腐蚀液转移到水中的时间必须小于 2s，才能有效防止斑痕的产生， 与晶片的电阻率无关腐蚀液槽的使用寿命 比较短 比较长加工成本 所用化学试剂比碱腐蚀用化 学试剂费用约贵 2 倍左右 所用化学试剂费用较便宜环境保护处理 环保处理相对比较复杂 环保处理相对比较容易