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阿特斯蒋方丹博士《P型电池光衰原理、控制及测试标准进展》（22页）

下载价格：5 金币 / 发布人：光伏小萝莉 / 发布时间：2020-03-24 / 705人气

最新研究：光伏电池相关标准进展和应用（16页）

p技术总结本报告从光伏电池体系框架及标准技术团队、光伏电池标准情况及技术研究进展、光伏电池标准应用及规划三个方面论述，介绍了光伏电池相关标准进展和应用，干货较多，建议收藏。/p

下载价格：5 金币 / 发布人：安爱生 / 发布时间：2019-07-12 / 300人气

RCA标准清洗步骤（1页）

硅片清洗工艺采用 RCA方法，这是半导体行业硅片的标准清洗步骤1 配制氢氟酸溶液（ 1 20，本次 100ml2000ml ）2 硅片支架清洗、吹干待用3 取硅片放于支架上，按照顺序放好4 配 3＃液（硫酸 H2O231，本次 660ml 220ml ），硫酸最后加，同时另一容器煮水5 用 3

下载价格：3 金币 / 发布人：索比杜金泽 / 发布时间：2018-08-15 / 629人气

RCA标准清洗步骤(20180720145614) （1页）

硅片清洗工艺采用 RCA方法，这是半导体行业硅片的标准清洗步骤1 配制氢氟酸溶液（ 1 20，本次 100ml2000ml ）2 硅片支架清洗、吹干待用3 取硅片放于支架上，按照顺序放好4 配 3＃液（硫酸 H2O 231 ，本次 660ml 220ml ），硫酸最后加，同时另一容器煮水5 用

下载价格：3 金币 / 发布人：索比杜金泽 / 发布时间：2018-08-15 / 387人气

标准太阳能电池（22页）

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下载价格：3 金币 / 发布人：索比杜金泽 / 发布时间：2018-08-15 / 215人气

各岗位工艺要求及标准（2页）

制绒岗位工艺标准初配液标准（ 125*125 硅片） NaOH 2500克、制绒添加剂 1800mL、反应温度 84 度、时间 1300s----1600s。腐蚀量 0.3 0.35g。后续添加（ 200 毫升量杯） NaOH（固体） 150 毫升 /框、制绒添加剂50mL初配液标准（ 15

下载价格：3 金币 / 发布人：索比杜金泽 / 发布时间：2018-08-15 / 266人气

硅片电池片检验标准141009 （37页）

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下载价格：3 金币 / 发布人：索比杜金泽 / 发布时间：2018-08-15 / 235人气

硅检检验标准培训（59页）

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下载价格：3 金币 / 发布人：索比杜金泽 / 发布时间：2018-08-15 / 203人气

一种帮你建立光伏电站清洗标准与清洗频次的方法1 （1页）

一种帮你建立光伏电站清洗标准与清洗频次的方法为提高电站收益，绝大部分的光伏电站都会定期对光伏电站组件进行清洗, 以保证光伏电站的发电量。但就光伏电站组件是否需要清洗的标准是什么以及电站清洗的频次如何确定答案却不一，比较典型的有以下几种 1、建立两个对...

下载价格：3 金币 / 发布人：索比杜金泽 / 发布时间：2018-08-15 / 311人气

项目过程与收费标准（2页）

并网电站项目过程与收费标准（ 1）光伏电池组件及其支架设计；根据气象参数计算出其地区的日照时数，安装倾角及阴雨天数根据负载参数计算出其需要组件功率及组件选型和设计（ 2）光伏阵列防雷汇流箱设计与配置；针对总体设计中逆变器和光伏组件的选择，设计出最优的...

下载价格：3 金币 / 发布人：索比杜金泽 / 发布时间：2018-08-15 / 266人气

156×156多晶A级硅片标准(1) （1页）

控状态批号、厚度、硅片数量、电阻率、规格尺寸等翘曲度 ≤ 50μ m HENNECKE几何尺寸生长方式100片 / 包200± 20 μ m HENNECKETTV冠德光电材料（无锡）有限公司156 156多晶 A级硅片标准ZG-BZ-02A/1DSSHENNECKE崩边材料特性≥ 1μs HENN

下载价格：3 金币 / 发布人：索比杜金泽 / 发布时间：2018-08-21 / 245人气

多晶硅片检测标准（6页）

多晶硅片技术标准1 范围1.1 本要求规定了多晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2 本要求适用于多晶硅片的采购及其检验。2 规范性引用文件2.1 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法2.2 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法2.3 ASTM F .

下载价格：3 金币 / 发布人：索比杜金泽 / 发布时间：2018-08-21 / 352人气

硅片标准集合（1页）

检测项目硅片厚度 A级片标准物料编码备注180um 任意点厚度在 180± 18um，95中心点厚度在 180± 10um 01190um 任意点厚度在 190± 18um，95中心点厚度在 190um± 10um200um 任意点厚度在 200± 18um，95中心点厚度在 200± 10u

下载价格：3 金币 / 发布人：索比杜金泽 / 发布时间：2018-08-21 / 189人气

硅片标准（1页）

BA A2 B1、 B2、 B3 B71 导电类型 P P 硅片分选设备硅棒保证2 隐裂、针孔无隐裂、无针孔无隐裂、无针孔硅片分选设备抽检3 崩边长度≤ 1 mm，深度≤ 0.5mm，每片崩边总数≤ 2 处；长度≤ 1 mm，深度≤ 0.5 mm，每片崩边总数≤3处；B1 1mm＜崩

下载价格：3 金币 / 发布人：索比杜金泽 / 发布时间：2018-08-21 / 327人气

硅片等级分类及标准(20180720150042) （2页）

硅片等级分类及标准New Roman “ 一、优等品1硅片表面光滑洁净。2 TV 220± 20μ m。3几何尺寸边长 125± 0.5mm；对角 150± 0.5mm、 148± 0.5mm、 165± 0.5mm；边长 103± 0.5mm、对角 135± 0.5mm；边长 150± 0.5m

下载价格：3 金币 / 发布人：索比杜金泽 / 发布时间：2018-08-21 / 453人气

硅片的等级标准（3页）

硅片的检测版本 1 弯曲是指有效面积内有规律的发生形变，翘曲是指有效面积内局部发生形变。A 级 B 级 C级 D级 E 级线痕TVTTV孪晶多晶裂纹、裂痕应力空洞缺角V 型缺口弯曲度翘曲度硅多晶线性尺寸长度无或轻线无无无不存在多晶无无无无无无6≦ L≦ 100mm ≦ 10μ m,≦ ...

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硅片分级检验标准（1页）

项目等级缺陷类型缺陷类型220μ m≤厚度≤ 225 μ m 崩边深≤ 0.3 ㎜、长≤ 0.5 ㎜、数量≤ 2个（中心点测量值） 15μ m≤单面线痕≤ 20 μ m同一位置175μ m≤厚度≤ 180 μ m 双面线痕深度相加≤ 30 μ m 中心点测量值） 15μ m≤单面线痕≤ 20

下载价格：3 金币 / 发布人：索比杜金泽 / 发布时间：2018-08-21 / 343人气

硅片等级分类及标准（1页）

硅片等级分类及标准链接 www.china-nengyuan.com/tech/17054.html 硅片等级分类及标准一、优等品1硅片表面光滑洁净。2 TV 220± 20μ m。3几何尺寸边长 125± 0.5mm；对角 150± 0.5mm、 148± 0.5mm、 165± 0.5mm；边长

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硅片检验标准2016-2-1 （8页）

光为绿色新能源有限公司硅片检验标准编号 LW-BZ-009-A1 版本 A/1 版受控状态编制部门技术中心发放编号编制日期审核日期批准日期发布日期实施日期A/1 版文件更改申请单编号 LW-CX-001-A1-03 文件名称硅片检验标准文件编号 LW-BZ-009-A1 申请部门铸切技

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硅片技术标准（6页）

单晶硅片技术标准1 范围1.1 本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2 本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。2 规范性引用文件2.1 ASTM F42-02 半导体材料导电率类型的测试方法2.2 ASTM F26 半导体材料晶向测试方法2.3 ASTM F84 直线四探针法测

下载价格：3 金币 / 发布人：索比杜金泽 / 发布时间：2018-08-21 / 461人气