RCA标准清洗步骤

硅片清洗工艺采用 RCA方法， 这是半导体行业硅片的标准清洗步骤：1) 配制氢氟酸溶液（ 1： 20，本次 100ml2000ml ）2) 硅片支架清洗、吹干待用3) 取硅片放于支架上，按照顺序放好4) 配 3＃液（硫酸： H2O2=3:1，本次 660ml ： 220ml ） ，硫酸最后加，同时另一容器煮水5) 用 3＃液煮洗， 15min ，加热至 250℃，拎起支架稍凉片刻6) 将支架放到热水中，冲水7) 配制 1＃液（氨水： H2O2： H2O＝ 1： 1： 5-1:1:7 ） ，前两者倒入热水中，加热 75～ 85℃， 时间 10～ 20min（时间不可太长， 因为氨水对硅有腐蚀作用，利用络合作用去除重金属杂质） ，取出硅片支架，放入 1＃液， 15min ，取出放到热水中，冲水8) 配制 2＃液（ HCl： H2O2： H2O ＝ 1： 1： 5，本次 240ml240ml1200ml ）前两者倒入热水中。9) 取出硅片，放入 2＃液， 15min ，取出放热水中，冲水。10) 10％的氢氟酸 (1:20 ，本次 100ml2000ml) 时间 5～ 10s，去除硅表面氧化层11) 去离子水冲洗时间 20min