超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术的未来发展

超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术的未来发展作者： 郭东明 ， 康仁科 ， 苏建修 ， 金洙吉作者单位： 大连理工大学机械工程学院 ,大连 ,116024刊名： 机械工程学报英文刊名： CHINESE JOURNAL OF MECHANICAL ENGINEERING年，卷 (期 )： 2003， 39(10)引用次数： 18次参考文献 (18条)1. HAHN P OThe 300 mm silicon wafer - a cost and technology challenge 2001(56)2. International Technology Roadmap for Semiconductors Interconnect ITRS 2001Edition3. GEHMAN B LIn the age of 300 mm silicon tech standards are even more crucial 20014. LUO J f . Dornfeld David A Material removal mechanism in chemical mechanical polishing: theory andmodeling 2001(2)5. Reid J Optimization of damascene feature fill for copper eletroplating process 19996. ZHAO BIC interconnect technology-challenges and opportunities 20017. Korczynski Future of CMP to be revolutionary not evolutionary 20028. Laertis Economikos STI planarization using fixed abrasive technology9. Vo T. Buley . 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Zarowin C B . bollinger L D Rapid noncontact damage free shaping of optical and other surfaces withplasma assisted chemical etching 1989相似文献 (10条)1.会议论文 苏建修 . 郭东明 . 康仁科 . 金洙吉 . 李秀娟 硅片化学机械抛光时硅片运动形式对片内非均匀性的影响分析本文分析了目前几种常见的化学机械抛光 (CMP)机中抛光头与抛光垫的运动关系 , 针对不同的硅片运动形式 , 计算了磨粒在硅片表面的运动轨迹 ; 通过对磨粒在硅片表面上的运动轨迹分布的统计分析 , 得出了硅片在不同运动形式下的片内材料去除非均匀性 . 从硅片表面材料去除非均匀性方面 , 对几种抛光机的运动形式进行了比较 , 结果表明 , 弧形摆动式抛光机所产生的硅片内非均匀性最小 . 本文的研究为 CMP机床的设计和使用中选择和优化运动参数提供了理论依据.2.期刊论文 许雪峰 . 马冰迅 . 黄亦申 . 彭伟 . XU Xue-feng . MA Bing-xun . HUANG Yi-shen. PENG Wei利用复合磨粒抛光液的硅片化学机械抛光 - 光学精密工程 2009,17(7)为了提高硅片的抛光速率 , 利用复合磨粒抛光液对硅片进行化学机械抛光 . 分析了 SiO2磨粒与聚苯乙烯粒子在溶液中的ζ电位及粒子间的相互作用机制 , 观察到 SiO2磨粒吸附在聚苯乙烯及某种氨基树脂粒子表面的现象 . 通过向单一磨粒抛光液中加入聚合物粒子的方法获得了复合磨粒抛光液 . 对硅片传统化学机械抛光与利用复合磨粒抛光液的化学机械抛光进行了抛光性能研究 , 提出了利用复合磨粒抛光液的化学机械抛光技术的材料去除机理 , 并分析了抛光工艺参数对抛光速率的影响 . 实验结果显示 , 利用单一 SiO2磨料抛光液对硅片进行抛光的抛光速率为 180 nm/min;利用 SiO2磨料与聚苯乙烯粒子或某氨基树脂粒子形成的复合磨粒抛光液对硅片进行抛光的抛光速率分别为 273 nm/min和 324 nm/min.结果表明 , 利用复合磨粒抛光液对硅片进行抛光提高了抛光速率 , 并可获得 Ra为 0.2 nm的光滑表面.3.学位论文 刘敬远 硅片化学机械抛光加工区域中抛光液动压和温度研究 2009化学机械抛光 (Chemical Mechanical Polishing，简称 CMP)作为集成电路 (IntegratedCircuit ，简称 IC)制造的核心技术被广泛应用于集成电路制造过程中硅片表面的局部和全局平坦化加工。硅片化学机械抛光是一个非常复杂的过程，影响化学机械抛光过程的因素有很多，而硅片化学机械抛光加工区域中抛光液的动态压力和温度变化是影响表面非均匀性和材料去除率的关键因素之一。在集成电路制造中，采用的硅片尺寸不断增大，器件特征尺寸不断缩小，硅片化学机械抛光加工区域中抛光液动态压力和温度变化对硅片表面质量的影响越来越突出。目前，对 IC制造中硅片 CMP加工区域中抛光液动态压力和温度研究还不系统和完善，深入研究硅片 CMP加工区域中抛光液动态压力和温度变化对最终实现高质量、超精密、无损伤加工表面有着非常重要的意义。 本文全面分析了 IC制造中硅片 CMP加工区域中抛光液动态压力和温度的研究现状及存在的问题。在此基础上，对 IC制造中硅片 CMP加工区域中抛光液动态压力和温度进行了深入研究。论文的主要研究工作为： (1) 根据润滑理论、渗流理论和微极流体理论，对大尺寸硅片 CMP加工过程中含磨粒抛光液的流动性进行了研究，建立了抛光液流动的三维模型。研究了抛光液中悬浮纳米级磨粒的尺寸、浓度，抛光垫的多孔隙性能、厚度和表面粗糙度，硅片的尺寸和曲率，硅片和抛光垫的转速等关键因素对抛光液流动的影响，流体压力分布的实验结果与理论模拟的结果基本一致。(2)根据化学机械抛光的特点，通过对现有实验设备进行改造，建立了硅片化学机械抛光试验台。该试验台实现了抛光头的主动旋转功能，抛光头的万向浮动功能，抛光载荷加载及调节功能，以及抛光液输送及流量控制功能。为进行化学机械抛光扭矩、抛光压力、摩擦力以及加工区域中抛光液动态压力和温度测量等研究提供了基础的试验平台。 (3) 根据流体压力测量的基本原理，对硅片化学机械抛光加工区域中抛光液动态压力测量方法进行研究，提出了多点原位实时测量硅片化学机械抛光加工区域中抛光液动态压力的方法。在此基础上，对硅片化学机械抛光加工区域中抛光液流体压力测量系统进行了研究，建立了硅片 CMP加工区域中抛光液动态压力实时检测系统，系统误差小于± 0.25％，满足抛光液动态压力测试的要求。 (4) 在 CMP试验台上，运用所建立的抛光液动态压力测量系统，进行硅片化学机械抛光加工区域中抛光液流体动态压力测量实验，研究了抛光压力和相对速度对硅片化学机械抛光加工区域中抛光液流体动态压力的影响，结果表明：在抛光压力较小的情况下，硅片与抛光垫之间抛光液容易形成润滑承载膜，抛光液动态压力随着抛光压力的增加而增大；另一方面，在相同工况条件下，硅片与抛光垫之间的相对速度增加时，硅片与抛光垫之间抛光液产生的流体动态压力也增大。 (5) 根据温度测量的基本原理，深入分析了影响硅片 CMP加工区域中抛光液温度测量的各种因素，提出了基于接触法的多点原位实时测量硅片化学机械抛光加工区域中抛光液温度的方法。在此基础上，进行了硅片 CMP加工过程中抛光液温度测量系统研究，建立了硅片化学机械抛光加工区域中抛光液温度测量系统，进行了抛光液温度测量的误差分析，并在测量中采取一些对应措施，排除干扰，减小了误差，使测量系统误差小于± 0.47％。 (6) 运用所建立的抛光液温度测量系统，进行了硅片化学机械抛光加工区域中抛光液温度测量实验研究，结果表明抛光压力、相对速度和抛光垫的摩擦系数等因素对加工区域抛光液温度变化具有决定性的影响。4.期刊论文 苏建修 . 郭东明 . 康仁科 . 金洙吉 . 李秀娟 . Su Jianxiu . Guo Dongming. Kang Renke. Jin Zhuji . LiXiujuan 硅片化学机械抛光时运动形式对片内非均匀性的影响分析 - 中国机械工程 2005,16(9)分析了目前几种常见的化学机械抛光机中抛光头与抛光垫的运动关系 , 针对不同的硅片运动形式 , 计算了磨粒在硅片表面的运动轨迹 ; 通过对磨粒在硅片表面上的运动轨迹分布的统计分析 , 得出了硅片在不同运动形式下的片内材料去除非均匀性 . 从硅片表面材料去除非均匀性方面 , 对几种抛光机的运动形式进行了比较 , 结果表明 , 抛光头摆动式抛光机所产生的硅片内非均匀性最小 . 该研究为化学机械抛光机床的设计和使用中选择和优化运动参数提供了理论依据.5.期刊论文 宋晓岚 . 刘宏燕 . 杨海平 . 张晓伟 . 徐大余 . 邱冠周 . SONG Xiaolan. LIU Hongyan. YANG Haiping. ZHANGXiaowei . XU Dayu. QIU Guanzhou 纳米 SiO2浆料中半导体硅片的化学机械抛光速率及抛光机理 - 硅酸盐学报2008,36(8)采用电化学方法 , 研究了 SiO2浆料 pH值、 H2O2浓度、固体含量以及抛光转速、压力和时间等不同抛光工艺参数对 n型半导体单晶硅片 (100)和 (111)晶面化学机械抛光 (chemical mechanical polishing,CMP)去除速率的影响和作用机理 . 结果表明 : 抛光速率随 SiO2固体含量、抛光转速及压力的增加而增大, 随抛光时间的增加而减小 ; 在 pH值为 10.5和 H2O2为 1%(体积分数 )时 , 抛光速率出现最大值 ; 相同抛光工艺条件下 (100)晶面的抛光速率远大于 (111)晶面 . 半导体硅片 CMP过程是按照成膜 (化学腐蚀作用 )→去膜 (机械磨削作用 )→再成膜→再去膜的方式进行 , 直到最终全局平坦化 . 实验所获得适合 n型半导体硅片CMP的优化工艺参数为 :5%～ 10% SiO2(质量分数 ),pH=10.5,1%H2O2,压力为 40 kPa及 (110)晶面和 (111)晶面的抛光转速分别为 100 r/min和 200 r/min; 在该条件下 10% SiO2浆料中抛光 30 min得到的抛光硅片的表面粗糙度为 0.7 nm左右.6.学位论文 宋晓岚 纳米 SiO浆料中半导体硅片的化学机械抛光及其应用研究 2007随着集成电路 (IC) 的快速发展，对衬底材料硅单晶抛光片表面质量的要求越来越高，化学机械抛光 (CMP)是目前能实现全局平面化的唯一方法。研究硅片 CMP技术中浆料性质、浆料与硅片相互作用、抛光速率及硅片 CMP过程机理具有重要理论指导意义和实际应用价值。本文运用胶体化学、电化学和量子化学的原理和方法，系统研究了半导体硅片 CMP技术中若干重要问题。 详细研究了水相体系纳米 SiO2浆料的分散稳定性能，考察了纳米 SiO2颗粒在不同 pH值介质中的润湿性和稳定性，探讨了不同分散方法及加入不同种类表面活性剂对纳米 SiO2颗粒吸光度、表面 Zeta电位和吸附量等的影响，并通过颗粒间相互作用能的计算，分析讨论了纳米 SiO2浆料在不同条件下的分散行为和作用机理。研究得出，纳米 SiO2颗粒的等电点 (pHIEP)约为 2，在酸性介质中有较好的润湿性，在碱性介质中有较好的稳定性，其分散行为与其表面 Zeta电位有很好的一致关系，随 pH升高，由于增加颗粒表面 Zeta电位，产生静电排斥作用使稳定性提高；机械搅拌和超声波均可有效促进纳米 SiO2浆料的分散，但保持浆料持久稳定需加入表面活性剂作为分散剂；不同种类表面活性剂的分散机理不同，非离子型 Triton X-100 主要通过在颗粒表面形成吸附层，产生空间位阻效应，同时可在一定程度上改变颗粒表面电 Zeta电位，产生静电排斥效应而阻止颗粒聚集；阳离子型 CPB和阴离子型 SDBS主要由于静电排斥效应起稳定作用；加入 1:1 Triton X-100/SDBS复配物则可同时增强静电排斥和空间位阻作用，能显著改善纳米 SiO2颗粒的分散能力，获得达 30d以上稳定的浆料。 运用电化学实验方法，采用旋转圆盘电极，系统研究了不同掺杂类型及不同晶面半导体硅片在纳米 SiO2浆料中的腐蚀成膜特性和成膜机理，分析了硅片成膜随浆料 pH值、 SiO2固含量、成膜时间和H2O2浓度等条件的变化规律；通过白行组装的 CMP装置，进一步探讨了硅片在动态 CMP过程中的电化学行为，研究了抛光压力、抛光转速、 SiO2固含量、浆料 pH值以及 H2O2浓度等因素对硅片抛光时的腐蚀电位和电流密度的影响和作用机理。结果表明： Si(100)晶面成膜速度较 Si(111)晶面快，硅片成膜符合 Muller模型；浆料 pH值对硅片成膜和 CMP时的腐蚀电位及腐蚀电流密度影响很大， pH值约为 10.5时硅片表面形成的钝化膜最厚 (约 5.989A)，而 CMP时其腐蚀电流密度最大，说明此时腐蚀成膜和抛光去膜速率最快；浆料中加入一定浓度 H2O2作为氧化剂能加速硅片成膜，并使 CMP时的腐蚀电位升高，腐蚀电流密度增大，从而促进抛光去膜；一定程度提高抛光压力、抛光转速以及 SiO2固含量有助于硅片表面钝化膜的去除；由此获得了本实验条件下的抛光优化工艺参数如下。n(100)： 40kPa， 100rpm， 5～ 10wt％ SiO2， pH10.5， 1vol％ H2O2n(111)： 40kPa， 200rpm， 5～ 10wt％ SiO2， pH10.5， 1vol％ H2O2p(100)： 40kPa， 200rpm， 5～ 10wt％ SiO2， pH10.5， 2vol％ H2O2p(111)： 60kPa， 200rpm， 5～ 10wt％ SiO2， pH10.5， 2vol％ H2O2在 CMP电化学研究基础上，考察了 n(100)和n(111)型半导体单晶硅片在纳米 SiO2浆料中不同抛光压力、抛光转速、 SiO2固含量、浆料 pH值、 H2O2浓度以及抛光时间等条件下的抛光速率，分析得出硅片 CMP过程机理。研究发现，抛光速率随浆料中 SiO2固含量的增加会发生材料去除饱和现象；抛光速率随抛光压力和抛光转速增加而呈次线性方式增加，说明 CMP是机械和化学协同作用的过程；抛光速率随抛光时间延长逐渐减小，但变化程度趋于平稳；抛光速率随浆料 pH值和 H2O2浓度变化曲线上出现最大值，是由于化学作用和机械作用达到动态平衡；相同条件下 Si(100)晶面的抛光速率远大于 Si(111)晶面；认为硅片 CMP是一个成膜 -去除 -再成膜的循环往复过程；半导体硅片 CMP动态电化学与抛光速率研究结果很好的一致性，表明电化学可作为硅片 CMP过程及机理探讨的可靠方法，从而为硅片 CMP研究提供了新思路。 应用量子化学计算方法，探讨了硅片 CMP的化学作用机理。模拟 Si(111)面构造出一种硅簇模型，并推测硅片 CMP过程得到的硅晶面为H中止；对反应势能面上的反应物、产物、中间体和过渡态的几何构型进行了全优化，研究了硅片 CMP过程的反应路径；比较了浆料中采用不同碱对硅片的 CMP效果；并从热力学角度研究了水对硅片 CMP的作用机理，建立了相应的团簇结构模型以描述≡ Si-O-Si≡等类物质的性质，计算得出了主要反应的溶解自由能和平衡常数，为进一步开展更深入的研究奠定了理论基础。 成功配制出粗抛和中抛浆料 (GRACE2040)并应用于北京有研硅股半导体硅片的CMP工业生产中。结果表明： GRACE2040作为粗抛或中抛浆料，其粗抛去除速率达到北京有研硅股质量要求；粗、中抛光垫的使用寿命超过正常值(20h)；抛光硅片几何参数、表面质量参数、表面粗糙度和合格品率均超过国家及北京有研硅股质量标准。北京有研硅股认为， GRACE2040粗、中抛光液完全能满足现有抛光工艺的要求，建议采购部将其纳入合格分供方名录。7.期刊论文 吕玉山 . 张辽远 . 王军 . 冯连东 . LU Yu-shan. ZHANG Liao-yuan. WANG Jun. FENG Lian-dong 化学机械抛光中背垫对硅片表面接触压强分布及宏观表面形貌的影响 - 兵工学报 2008,29(4)为了获得单晶硅片化学机械抛光过程中背垫对接触压强分布的影响规律 , 建立了有背垫抛光过程的接触力学模型和边界条件 , 利用有限元方法进行了有背垫时的接触压强分布的计算与分析 , 并利用抛光实验对计算结果进行了验证 , 获得了硅片与抛光垫的接触表面压强分布形态 , 以及背垫的物理参数对压强分布的影响规律 . 结果表明 , 在有背垫时接触压强的分布仍存在不均匀性 , 而且在硅片外径邻域内接触压强最大 , 这导致了被加工硅片产生平面度误差与塌边 . 增加背垫的弹性模量和泊松比 , 可以改善接触表面压强分布均匀性 , 使硅片有效区域的平面度形貌变得更好.8.期刊论文 闫志瑞 . 鲁进军 . 李耀东 . 王继 . 林霖 . YAN Zhi-rui . LU Jin-jun . LI Yao-dong . WANG Ji. LIN Lin 300mm硅片化学机械抛光技术分析 - 半导体技术 2006,31(8)化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一 , 然而 , 传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性 , 为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度 , 在 300mm硅片的生产中采用了双面化学机械抛光技术 . 对双面化学机械抛光的优点以及系统变量对抛光速度和抛光质量的影响进行了详细地分析.9.学位论文 梅燕 CMP稀土抛光液的制备及超光滑硅片的化学机械抛光研究 2006化学机械抛光 (Chemical Mechanical Polishing， CMP)作为目前能够提供超大规模集成电路制造过程中全局平坦化的一种新技术，将在未来的高技术产业中发挥越来越大的作用。近年来随着超精密光学元件等新领域的开发，对高纯度和超细稀土二氧化铈抛光粉料的要求逐渐提高，其用量也在迅速增加。因此，开发研究高质、高效的稀土 CeO研磨粒子和配制同样高效的二氧化铈 CMP抛光液具有广阔的应用前景。 CMP 的重点是研制一种高质、高效的抛光液。普遍认为，完美抛光液的制备需控制以下三个技术：磨料制造技术、磨料分散技术和抛光液配方技术。本文讨论了用于化学机械抛光领域的 CeO磨料的制备技术，并对抛光液的配制及在 CMP过程中的抛光原理进行了研究，用本研究小组所配制的抛光液在单晶硅片上进行了多次实验，取得了较好的试验效果。通过上述实验研究，本文的工作可以归纳为以下几个方面： 一．磨料制备技术：磨料的制备之所以重要是由于它是直接提供配制抛光液的原材料和基础，是抛光液的重要组成部分。磨料的质量高低决定着抛光的机械作用大小，影响着抛光后清洗的效果。磨料的种类、粒径大小、形貌及含量对抛光速率和抛光表面的完美性都有很大影响。 1 ．形貌、粒径可控的纳米 CeOO抛光磨料的制备：研究了以氨水为沉淀剂，溶液的酸碱环境、溶剂种类、加料方式、 SO的加入、热处理等因素对产物的晶粒、形貌的影响。实验结果表明，可以在室温下直接得到萤石结构的纳米 CeO磨料粒子，并通过控制热处理的温度来控制粒子的大小；控制溶液的 pH值得到了不同形貌的纳米 CeO粒子。酸、碱性条件下分别得到了球形和针状颗粒，中性条件下呈现球形和针状的混合粒子；加入 SO后，得到了分散性好的晶粒；用乙醇做溶剂得到了粒径为15nm，分布均匀的纳米颗粒；正加料可以得到球状、针状及混合形貌的纳米 CeO，而反加料仅能得到针状纳米颗粒。 2 ．形貌各异的超微CeO磨料的制备：以尿素为沉淀剂制备出了单相斜方晶系的前驱体 CeO(CO)· HO，经煅烧前驱体转化为立方晶系的 CeO粒子。并得出合成过程中最佳反应条件为：原料配比为 1： 40，反应温度为 85℃，反应时间为 4h；在最佳条件下合成的超细 CeO前驱体为纺锤形， 500℃煅烧2h后的粉体形貌为类纺锤形；添加不同的表面活性剂对前驱体形貌有着不同的影响：阳离子型表面活性剂 CTAB对 CeO(CO)· HO晶体的形貌影响不大，只是产物尺寸变小，分散性得到改善；加入非离子型表面活性剂 PEG19000和 OP-10分别得到了形状排列有序、尺寸较均匀、无团聚的微米棒及具有紧密结合中心的发散状的花样微粒，并探讨了形貌形成的影响机理。以草酸二甲酯为沉淀剂制备出了具有单斜晶系结构的前驱体十水合草酸铈(Ce(CO)· 10HO)，在 500℃下煅烧产物为面心立方萤石结构的 CeO颗粒，且晶型比较完整。讨论了不同反应温度对前驱体形貌的影响及机理，发现当反应温度为 30℃、 50℃、 65℃和 85℃时，所得产物形貌分别为无规则外形、类球状、大米粒状及片状。 二．高效抛光液的配制及表面性质：抛光液是化学机械抛光的关键， CMP中的化学作用和机械作用都是由抛光液提供的，它的性能直接决定最终 CMP的质量和效果，抛光速率、抛光后表面质量、平整度等关键参数都在很大程度上依赖于抛光液的成分组成。所以，抛光液的配制是 CMP工艺中的重点。 1 ．阐述了 CMP抛光液的配制方法，主要采用了分散法——即将纳米 CeO粉末利用机械手段分散于水溶液中以获得 CMP抛光液的方法，采用该法所获得的 CMP抛光液具有纯度高、浓度高、粘度低、分散稳定性能好等特点。 2 ．讨论了抛光液成分及其含量的选择条件以及 pH值的选择、外加剂用量的选择等对最终抛光液配制的影响和抛光效果的差异。探索了 CMP抛光液的成分用量及各成分的作用；对抛光液的性能从悬浮性、分散性、润湿性、稳定性方面进行了优化，筛选出了能进行实际应用的抛光液的 pU值，即酸性抛光液的 pH=4，碱性抛光液的 pn=10。 3 ．研究了硅片 CMP抛光液的表面状态，其中最主要的为水合作用和吸附状态。水合作用普遍存在，能起到降低表面硬度的作用，使化学反应更快地进行。抛光液的抛光作用首先是与被作用工件之间发生水合反应，而后其中的化学成分与所抛工件发生化学反应，随即再通过抛光液中磨料的机械作用把反应产物去除掉，才完成了化学机械抛光的主要过程；了解硅片 CMP的表面吸附状态，根据表面吸附动力学及模型，制备出符合要求的高效抛光液。 三．适合硅片抛光的抛光液配方：通过磨料粒子、磨料形貌、抛光液成分的选择，系统研究了抛光液中抛光磨料、氧化剂种类和浓度以及抛光液的 pH值等因素对硅片表面去除的影响。在化学机械抛光过程中，不同抛光液添加剂会影响抛光表面粗糙度和材料去除率。抛光后的硅片用美国． Zygo公司的 New View 5000 System表征表面的抛光结果。 1 ．采用化学分散法制备以 10nm CeO为磨料的抛光液，克服了粉碎性 CeO磨料颗粒大小不均匀、颗粒形状不均匀对硅片表面容易造成划伤的缺点，实现了高速率、高平整、低损伤、悬浮稳定的实验效果。 2 ．通过酸性、碱性抛光液的实际操作结果，改写了以往单一酸性或单一碱性抛光液的历史。可以看出，使用纳米 CeO磨料抛光后的表面粗糙度值有明显降低，表面微凸峰的尺寸更加细小，表面的微观起伏更趋于平缓，说明这种抛光液具有更加明显的抛光优势，能使硅片的表面质量得到明显改善。 3 ．通过实验表明，酸、碱抛光液的化学组成配方分别为： (1) 酸性条件下 Si片的抛光液配方为： 2％ CEO+0.5％ HNO (pH=4)+1.0％ BTA+0.2％ HO； (2) 无机碱 NH· HO条件下 Si片的抛光液配方为： 2％ CeO+0.1％ NH· HO (pH=10)+0.5％ KFe(CN)+5％ HO(3)有机碱三乙醇胺条件下 Si片的抛光液配方为： 2％的CeO+0.1％ TEA (pH=10)+0.25％ KFe(CN)+5％ HO。10.期刊论文 王亮亮 . 路新春 . 潘国顺 . 黄义 . 雒建斌 . 雷红 . Wang Liangliang . Lu Xinchun . Pan Guoshun. Huang Yi.Luo Jianbin . Lei Hong 硅片化学机械抛光中表面形貌问题的研究 - 润滑与密封 2006(2)利用扫描电镜和 WYKO MHT-Ⅲ型光干涉表面形貌仪研究了抛光过程中不同阶段硅片的表面形貌、抛光液研磨颗粒粒径对抛光表面质量的影响以及抛光过程中的桔皮现象 . 结果表明 , 抛光中主要是低频、大波长的表面起伏被逐渐消除 , 而小尺度上的粗糙度并未得到显著改善 ; 当颗粒直径在 10～ 25 nm的范围时 , 粒径和粗糙度不存在单调关系 ; 桔皮的产生主要是抛光液中碱浓度过高所致.引证文献 (21条)1. 苏建修 . 高虹 . 陈锡渠 . 宁欣 . 郭东明 基于磨损行为的单晶硅片化学机械抛光材料的去除特性 [期刊论文] -纳米技术与精密工程 2009(3)2. 杜家熙 . 苏建修 . 万秀颖 . 宁欣 单晶硅片化学机械抛光材料去除特性 [期刊论文] -北京科技大学学报 2009(5)3. 储向峰 . 白林山 . 李玉琢 ULSI制造中 Cu的电化学机械抛光 [期刊论文] -微纳电子技术 2009(2)4. 杨卫平 . 徐家文 . 吴勇波 超声椭圆振动 -化学机械复合抛光硅片实验研究 [期刊论文] -东南大学学报（自然科学版） 2008(5)5. 苏建修 . 杜家熙 . 陈锡渠 . 张学良 . 郭东明 基于磨损行为的单晶硅片化学机械抛光界面接触形式研究 [期刊论文] -摩擦学学报 2008(02)6. 翟文杰 . 梁迎春 集成电路芯片制造中电化学机械平整化技术的研究进展 [期刊论文] -中国机械工程 2008(04)7. 赵永武 . 王永光 基于单分子层去除机理的芯片化学机械抛光材料去除模型 [期刊论文] -江南大学学报（自然科学版） 2007(01)8. 王永光 . 赵永武 粘着力对化学机械抛光芯片分子去除机理影响的数学模型 [期刊论文] -半导体学报 2007(12)9. 陈杰 . 高诚辉 大尺寸集成电路和硅片表面加工技术 [期刊论文] -现代制造工程 2007(11)10. 苏建修 . 傅宇 . 杜家熙 . 陈锡渠 . 张学良 . 郭东明 抛光垫表面特性分析 [期刊论文] -半导体技术 2007(11)11. 王永光 . 赵永武 基于分子量级的化学机械抛光界面动力学模型研究 [期刊论文] -摩擦学学报 2007(03)12. 王永光 . 赵永武 基于分子量级的化学机械抛光材料去除机理 [期刊论文] -半导体学报 2007(02)13. 李庆忠 . 于秀坤 . 苏建修 IC制造中平坦化技术的性能与分析 [期刊论文] -沈阳航空工业学院学报 2006(01)14. 翟文杰 摩擦电化学与摩擦电化学研磨抛光研究进展 [期刊论文] -摩擦学学报 2006(01)15. 闫志瑞 . 鲁进军 . 李耀东 . 王继 . 林霖 300mm硅片化学机械抛光技术分析 [期刊论文] -半导体技术 2006(08)16. 王科 单晶 MgO基片抛光工艺的实验研究 [学位论文 ]硕士 200617. 李秀娟 . 金洙吉 . 苏建修 . 康仁科 . 郭东明 铜布线化学机械抛光技术分析 [期刊论文] -中国机械工程 2005(10)18. 苏建修 . 康仁科 . 郭东明 . 金洙吉 . 李秀娟 集成电路制造中的固结磨料化学机械抛光技术研究 [期刊论文] -润滑与密封 2005(03)19. 苏建修 . 郭东明 . 康仁科 . 金洙吉 . 李秀娟 ULSI制造中硅片化学机械抛光的运动机理 [期刊论文] -半导体学报2005(03)20. 王永良 陶瓷恒速率变向摩擦化学研磨的实验研究 [学位论文 ]硕士 200521. 陈新春 两种典型材料的摩擦电化学实验研究及性能分析 [学位论文 ]硕士 2005本文链接： http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_jxgcxb200310017.aspx下载时间： 2010年 3月 11日