基于隧穿氧化物钝化接触的高效晶体硅太阳电池的研究现状与展望(1)

基于隧穿氧化物钝化接触的高效晶体硅太阳电池的研究现 状与展望 * 任程超 1)2)3)4) 周佳凯 1)2)3)4) 张博宇 1)2)3)4) 刘璋 1)2)3)4) 赵颖 1)2)3)4) 张晓丹 1)2)3)4) 侯国付 1)2)3)4)† 1） (南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 , 天津 300350) 2） (天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室 , 天津 300350) 3） (薄膜光电子技术教育部工程研究中心 , 天津 300350) 4） (天津市中欧太阳能光伏发电技术联合研究中心 , 天津 300350) 在当今的 光伏市场 ， 晶体硅电池 占据超过九成 的份额， 并且被认为 在 未来将依旧 占据主导地位。在高效 晶硅 电池中，隧穿氧化物钝化接触 太阳电池（ Tunnel Oxide Passivated Contact solar cell, TOPCon） 因 其 优异 的表面钝化 效果以及与 传统产线兼容 性好的优势 而 受到人们的持续关注 。 该电池最显著的特征是其高质量的超薄氧化硅和重掺杂多晶硅的叠层结 构，对全背表面实现了高效钝化，同时载流子选择性地被收集，具有制 备工艺简单、使 用 N 型硅片无光致衰减 问题和与传统 高温烧结 技术相 兼容等优点。本文首先介绍了 隧 穿氧化物钝化接触太阳电池 的基本结构 和基本原理，然后对现有超薄氧化硅层和重掺杂多晶硅层的制备方式进 行了对比，最后在分析研究现状基础上 指出 了该 电池未来 的 研究方向。 关键字： 隧穿氧化物钝化接触 ，超薄氧化硅，重掺杂多晶硅层， 太阳电 池 PACS： 84.60.Jt, 88.40.H–, 88.40.hj DOI:10.7498/aps.70.20210316 基金 : 国家重点研发计划（ 2018YFB1500402）和国家自然科学基金（ 62074084）资助 的课题。 † 通讯作者 .E-mail: gfhou@nankai.edu.cn 1 引 言 太阳能作为一种可持续的再生能源已经逐渐成为人类使用的能源中的重要 组成部分。而利用太阳能发电的太阳电池中，晶硅电池的光伏市场占有率达到 90%左右，而到目前为止，单晶硅太阳电池又是晶硅电池中的领跑者，其效率一 直处于单结太阳电池效率的领先水平，目前最高效率 已 达到 26.6%[1-3]。单晶硅 是制备高效太阳电池的理想选择，具有 晶体结构完美 、禁带宽度合适（ 1.12 eV）、 储量丰富的特点。此外， N 型单晶硅 还 具有纯度高、杂质少、晶界位错缺陷 低 、 少子寿命高以及电阻率 易控 等 优势 [4-6]。当前研究的 高效 晶硅太阳电池主要 包括 钝化发射极背场点接触（ Passivated Emitter and Rear Cell, PERC）太阳电池、钝 化发射极 背部局域扩散 （ Passivated Emitter and Rear Locally-diffused, PERL）太 阳电池、硅异质结（ Silicon Hetero Junction, SHJ）太阳电池、背接触硅异质结 （ Heterjunction Back Contact, HBC）太阳电池、 交叉指式背接触（ Interdigital Back Contact,IBC）太阳电池 、 隧穿氧化层钝化接触（ Tunnel Oxide Passivated Contact, TOPCon）太阳电池及多晶硅氧化物选择钝化接触（ Polycrystalline silicon on Oxide passivating contact, POLO）太阳电池等， 大面积制备上 皆已达到了 23%以上超高 效率（如表 1 所示）。相较于多晶硅太阳电池 ， 单晶硅太阳电池具有良好的稳定 性和转换效率 [7]。而 由于 硅片制造 工艺 的不断 推陈出新 ，单晶硅 太阳 电池的 制造 成本 持续 下降，效率也不断提升。 据模拟计算 ， 本征异质结（ Heterojunction with Intrinsic thin film, HIT） 太阳电池 的 极限效率为 27.5%， PERC 太阳电池 的极限 效率 为 24.5% ， 而基于 TOPCon 结构的太阳 电池具有更高的效率极限 （ 28.2%~28.7%） [8]，同时也最接近晶体硅太阳电池理论极限效率（ 29.43%） [9]。 表 1 基于隧穿氧化物钝化接触的高效晶体硅太阳电池的 研究简况表 Table 1 Research status and prospective of high-efficiency c-Si solar cells based on tunneling oxide passivation contacts. Institution Type Eff Voc Jsc FF Area Year (%) (mV) (mA/cm2) (%) (cm2) Trina N-type i-TOPCon 24.58 717 40.6 84.5 244.31 2020[10] JinkoSolar/AUO N-type TOPCon 24.90 712.8 41.68 83.84 235.80 2021[11] 中来 N-type TOPCon 23.19 701 39.9 83 246.21 2019[12] ISFH P-type POLO 26.1 726.6 42.62 84.28 4 2018[13] Frauhofer ISE N-type TOPCon 25.8 724 42.9 83.1 4 2017[14] Frauhofer ISE N-type TOPCon 24.5 713 41.4 83.1 100 2017[15] Frauhofer ISE N-type TOPCon 23.4 697 41.1 81.2 200 2018[16] 晶硅电池的重中之重一直是它的表面钝化。早期的网印电池，受限于当时的 技术手段，人们只是简单引入了 TiO2 层。但是 TiO2 的钝化功能没有起到理想的 作用。到 90 年代，随着 工艺 技术的 发展 ，等离子体增强化学气相沉积（ Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）技术 制备的 氮化硅（ SiNx）薄膜 成 为主流 ， 其一般用作 太阳电池正面的减反射层和钝化层。 随着 SiNx 的使用，对电池正面的钝化优化已经进入瓶颈阶段，于是人们 开 始将 研究方向转向了 具有 严重 复合问题 的背表面。 UNSW 在 90 年代提出了 PERC[17-19]和 PERL 结 构 [20-22]。这两种结构 的共同点在于都是依靠 氧化硅层来 实 现对电池背面的钝化 ， 同时采用 局部开孔 形成 点接触 的工艺有效降低了 非钝化 区 域 的面积 ，而不同之处 在于 后者 在开孔 附近通过局部的掺杂扩散形成了 背电场 ， 局部扩散 虽然能够 降低接触区域的复合速率 ，但同时也会使工艺的复杂度骤增 。 虽然 PERC 以及 PERL 结构的太阳电池已经具有相对优良的表面钝化效果 ， 但却 将电池背面的接触区域限制在开孔范围。除了增加制备工艺的复杂程度外，开孔 的工艺过程中还会对接触范围的硅材料造成损伤同时也会增加金属与半导体接 触区的复合程度。并且开孔的存在还使得载流子不能从垂直于接触面这一最短路 径传输，从而导致在传输过程中串阻增大， 填充因子（ Fill Factor, FF） 损失增加。 而将钝化接触（ Passivated Contact）技术应用到太阳电池中从而形成钝化接触太 阳电池成为了当 前 研究的热 点 [23]。 2 TOPCon 电池工作原理 2.1 TOPCon 电池中载流子分离过程 通常认为太阳电池中电流 产生 的内 在 动力是由 PN结的内建电场分离光生载 流子形成，因为当能量大于半导体材料禁带宽度的光照射在 PN 结表面时会破坏 原先由扩散运动和漂移运动产生的动态平衡，从而产生新的电子空穴对并在内建 电场的作用下分离，所以会形成光生电流，而现在 有些 研究人员认为只要 破坏平 衡的费米能级，形成 准费米能级梯度 ， 就能产生电流。 不同类型载流子在 吸收层 两侧接触 区域的电导率是不同的 ， 这使得 分离 开 的光生 电子和空穴分别 向不同的 方向 输送 [24, 25]，载流子的输运过程如 图 1 所示 。 图 1 钝化接触太阳电池 中 载流子 的输运过程 Fig.1. Carrier transport in passivated contact solar cell. 吸收层中受光激发产生的电子和 空穴分别沿导带和价带 传输 。理想情况下， 图 1 中 电子和空穴 分别通过 左侧 电子接触和 右侧 空穴接触到达外电路。 一般用 复 合电流 密度（ J0c） 和接触电阻 率（ ρc）两个参数来衡量 载流子选择性钝化接触 性 能的好坏 [26]。 ρc 代表 钝化接触对多子的输出能力 ，即 电子接触区对电子（多子） 电流的电阻损耗。 而 J0c 用来表明 钝化接触对少子的阻挡能力 ，是由部分 少子空 穴移到电子接触区并与多子电子的复合 产生的 。 2.2 TOPCon 电池中载流子的输运过程 TOPCon 电池基于 载流子选择性收集钝化接触结构 ， 通过在电池背面制备由 隧穿氧化硅 层 和重掺杂硅薄膜 层组成的 叠层 来形成 。 由于 超薄氧化硅 和 重掺杂硅 薄膜 良好的 钝化效果使得硅片表面能带产生弯曲（如图 2 所示） 从而形成场钝化 效果 ，电子隧穿的 几率大幅增加 ， ρc 也随之大幅降低 [27,28]。由 于优异的 载流子选 择性钝化接触 性能 （ J0c 60 分钟 的管式炉退火时间短，并发现当 非晶硅厚度小于 40 nm 时，快速热退火是一种制备高质量多晶硅钝化接触而不产 生气泡的有效方 法 [48]。 HyunJung Park等人在 2019年研究了不同磷掺杂浓度下多晶硅掺杂的钝化质 量 [49]。 对于 低掺杂多晶硅，通过提升退火温度和增加退火时间，使 iVoc 达到最 大值 734 mV。而对于重掺杂多晶硅，因为在较高退火温度情况下磷在扩散过程 中的俄歇复合速率增加，使 iVoc 下降，通过调节退火温度，最终获得 21.1%的太 阳电池效率。 表 3 掺杂层制备方法优缺点对比 Table 3. Comparison of advantages and disadvantages of doping layer preparation method. 方法 优点 缺点 LPCVD 产量高，可以直接制备 n 型的多晶硅层 会产生绕镀，效率相对较低 PECVD 可以进行单面制备，效率高 产量低，对设备要求高，且对环 境有污染 溅射法 无污染，操作简单且安全 均匀性相对较差，退火温度想对 较高 4.2 ploy-Si， ploy-SiCx 和 ploy-SiOx 掺杂层的对比 当前 TOPCon 电池基本使用 ploy-Si 作为掺杂层，先由 CVD 的方法沉积一层 a-Si:H 再经过退火处理使 a-Si:H 转变为 ploy-Si，从而 使得结晶度得到了极大的 提升，并使得掺杂激活，有效掺杂效率提升，同时导电性也得到极大提升 。 但 当 前也逐渐发展出了用 ploy-SiCx 和 ploy-SiOx 作为掺杂层，并取得了不错的效果。 研究人员发现由于 poly-Si 的寄生吸收损耗，使其对光的利用率降低，所以开发 一种没有寄生吸收的掺杂层越来越多得到人们的关注。由 Zhiyu Xu 等人在 2020 年使用 PECVD 技术，通过调节 CH4 和 SiH4 之间气体流量比 R 和退火温度，发 现 ploy-SiCx 的光学带隙随着 R 的增加而增加，但结晶率有所下降，不过这可以 通过高温退火来得到改善。 如图 7 所示， 最后对顶部 /背 部 TOPCon 太阳电池具 有 ploy-SiOx 与 ploy-Si 相比，在短波长范围内 EQE 明显改善，效率提高了 0.9%， 达到 20.17%[50]。而由 Guangtao Yang 等人在 2018 年同样用 PECVD 技术，通过 在材料沉积过程中改变 O 含量来控制 ploy-SiOx 材料的结晶度及其吸收系数，同 时还能增大 SiOx 的光学带隙，使其对长波段的光透过率更好，最终应用到 IBC 电池上的效率达到 19.7%[51]。 图 7 （ a）具有 poly-Si 后接触和 poly-SiCx 前接触的 TOPCon 太阳电池光 照下的电流 - 电压（ IV） 曲线。（ b）具有不同窗口层的太阳电池的外部量子效率 (EQE)[50] Fig. 7 (a) Current voltage (IV) curves of TOPCon solar cells with poly-Si back contact and poly-SiCx front contact under illumination. (b) External quantum efficiency (EQE) of solar cells with different window layers[50]. 4.3 硼掺杂发射极制备及前表面钝化的研究 由 J. Liu 等人 在 2018 年 发表的文章中可以看出深发射极的屏蔽能力与刻蚀 深度的关系不大 [52]。这使得当 J0con≤ 1000 fA/cm2 时金属化层能够深入发射极， 获得低接触电阻和高 FF 和 VOC。并探究了发射极深度与 iVoc 与 VOC 的差异的关 系，随着深度的增加，发射极可以更有效地屏蔽少数载流子到达金属触点，在降 低 VOC 损耗方面起着关键作用。最终通过优化发射极和金属模式使硒电池的平均 绝对效率提高了 0.24%，最高效率为 20.7%。 Manuel Schnabel 等人在 2018 年发现 Al2O3 的主要优点来自其作为化学钝化 SiOx 缺陷的氢源的作用 ，并且 Al2O3 层对聚 Si/SiOx 的氢化作用优于气体退火。 用 Al2O3 处理可以得到更高的开路电压 （即 VOC） 从而得到良好的钝化表面，未 来几代高效大体积 c-Si 模块可能会利用这一技术。而在用 Al2O3:H 钝化 TOPCon 电池表面也获得了良好的效 果 [53]。 5 隧穿氧化物钝化接触的高效晶体硅太阳电池的研究进展 2013 由 Fraunhofer ISE 第一次提出 TOPCon 电池， 如图 8 所示， 其采用了 N 型 FZ 硅片，正面采用普通金字塔制绒 、 硼扩散 、 ALD 法制备 氧化铝加 PECVD 法制备 氮化硅钝 化 叠层起到钝化和减反射效果 ， 背面 为 TOPCon 结构 ， 最终 电池 Voc 达到 690.4 mV， FF 也达到 81.9%。为了进一步提高效率， 通过优化电池结 构 ， 最终获得的 Voc 达到 700 mV， FF 为 82%，效率达到 23.7%[23]。 图 8 隧穿氧化层钝化接触太阳电池结构 图 [23] Fig. 8. Structure of passivated contact solar cell with tunneling oxide layer[23]. 2014 年， Frank Feldmann 等 人 [54]在之前的基础上，对 TOPCon 太阳电池进 行了优化研究。他们对比了在相同工艺条件下， TOPCon 结构中载流子的一维传 输特性相比于 PERC 电池中载流子三维传输的优势。并通过将背电极用 Ag 电极 代替了 Ti 电极，改善了由于 Ti 电极较强的光寄生吸收而导致的短路电流密度 （ Short-Circuit current density, JSC） 下降。同时，将前金属电极与表面接触面积 从 3%减小至 1.1%。之后把前金属电极的 Ti/Pd/Ag 叠层替换为 Pd/Ag 叠层，大 大减小了接触电阻，降低了高串阻对 FF 的 影响， 但相比于 PERC 电池， VOC 的 提升 并不明显 [55]。 但作者 最后通过在前金属电极区下附加一个重掺杂 p++发射极 来阻挡少数载流子 ， 这虽会导致俄歇复合的增加，但同时大大减少了金属 -半导 体接触的复合，使得 J0metal从 1600 fA/cm2减小至 200 fA/cm2， Voc增加到 714 mV， 最终 TOPCon 太阳电池的转换效率达到 24.4%。 图 9 PANDA-TOPCon 结构的太阳电池结构 图 Fig. 9. Structure of PANDA-TOPCon solar cell. 2017 年，在中国第 17 届全国光伏大会上，英利公司宣布他们在熊猫（ PAHSA N-Type Development Aliance, PANDA）电池的基础上引进了 TOPCon 结构，如图 9 所示 ， 并对氧化层和掺杂层进行了工艺优化，使得 PANDA-TOPCon 太阳电池 的转换效率在 （ 156× 156） cm的大面积 N型硅片上达到了 21.6%（ Voc=678.0 mV， JSC =39.9 mA/cm2， FF=80.0%）。中国中来光电股份公司则将 TOPCon 结构与 N 型双面电池相结合，并在 2018 年上半年，宣布将其 N 型双面 TOPCon 太阳电池 的平均转换效率提升至 22.5%，最高效率达到 23.05%，双面率达到 80.65%。 同时与 TOPCon 结构相似的 POLO 太阳电池结构如图 10 所示 ，他们都是氧 化层与多晶硅的结合，且生长氧化层的方法基本相同，不同在于 POLO 电池在 两面都生长氧化层，并分别生长 p+、 n+多晶硅，且在使用离子注入形成 p+、 n+ 多晶硅时会形成 p+、 n+c-Si[56-58]。 2018 年， ISFH 的 Felix Haase 等人在 N 型 POLO （和 P 型 POLO）样品上，使用选择性激光烧蚀（ LASA）工艺，当激光接触开 口面积分数为 12.3%（ 8.7%）时， J0c 密度为 2 fA/cm2（ 6 fA/cm2）和 iVoc 为 733 mV（ 727 mV）。该烧蚀工艺在叉指背接触式太阳电池中的应用，可获得 26.1% 的功率转换效率，而这是 P 型晶体硅太阳电池的世界纪录 效率 [13]。 图 10 POLO 电池的基本结构 图 [56] Fig. 10. Basic structure of POLO cell[56]. H. Steinkemper 等人在 2019 年 利用数值模拟的方法研究了 P 型和 N 型多晶 硅钝化 接触 在 P 型 TOPCon 太阳电池上的应 用 [59]。利用自由能损失分析（ FELA） 对相应的能量损失路径进行了分类。明确了 N 型多晶硅钝化接触的后结太阳电 池由于表面钝化效果更好，正面金属化阴影较少，产生的内部功率更大，但效率 潜力受到最先进的 P 型直拉硅（ Cz）晶片的低寿命限制。因此，当 P 型 Cz 硅的 寿命小于 350 μs 时，作为背场的 P 型多晶硅钝化接触更为有利，长期来看， P 型硅片的寿命可能成为高效率多晶硅钝化接触太阳电池的瓶颈。最后通过对前端 结构设计参数、 P 型硅片的寿命和电阻率，以及多晶硅钝化的钝化质量和接触电 阻的研究，模拟设计出， P 型多晶硅和 N 型多晶硅作为背场的后结钝化接触的 P 型 TOPCon 太阳电池将分别获得约 24.43%和 24.90%的优良效率。 6 结语与展望 TOPCon 太阳电池有着优良的钝化特性以及与产业链的良好兼容特性，具有 巨大的潜力。 对于重掺杂多晶硅层，现有的 LPCVD、 PECVD 技术具有工艺复杂、 污染环境、成本高等问题，而最新研究的溅射法制备的 TOPCon 电池效率又远低 于传统方式，所以我们要继续探究新的环保节能的制备方式。 氧化层的制备也有多种方式，需要通过对经济、节能、环保、效率成果等进 行比较使用，对于使用 PECVD 等离子体制备方法，现在只有使用 N2O，未来可 以使用多种含氧气体进行研究。 未来 TOPCon 电池在大面积的工业生产上也会得到更好的应用， 将逐渐 取代 当前的 PERC 电池；在效率方面也 将逐步 接近硅基太阳电池理论极限 。此外 ， TOPCon 电池的全区域钝化也能很好 地 与钙钛矿电池结合 成叠层电池 ，成为未来 太阳 电池效率提升的重要 途径 [60, 61]。 参考文献 [1] Li Z X, Wu S F, Lei L Z 2018 Prices Monthly 12 1 (in Chinese) [李志学 , 吴硕锋 , 雷理钊 2018 价格月刊 12 1] [2] Shao J, Qian H J 2018 Green Environ. Protect. Build. Mater. 12 229 (in Chinese) [邵杰 , 钱黄俊 2018 绿色环保建材 12 229] [3] Battaglia C, Cuevas A, Wolf D S 2016 Energ. Environ. Sci. 9 1552 [4] Chen C, Zhang W, Jia R, Zhang D S, Xing Z, Jin Z, Liu X Y 2013 Science Chinese 43 708 (in Chinese) [陈 晨 , 张巍 , 贾锐 , 张代生 , 邢钊 , 金智 , 刘新宇 2013 中国科学 43 708] [5] Li J L 2015 Electronics World 16 57 (in Chinese) [李嘉亮 2015 电子世界 16 57] [6] Rehman A U, Lee S H 2013 The Scientific World Jo. 11 470347 [7] Chapin D M, Fuller C S, Pearson G L 1954 J. Appl. Phys. 25 676 [8] Schmidt J, Peibst R, Brendel R 2019 Silicon PV 2019, Leuven, Belgium, 10th April, 2019 [9] Richter A, Hermle M, Glunz S W 2013 IEEE J Photovolt. 3 1184 [10] Chen D, Chen Y, Wang Z, Gong J, Liu C, Zou Y, He Y, Wang Y, Yuan L, Lin W, Xia R, Yin L, Zhang X, Xu G, Yang Y, Shen H, Feng Z, Altermatt P P, Verlinden P J 2020 Sol. Energ. Mat. Sol. C. 206 110258 [11] Testpv https://m.sohu.com/a/443128332_749304/ [2021-01-07] [12] Liu Z F 2019 15th CSPV,Shang hai, November 21-23, 2019 [13] Haase F, Hollemann C, Schäfer S, Merkle A, Rienäcker M, Krügener J, Brendel R, Peibst R 2018 Sol. Energ. Mat. Sol. C. 186 184 [14] Richter A, Benick J, Feldmann F, Fell F, Hermle M, Glunz S W 2017 Sol. Energ. Mat. Sol. C. 173 96 [15] Richter A, Benick J, Fell A, Hermle M, Glunz S W 2018 Prog. Photovoltaics 1 [16] Chinese R E S 2020 Solar Energy 12 320 (in Chinese) [中国可再生能源学会光 伏专业委员会 2020 太阳能 12 320] [17] Blakers A W, Wang A, Milne A M, Zhao J, Green M A 1989 Appl. Phys. Lett. 55 1363 [18] Green M A, Blakers A W, Zhao J, Milne A M, Wang A, Dai X 1990 IEEE T. Electron. Dev. 37 331 [19] Schneiderlöchner E, Preu R, Lüdemann R, Glunz S W 2002 Prog. Photovoltaics 10 29 [20] Wang A, Zhao J, Green M A 1990 Appl. Phys. Lett. 57 602 [21] Zhao J, Green M A 1991 IEEE T. Electron. Dev. 38 1925 [22] Shi J Q 1994 Journel of Huazhong University 9 1 (in Chinese) [史济群 1994 华 中理工大学学报 9 1] [23] Feldmann F, Bivour M, Reichel C, Hermle M, Glunz S W 2014 Sol. Energ. Mat. Sol. C. 120 270 [24] Liu E K, Zhu B S, Luo J S 1994 Semiconductor physical (Beijing: National Defense Industry Press) p146 (in Chinese) [刘恩科 , 朱秉升 , 罗晋生 1994 半导体 物理学 (北京 :国防工业出版社 ) 第 146] [25] Schroder D K 1998 Semiconductor material and device characterization (New Y ork: Wiley-IEEE Press) pp107-108 [26] Sze S M, Ng K K 2006 Phys. Semi. Dev. 8 5 [27] Tao Y, Upadhyaya V, Jones K, Rohatgi A 2016 AIMS Mat. Sci. 3 180 [28] Rohatgi A, Rounsaville B, Ok Y-W, Tam A M, Zimbardi F, Upadhyaya A D, Tao Y, Madani K, Richter A, Benick J, Hermle M 2017 IEEE J. Photovolt. 7 1236 [29] Glunz S W, Feldmann F 2018 Sol. Energ. Mat. Sol. C. 185 260 [30] Shewchun J, Singh R, Green M 1977 J. Appl. Phys. 48 765 [31] Lancaster K, Großer S, Feldmann F, Naumann V, Hagendorf C 2016 Energ. Procedia 92 116 [32] Matsumoto T, Hirose R, Shibata F, Ishibashi D, Ogawara S, Kobayashi H 2015 Sol. Energ. Mat. Sol. C. 134 298 [33] Matsumoto T, Nakajima H, Irishika D, Nonaka T, Imamura K, Kobayashi H 2017 Appl. Surf. Sci. 395 56 [34] Kim H, Bae S, Ji K, Kim S M, Yang J W, Lee C H, Lee K D, Kim S, Kang Y, Lee H, Kim D 2017 Appl. Surf. Sci. 409 140 [35] Moldovan A, Feldmann F, Kaufmann K, Richter S, Werner M, Hagendorf C, Zimmer M, Rentsch J, Hermle M 2015 2015 IEEE 42nd PVSC(LA:Orleans IEEE) p1 [36] Moldovan A, Feldmann F, Krugel G, Zimmer M, Rentsch J, Hermle M, Roth-F Fölsch A, Kaufmann K, Hagendorf C 2014 Energ. Procedia 55 834 [37] Moldovan A, Feldmann F, Zimmer M, Rentsch J, Benick J, Hermle M 2015 Sol. Energ. Mat. Sol. C. 142 123 [38] Yan D, Cuevas A, Wan Y, Bullock J 2016 Sol. Energ. Mat. Sol. C. 152 73 [39] Jeon M, Kang J, Shim G, Ahn S, Balaji N, Park C, Lee Y, Yi J 2017 Vacuum. 141 152 [40] Ron Y, Raveh A, Carmi U, Inspektop A, Avni R 1983 Thin Solid Films 107 181 [41] Tong J, Wang X, Ouyang Z, Lennon A 2015 Energ. Procedia 77 840 [42] Stegemann B, Gad K M, Balamou P, Sixtensson D, Vössing D, Kasemann M, Angermann H 2017 Appl. Surf. Sci. 395 78 [43] Fong K C, Kho T C, Liang W S, Chong T K, Ernst M, Walter D, Stocks M, Franklin E, Mclntosh K, Blakers A 2018 Sol. Energ. Mat. Sol. C. 186 236 [44] Stodolny M K, Anker J, Geerligs B L, Janssen G J, Loo B W, Melskens J, Santbergen R, Isabella O, Schmitz J, Lenes M, Luchies J M, Kessels W M, Romijn I 2017 Energ. Procedia 124 635 [45] Yang G T, Ingenito A, Isabella O, Zeman M 2016 Sol. Energ. Mat. Sol. C. 158 84 [46] Römer U, Merkle A, Peibst R, Ohrdes T, Lim B, Krügener, Brendel R 2014 29th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Amsterdam, September 22-26, 2014, pp1107 [47] Yan D, Cuevas A, Phang S P, Wan Y, Macdonald D 2018 Appl. Phys. Lett.113 061603 [48] Yang Q, Liao M,Wang Z, Zheng J, Lin Y, Guo X, Zeng Y, Yan B, Ye J 2020 Sol. Energ. Mat. Sol. C. 210 110518 [49] Park H J, Park H, Park S J, Bae S, Kim H, Yang J W, Hyun J Y, Lee C H, Shin S H, Kang Y, Lee H S, Kim D 2019 Sol. Energ. Mat. Sol. C. 189 21 [50] Xu Z, Ke T, Jiang S, Jia R, Li W, Zhou Y, Jin Z, Liu X 2020 Sol. Energ. Mat. Sol. C. 206 110329 [51] Yang G, Guo P, Paul P, Weeber A, Isabella O, Zeman M 2018 Phys. Lett. 112 193904 [52] Liu J, Yao Y, Xiao S, Gu X 2018 Appl. Phys. 51 123001. [53] Schnabel M, Loo B W, Nemeth W, Macco B, Stradins P, Kessels M, Young David 2018 Appl. Phys. Lett. 112 203901 [54] Feldmann F, Bivour M, Reichel C, Steinkemper H, Hermle M, Glunz S W 2014 Sol. Energ. Mat. Sol. C. 131 46 [55] Benick J, Hoex B, Sanden M C, Kessels W M, Schultz O, Glunz S W 2008 Appl. Phys. Lett. 92 253504 [56] Peibst R, Larionova Y, Reiter S, Turcu M, Brendel R, Tetzlaff D, Krügener, Wietler T, Höhne U, Kähler J-D, Mehlich H, Frigge S 2016 32nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Munich, June 22-24 2016 pp323 [57] Römer U, Peibst R,Ohrdes T, Lim B, Krügener J, Bugiel E, Wietler T, Brendel R 2014 Sol. Energ. Mat. Sol. C. 131 85 [58] Rienäcker M, Merkle A, Römer U, Kohlenberg H, Krügener J, Brendel R, Peibst R 2016 Energ. Procedia 92 412 [59] Zeng Y H, Yang Q, Wan Y, Yang Z, Liao M, Huang Y, Zhang Z, Guo X, Wang Z, Gao P, Wu C H, Yan B, Ye J 2019 Solar Energy 178 249 [60] Nogay G, Sahli F, Werner J, Monnard R, Boccard M, Despeisse M, Haug F-J, Jeangros Q, Ingenito A, Ballif C 2019 ACS Energy Lett. 4 844 [61] Shen H P, Omelchenko S T, Jacobs D A, Yalamanchili S, Wan Y M,