Tokuyama气液沉积法(+VLD)制取多晶硅

Tokuyama VLDBÌ þ ?)A 3Á Tokuyama VLD SiliconÀ  1. • 
A8¥æ?ZÉñ 1. á Ì¥K “S ^ “®î ”7‚ ^ pBb 2. Ð V Ø oAšÏsžKvæ qb 3. X›î¥ 7?¨
1999
 2005
/BñG^ ^ L=¥ _b 2. á ̃ñö “dûÛîÿ 2005 y ë 200t/Yö ŸýÌ 2006 200týÌ¥ L=_„KªÄ v˜ ŸýÌ¥ !9 2008 y ë ŸýÌ[#/B„ VLD 200t/YýÌ @ñm TCS
 Ø oAš STC
 ¹ oÄA ®î æ B TCS • ó STC
É ÕA ö8)A 3Á   AA Â1 Ÿ £B“VQ‹  k5Ï @ y• 
A8æz F 5 Ë‹F £L  l  †b ¶ µA 2006 M VLDö ŸýÌ¥ “S • L=_É ¾ ÄñQ‹  200t/Y ¿9à ¾“ Ö ß„ l à î ¾î “S à ’ç zÉ ¿É kýÌ v˜ýÌ¥ “S ×Á ‹ 100ppba à LC »É 10ppba à LC  100ppma à LC þ ?ý¥ð ‹ þ ?ýð ‹  þ ?) 9¥ ƃ¥ l 
©“
Ñ- 3Á  9É 15