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快速退火气氛对300mm硅片内洁净区 快速退火气氛对300mm硅片内洁净区 快速退火气氛对300mm硅片内洁净区 2018-08-21
第 27 卷 第 1 期2006 年 1 月半 导 体 学 报CHIN ESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORSVol. 27 No. 1Jan. ,20063 国家高技术研究发展计划资助项目 批准号 2002AA3Z1110 通信作者 . Email fqlmail 126. com2005207214 收到 ,2005209207 定稿 ν
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切割液用量与硅片产量关系 切割液用量与硅片产量关系 切割液用量与硅片产量关系 2018-08-21
①砂浆更换量计算公式 砂浆更换量 (晶棒总长度 / 导轮槽距)单片面积每平方米更换量 单片面积 六寸单晶硅片面积 0.01486 m 0.01486八寸多晶硅片面积 0.02433 m 0.02433每平方米更换量 3.5-4 L 4导轮槽距 0.36mm 0.36月硅片产量 每公斤长度 每公斤方棒需要更换量(升) 月总方棒数量(千克)30000000 1
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论金刚线切割硅片技术的前景 论金刚线切割硅片技术的前景 论金刚线切割硅片技术的前景 2018-08-21
论金刚线切割硅片技术的前景如今又一个崭新的金刚线切片技术崛起于光伏硅片切割行业。树脂金刚线切割硅片的技术与切割钢丝切割硅片技术相比,最主要的优势体现在这四个方面( 1)树脂金刚线切割过程造成的损伤层在 4-7um,电镀金刚线是 8-10 um,砂浆是 11-15um,有利于切割的薄片化 , 提高出品率硅耗的降低;( 2)切割效率的提升,提升 3 个百分点;( 3)损伤层薄,增加了硅片强度 ,刻
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金刚线在单多晶硅片切割领域差异说明 金刚线在单多晶硅片切割领域差异说明 金刚线在单多晶硅片切割领域差异说明 2018-08-21
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硅片研磨论述 硅片研磨论述 硅片研磨论述 2018-08-21
1班级 10 光伏班姓名黄重宪学号 10366016硅片研磨论述目录一、 硅片倒角简介;二、 硅片倒角加工原理三、 硅片表面磨削技术及特点四、 硅片热处理一、硅片倒角简介硅片倒角是指把切割后硅片的锐利边缘通过磨削修整成圆弧形,其目的是消除边缘切割应力, 防止边缘破裂及颗粒脱落本文对硅片倒角机磨削系统的关键技术进行研究 本文通过对主轴系统的轴承组配方式、预紧方式、 离心力和陀螺力矩等主轴轴
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基于最优S型曲线轨迹的硅片传输机器人末端振动抑制方法_吴明月 基于最优S型曲线轨迹的硅片传输机器人末端振动抑制方法_吴明月 基于最优S型曲线轨迹的硅片传输机器人末端振动抑制方法_吴明月 2018-08-21
发布者: 索比杜金泽  / 页数: 9  / 时长: 1秒  / 阅读: 287  / 下载价格: 3 金币 / 评价:
硅片在HFHNO3H2O体系中的腐蚀速度 硅片在HFHNO3H2O体系中的腐蚀速度 硅片在HFHNO3H2O体系中的腐蚀速度 2018-08-21
硅片在 HF/HNO3/H2O体系中的腐蚀速度作者 安静 , 孙铁囤 , 刘志刚 , 汪建强 , 苦史伟 , An Jing , Sun Tietun , Liu Zhigang ,Wang Jianqiang , Ku Shiwei作者单位 上海交通大学物理系太阳能研究所 ,上海 ,200240刊名 太阳能学报英文刊名 ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA年,卷
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硅片线锯砂浆中硅粉与碳化硅粉 硅片线锯砂浆中硅粉与碳化硅粉 硅片线锯砂浆中硅粉与碳化硅粉 2018-08-21
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硅片制绒工艺 硅片制绒工艺 硅片制绒工艺 2018-08-21
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硅片英文标准waferspecification-BGrade 硅片英文标准waferspecification-BGrade 硅片英文标准waferspecification-BGrade 2018-08-21
125 x 125 mm Mono crystalline wafer B GradeItem SpecificationsGrowth method CzCrystal Orientation ± 3°Dopant type / Dopant P / Boron Oxygen concentration ≤ 1.0 x 1018Carbon concentratio
发布者: 索比杜金泽  / 页数: 2  / 时长: 1秒  / 阅读: 439  / 下载价格: 3 金币 / 评价:
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