硅片上的各种监控图形	2018-08-21
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	硅片缺陷测试	2018-08-21
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	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 22  / 时长: 1秒  / 阅读: 278  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	集成电路制造用300毫米硅片技术研发与产业化项目-报告文字	2018-08-21
	集成电路制造用 300毫米硅片技术研发与产业化项目岩 土 工 程 勘 察 报 告 书勘察阶段 详细勘察工程编号 2015-S-02 信 息 产 业 部 电 子 综 合 勘 察 研 究 院二 ○ 一 五 年 五 月集成电路制造用 300毫米硅片技术研发与产业化项目岩 土 工 程 勘 察 报 告 书勘察阶段 详细勘察工程编号 2015-S-02 院 长 范福会总 工 程 师 陈冬贵审 定
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	硅片隐裂痕的粗浅分析--Choo2008-05-07	2018-08-21
	硅片隐裂痕的粗浅分析---Choo 2008-05-07 由共价键结合而成的硅是典型的脆性材料，其主解理面为｛ 111｝面，而 S125 和 S156硅片大多为｛ 100｝晶面族，如果硅片在工艺过程中积累了过多的解理裂痕，则裂痕会产生扩展并脆断，所以就有很多沿解理面或非解理面的穿晶断裂出现。经观察与粗略统计，大多数硅片的断裂部位位于对角线约 1/8 处（如图 1.图 2.） ，所以不妨以 1/8
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	硅片酸腐蚀与碱腐蚀工艺比较	2018-08-21
	硅片酸腐蚀与碱腐蚀工艺比较参数 酸腐蚀工艺 碱腐蚀工艺腐蚀特性 各向同性 各向异性腐蚀反应的热量 放热 吸热表面平坦度 （ STIR\TIR\TTV ）需要依靠晶片的旋转、 特制的夹具、 通气体充分搅拌腐蚀液等特殊机构及工艺手段来改善其表面平坦度不需要特殊机构便可达到一定的表面平坦度腐蚀后表面粗糙度（ Ra ） 比碱腐蚀工艺小， 与晶片原有的损伤程度有关 比酸腐蚀工艺大， 与晶片原有的损伤程度有
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	硅片生产厂家名录	2018-08-21
	序号 国内主流企业1 保利协鑫2 江西赛维 LDK太阳能高科技有限公司3 浙江昱辉阳光能源有限公司4 英利绿色能源控股有限公司5 常州天合光能有限公司6 河北晶龙集团7 新疆新能源股份有限公司8 大全新能源9 天威新能源10 晶科能源11 通威集团12 阿特斯13 江苏环太集团14 江苏中盛光电有限公司15 安徽新光太阳能科技有限公司16 江苏顺大集团17 精功绍兴太阳能技术有限公司18 江阴海
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	硅片清洗原理与方法综述(20180720144719)	2018-08-21
	收稿日期 1999- 07- 12硅片清洗原理与方法综述刘传军 赵 权 刘春香 杨洪星电子四十六所 , 天津 300220摘要 对硅片清洗的基本理论 、 常用工艺方法和技术进行了详细的论述 , 同时对一些常用的清洗方案进行了浅析 , 并对硅片清洗的重要性和发展前景作了简单论述 。关键词 硅片 清洗 湿法化学清洗中图分类号 TN 30512 文献标识码 A 文章编号 1
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	化学机械抛光中的硅片夹持技术(20180720144653)	2018-08-21
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	硅片制备--多晶硅铸锭炉和单晶炉	2018-08-21
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	硅片有效面积计算公式	2018-08-21
	输入 结果硅片面积计算边长 125 mm对角线 150 mma 62.5L 75b 41.45781一角弧长 29.95689缺角面积 191.7535硅片面积 148.5799 平方厘米La2b
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